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[发明专利]纳米电子器件-CN01818115.5无效
发明人： L·I·萨米尔森;H·徐;A·福歇尔;L·M·D·沃尔舍赫 -专利权人：英国技术集团国际有限公司
申请日： 2001-09-03 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01L29/76 文献下载
摘要：一种呈现非线性晶体管或整流作用的纳米级电子器件，它包括提供电子流的弹道传输特性的区域(40)，在区域(40)中形成具有量子点触点(40q)的电导通路(42，44，46)，每条通路具有关联的电子储存器或触点(50)，其电化学电位和线性响应电导取决于注入该通路的电子能量。另一方面，可以在端子(44)上施加恒定电压，以便以类似于晶体管的方式调制通过电导通路(42，46)的电子流的特性。该器件可以执行逻辑AND或OR功能，或用作倍频器。
纳米电子器件

[发明专利]利用调制的复合一维纳米材料制备单电子器件的方法-CN02157972.5无效
发明人：彭练矛;陈清;梁学磊;车仁超 -专利权人：北京大学
申请日： 2002-12-20 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明属于纳电子学及纳电子器件领域，具体为利用调制的复合一维纳米材料构建单电子器件并提高其工作温度到室温或更高的思想和方法。通过在生长过程中控制地在一维纳米结构(纳米管)中引入势垒(可以用金属颗粒、成分改变、金属和绝缘体或非晶和晶体的转变、定位的电子或离子注入)，可以改变纳米管的电学性质。用这种复合纳米材料制备出单电子器件。通过调节势垒的间距，可以控制由此制备的单电子器件的工作温度达到室温或更高温。本发明用于纳电子学研究及单电子器件制备。
利用调制复合纳米材料制备电子器件方法

[发明专利]一种通过印刷电子技术制备生物可降解电子器件的制备方法-CN202010426641.9在审
发明人：陈珉;于欣格 -专利权人：成都怀慈福佑电子科技有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H05K3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过印刷电子技术制备生物可降解电子器件的制备方法，属于工程材料、印刷电子材料、生物可降解电子器件以及柔性电子器件制备技术领域。该方法涉及到将传统的生物可降解纳米材料（包含导体、半导体、绝缘体等），如纳米颗粒、纳米线、纳米片等，分散在生物可降解有机聚合物材料中，形成可应用于印刷电子技术的功能性打印墨水，特别适用于低成本、大规模生物可降解电子器件机系统的制备
一种通过印刷电子技术制备生物降解电子器件方法

[发明专利]一种碳纳米管散热结构与电子器件的集成方法-CN201310015157.7无效
发明人：林媛;潘泰松;黄振龙;曾波;高敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种碳纳米管散热结构与电子器件的集成方法，属于微电子工艺技术领域。本发明提供了一种简单、高效的碳纳米管散热结构与电子器件的集成方法。该方法利用碳纳米管阵列作为散热结构，通过在碳纳米管阵列自由端沉积金属浸润层以及制作焊锡层，再将碳纳米管从生长基板上剥离，形成散热结构体；然后将散热结构体的焊锡层与电子器件上的金属浸润层进行接触加热焊接，实现碳纳米管散热结构与电子器件的集成。本发明能够使一个性能良好的碳纳米管散热结构体直接集成于电子器件上，克服了其他碳纳米管散热结构集成方法中工艺复杂，效率低下的技术问题。
一种纳米散热结构电子器件集成方法

[发明专利]一种电子器件及其制作方法、电子设备-CN202011376950.6在审
发明人：余林蔚;张廷;刘宗光;王军转;刘俊彦;陈英杰;刘至哲;吴欣凯;刘云飞 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种电子器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域。用于在平面内生长纳米线。该电子器件可以包括衬底以及至少一条纳米线。其中，衬底上具有至少一条沟槽。纳米线嵌入沟槽内。该沟槽具有至少一个槽壁，一条纳米线沿沟槽的一个槽壁延伸，且与沟槽的槽底相接触。沟槽的槽壁具有导向作用，使得纳米线可以沿槽壁的延伸方向，在沟槽的槽底所在的平面内生长，有利于电子器件的大规模制作。上述沟槽的槽底所在的平面可以与电路板用于承载电子器件的表面平行。因此当纳米线在沟槽的槽底所在的平面内生长时，有利于电子器件在电路板上的大规模集成。
一种电子器件及其制作方法电子设备

[发明专利]制造具有通过纳米线接触的导电材料层的电子器件的方法-CN200580028778.2无效
发明人：罗伯茨·T·F·范沙吉克;普拉哈特·阿佳维;埃里克·P·A·M·贝克斯;马特吉·H·R·兰赫斯特;米哈依尔·J·范杜里恩;亚伯拉罕·R·贝尔克南德;路易斯·F·费尼尔;皮埃尔·H·沃尔里 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：根据本发明的电子器件(100)包括电阻率可在第一值和第二值之间切换的存储材料层(107)。存储材料可以是相变材料。该电子器件(100)还包括一组纳米线(NW)，电连接该电子器件(100)的第一端子(172)与存储材料层(107)，从而使得能够从第一端子通过纳米线(NW)和存储材料层(107)向电子器件的第二端子(272每一纳米线(NW)在各自的接触面积与存储材料层(107)电接触。所有接触面积实质上相同。根据本发明的方法适于制造根据本发明的电子器件(100)。
制造具有通过纳米接触导电材料电子器件方法

[发明专利]一种碳纳米管纳电子器件及其制备方法-CN200710090362.4有效
发明人：梁学磊;张志勇;王胜;姚琨;胡又凡;陈清;彭练矛 -专利权人：北京大学
申请日： 2007-04-06 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：本发明提出了一种实现碳纳米管与金属电极间高性能接触的方法，由此得到具有稳定得高性能碳纳米管纳电子器件。本发明的以碳纳米管为基的纳电子器件采用金属钪作为与碳纳米管连接的电极。通过各种微加工技术把金属钪与碳纳米管连接起来即可实现高性能的接触，可用于制备高性能的n型碳纳米管场效应晶体管，也可用于制备以碳纳米管为基的其他各种高性能的纳电子器件，包括生物以及化学传感器件。本发明对推动纳电子器件的实用化进程具有非常重要的意义，具有广泛的应用前景。
一种纳米电子器件及其制备方法

[发明专利]一种片上集成的超快纳米电子器件及其制备方法-CN202210247310.8有效
发明人：李男男;罗毅 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上集成的超快纳米电子器件，通过将SOI衬底划分出高电流超快器件区域、低功耗超快器件区域和互连区域，在对电流要求较高的区域设置立体型纳米空气沟道电子管，在对电流要求较低的区域，通过平面型纳米空气沟道电子管便于连接的特点将不同的电子元件互联，从而实现立体型纳米空气沟道电子管与平面型纳米空气沟道电子管的片上集成，同时结合立体型纳米空气沟道电子管工作电流大，以及平面型纳米空气沟道电子管连接方便的特点，使得片上集成的超快纳米电子器件具有实用性。本发明还提供了一种片上集成的超快纳米电子器件的制备方法，同样具有上述有益效果。
一种集成纳米电子器件及其制备方法

[发明专利]单层云母片及其纳米孔电子器件的制备方法和应用-CN201610195641.6有效
发明人：陆祖宏;李清宁;魏颖颖;丁韬力;严勇;万成;孙利;李成强;孙杰;王磊 -专利权人：北京大学;北京普若博升生物科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： C01B33/42 文献下载
摘要：本发明公布了一种单层云母片及其纳米孔电子器件的制备方法和应用。首先制备超薄的云母单层，将其涂布在合适的支撑基底上，利用高能聚焦电子束或离子束在单层云母片上制备1～5nm纳米孔，得到基于单层云母片的固态纳米孔电子器件。使单链核酸或蛋白质分子在电场驱动下穿过该电子器件的纳米孔，通过实时检测过孔电流的变化，识别过孔单链核酸上的碱基或单链蛋白质上的氨基酸。本发明的电子器件可制备成高通量平行的分子器件，实现快速且超低成本的核酸/蛋白质测序。
单层云母片及其纳米电子器件制备方法应用

[发明专利]一种面向印刷电子技术的生物可降解电子材料-CN202010425364.X有效
发明人：陈珉;于欣格 -专利权人：成都怀慈福佑电子科技有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H05K3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向印刷电子技术的生物可降解电子材料，属于工程材料、印刷电子材料、生物可降解电子器件以及柔性电子器件制备技术领域。该材料涉及到将传统的生物可降解纳米材料（包含导体、半导体、绝缘体等），如纳米颗粒、纳米线、纳米片等，分散在生物可降解有机聚合物材料中，形成可应用于印刷电子技术的功能性打印墨水，特别适用于低成本、大规模生物可降解电子器件机系统的制备
一种面向印刷电子技术生物降解电子材料

[发明专利]一种FeSi₂纳米结构及其制备方法-CN200510011806.1无效
发明人：许北雪;沈德忠;吴锦雷;沈光球 -专利权人：清华大学
申请日： 2005-05-27 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：一种FeSi₂纳米结构及其制备方法，属于微电子器件、纳米电子器件和光电子器件领域。其结构特征是FeSi₂纳米带在硅(100)晶面上沿两个互相垂直的<110>方向生长，自组织形成网状纳米结构。其制备方法是利用矩形波导中TE₁₀模微波在反应腔室内形成的特殊电磁场分布，以及硅基底与TE₁₀模微波的特殊匹配方式，将沉积在硅基底上的铁纳米团簇进行磁化和磁力驱动，使其自组织排列生长，并进一步与硅基底反应，最终形成FeSi₂纳米带和纳米结构。本发明可作为电连接材料用于自组织生长碳纳米管集成电路，或作为结构材料用于构筑各种MEMS器件和光电子器件等。
一种 fesi sub 纳米结构及其制备方法

[发明专利]一种纳米电子器件及其制作方法-CN200910077523.5有效
发明人：龙世兵;刘明;李维龙;贾锐 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-01-21 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法。在一对纳米电极之间生长纳米晶材料，纳米电极作为器件的源和漏，纳米晶作为库仑岛，纳米电极下的绝缘介质作为栅介质，绝缘介质下的硅衬底作为栅电极。这种纳米电子器件及其制造方法具有简单、稳定可靠、工艺步骤少、与传统CMOS工艺兼容的优点。
一种纳米电子器件及其制作方法

[发明专利]碳纳米管的组装技术及电子器件-CN99103111.3无效
发明人：薛增泉;刘惟敏;顾镇南;施祖进;侯士敏;张兆祥;赵兴钰;吴锦雷;吴全德 -专利权人：北京大学
申请日： 1999-03-24 - 公布日： 2002-09-25 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明属于高新科技新型纳米电子器件领域。本发明涉及碳纳米管竖立在纯净金属基底表面上的组装技术及用此技术所制造的电子器件，包括阵列场发射电子源，场发射平板显示器件，扫描探针显微镜(SPM)的针尖，场发射电子显微镜(FEM)的样品，测试碳纳米管特性的装置和利用此技术产生的量子特性与负阻特性曲线制造纳米电子放大器、振荡器和电子开关器件。
纳米组装技术电子器件

[发明专利]一种碳纳米管的修饰方法和碳纳米管电子器件的制造方法-CN200810106415.1无效
发明人：褚海滨;李彦;王金泳 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-05-13 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管的修饰方法和碳纳米管电子器件的制造方法。所述碳纳米管的修饰方法包括以下步骤：1)将碳纳米管浸入氯金酸的水和还原性有机溶剂的混合溶剂的溶液中进行反应，反应后从溶液中取出，洗涤，干燥；2)将碳纳米管浸入氯金酸和水溶性还原剂的含水溶剂的混合溶液中进行反应所述碳纳米管电子器件的制造方法包括以下步骤：a)按照上述方法修饰碳纳米管；b)在光学显微镜下将网状掩膜覆盖在碳纳米管上；c)蒸镀金属电极；d)去除所述掩膜，获得碳纳米管电子器件。本发明适用于在光学显微镜下识别、观察、操纵碳纳米管并制造所述碳纳米管电子器件。
一种纳米修饰方法电子器件制造

[发明专利]具有超高热导率的柔性、顺应性的热界面材料-CN201680028775.7在审
发明人： M·阿克布卢特;C·耶金;N·K·纳加班迪;B·泰佩 -专利权人：得克萨斯州A&M大学系统;M·阿克布卢特;C·耶金;N·K·纳加班迪;B·泰佩
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：散热效率低限制了电子器件的性能；热界面材料(TIM)可用于电子器件以更有效且高效地散热；使用官能化的氮化硼纳米片(BNNS)制备纳米复合材料；在金属基质中掺入软配体官能化的BNNS用于纳米制造动力学捕获的纳米复合材料
具有高热柔性顺应性界面材料

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