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[实用新型]一种脉冲泵浦型环形谐振腔纳秒脉冲激光器装置-CN201320082681.1有效
发明人：梁崇智;曾和平;杨康文 -专利权人：广东汉唐量子光电科技有限公司
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种脉冲泵浦型环形谐振腔纳秒脉冲激光器装置，包括脉冲调制电路，泵浦激光器，合束器，增益光纤，隔离器和输出耦合器，脉冲泵浦条件下，谐振腔内的掺杂光纤不仅能起到增益介质的作用，还可以作为快速响应的可饱和开关，产生时域宽度在纳秒量级的激光脉冲，脉冲的重复频率取决于泵浦光的重复频率，脉冲宽度取决于腔内能量和谐振腔长度的共同作用。本装置具有结构简单，脉冲宽度可调谐，重复频率可调谐，光光转换效率高等优点，稳定性好，适用于工业加工的多种应用场合。
一种脉冲泵浦型环形谐振腔激光器装置

[发明专利]划刻光伏器件期间随时间改变激光强度的方法-CN201210129991.4有效
发明人： J·M·弗里 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：激光束(30)的脉冲施加于该膜堆叠(13)，其中该激光束(30)具有在根据预定功率周期的脉冲期间作为时间的函数而变化的功率。例如，该脉冲可以具有持续大约0.1纳秒至大约500纳秒的脉冲。激光束(30)的该脉冲可以跨膜堆叠(13)重复以形成通过衬底(12)上的薄膜层中的至少一个的划刻线。这样的方法在激光划刻基于碲化镉薄膜的光伏器件(10)方面特别有用。
划刻光伏器件期间随时改变激光强度方法

[发明专利]一种多层全硅发光材料及其制备方法-CN201010574173.6有效
发明人：黄伟其 -专利权人：贵州大学
申请日： 2010-12-06 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层全硅发光材料，该发光材料是以单晶硅为垫层，在垫层表面依次覆盖有纳晶硅层、非晶硅层和氧化硅层，与现有技术相比，本发明用纳秒激光制备稳定的多层全硅型发光材料，所用的激光束斑以基模为主，可通过光学汇聚系统控制激光束斑线径从一微米到一百微米，加工范围宽；激光脉冲的脉宽控制在60～100纳秒，通过三维微动定位系统可对硅样品实施精确到100nm的定位和扫描加工；用每秒上千个纳秒激光脉冲相干在单晶硅上加工，制备的多层全硅型纳米结构稳定性和重复性好
一种多层发光材料及其制备方法

[发明专利]纳秒脉冲电场在提高细胞干性中的用途-CN201810909901.0在审
发明人：葛子钢;宁通;张珏;陈佳青;国晋菘;李可佳 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C12N13/00 文献下载
摘要：本发明涉及纳秒脉冲电场在提高细胞干性中的用途，具体地，通过对细胞特别是干细胞施加纳秒脉冲电场，可以有效地提高干性基因的表达量并降低细胞的甲基化水平，提高干细胞干性，并进一步促进干细胞接受诱导分化的能力。
脉冲电场提高细胞干性中的用途

[发明专利]针对纳秒脉冲电场消融动态监测系统构建及监测方法-CN202011346920.0有效
发明人：郭亮;王祥业;姜文聪;邢兰昌;李粟;曾彩虹 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C12M1/42 文献下载
摘要：本发明公开了针对纳秒脉冲电场消融动态监测系统构建及监测方法，属于脉冲辐射成像监测领域，将铁电陶瓷纳米粒子掺杂后的高分子树脂包裹极板，通过其在靶向组织中诱导产生电场，使纳秒脉冲消融靶向组织细胞，提高电场诱导效果；防止极板与空气或靶向组织直接接触，避免了沿面放电和正常组织灼伤问题的出现；采用超声探头阵列动态监测靶向组织激发的超声信号，通过超声信号反映靶向组织的电导率分布信息，观测靶向组织电导率的变化进而实现对脉冲消融效果的动态监测
针对脉冲电场消融动态监测系统构建方法

[实用新型]一种高压脉冲电源的开关驱动电路-CN202020217029.6有效
发明人：张凯;张涛;高露 -专利权人：大连海伏科技有限公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高压脉冲电源的开关驱动电路，包括：前级信号调制模块、驱动变压器T及串联的n级驱动波形控制电路；串联的每级驱动波形控制电路包括：两个二极管DnA、DnB、PMOS管QnA、NMOS管QnB本实用新型可实现从百纳秒至直流任意宽度的高压脉冲开关驱动，脉冲宽度不受变压器饱和限制。同时本实用新型驱动波形上下边沿陡峭，可实现陡峭边沿的高压脉冲输出，上升下降边沿可低至十纳秒。
一种高压脉冲电源开关驱动电路

[发明专利]一种基于非实时总线的同步采样装置-CN202010446211.3有效
发明人：霍银龙;吴凯;陈从靖;王宏;吴正伟 -专利权人：南京国电南自电网自动化有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：和第二采样模件；第一FPGA产生第一内部时间基准，并传输至第二FPGA；第二FPGA收到第一内部时间基准后，生成与第一内部时间基准同步的第二内部时间基准；第二采样模件对获得的第二内部时间基准进行处理，获得含有秒和纳秒的时间信息；第二采样模件产生采样脉冲，并对每次的采样值添加含有秒和纳秒的时间信息，将采样值发送至第二FPGA，第二FPGA产生交流模拟量的采样脉冲，对每次的采样值添加含有秒和纳秒的时间信息；第二FPGA将所有的采样值发送至第一
一种基于实时总线同步采样装置

[发明专利]一种飞秒瞬态吸收光谱的信噪比提升方法-CN202310399742.5在审
发明人：朱美怡;戴兴良;何海平;叶志镇;张丁铄 -专利权人：浙江大学温州研究院;温州锌芯钛晶科技有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种飞秒瞬态吸收光谱的信噪比提升方法，包括内壁具有吸光涂层的飞秒瞬态吸收光谱仪，飞秒瞬态吸收光谱仪还内置有位于样品台前的低色散激光聚焦组件和微纳反射组件，微纳反射组件包括反射结构和透光区域，反射结构与入射光路不完全垂直，以使得通过反射结构反射出去的光路能照射至吸光涂层；低色散激光聚焦组件将超连续白光聚焦并提供色散给微纳反射组件，微纳反射组件依据色散效应选择性的反射以调节焦点附近不同波长光的空间分布本发明以微纳反射组件调节探测白光透过率，不会造成飞秒脉冲探测白光的脉宽展宽。在维持飞秒瞬态吸收光谱最大时间分辨率的前提下，实现了飞秒瞬态吸收光谱信噪比的有效提升。
一种瞬态吸收光谱提升方法

[实用新型]一种无脉冲拖尾的百皮秒激光器-CN201922173765.6有效
发明人：白振旭;陈彬;齐瑶瑶;丁洁;王雨雷;吕志伟 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01S3/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无脉冲拖尾的百皮秒激光器，所述百皮秒激光器包括：泵浦源输出持续时间为纳秒级的线偏振泵浦脉冲激光，泵浦脉冲激光经过第一光隔离器进入SBS脉冲压缩器；泵浦光在SBS脉冲压缩器中发生后向受激布里渊散射且脉冲时间压缩到皮秒级；压缩后的脉冲激光经过第二光隔离器后进入脉冲拖尾抑制器，脉冲能量达到脉冲尖峰处时在脉冲拖尾抑制器中发生光学击穿。本实用新型克服了传统大能量SBS脉冲压缩系统输出脉冲具有严重拖尾的问题，获得具有比传统SBS脉冲压缩直接输出的脉冲宽度更窄、更光滑的脉冲波形。
一种脉冲百皮秒激光器

[发明专利]在聚合物材料中提供表面下标记的方法-CN200980137166.5无效
发明人： E·M·考斯克-威廉姆斯;李沈平 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： B41M5/26 文献下载
摘要：本发明揭示了使用飞秒、皮秒或纳秒脉冲的光纤激光器在透明聚合物材料中制造高反差的表面下标记的方法。还揭示了用于制造表面下标记的系统以及由该方法制造的带有标记的透明材料。
聚合物材料提供表面标记方法

[发明专利]高压纳秒脉冲电源装置-CN201310436461.9有效
发明人：高岛圭介;黄邦斗;蒲以康 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H02M9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压纳秒脉冲电源装置，包括：串联的第一碳化硅NMOS管和第二碳化硅NMOS管，第一碳化硅NMOS管的源极与第二碳化硅NMOS管的漏极相连，第二碳化硅NMOS管的源极接地；直流电压源，其高压端与第一碳化硅本发明具有控制灵活、电磁兼容性好、脉冲宽度小、重复频率高等优点。
高压脉冲电源装置

[外观设计]纳秒脉冲消融设备-CN202230337729.3有效
发明人：罗中宝;张星光;张正 -专利权人：上海睿刀医疗科技有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：纳秒脉冲消融设备。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于肿瘤治疗。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的整体外部形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
脉冲消融设备

[发明专利]大功率半导体激光器脉冲驱动电源-CN201210120267.5有效
发明人：单江东;高博;田小建;汝玉星;吴戈 -专利权人：吉林大学
申请日： 2012-04-21 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H02M9/04 文献下载
摘要：本发明大功率半导体激光器脉冲驱动电源属于电子设备的技术领域，结构有脉冲触发电路(1)、DC-DC升压电路(2)、电容储能电路(3)、高速开关电路(4)等四部分。本发明提供的用于驱动半导体激光器的脉冲驱动电源，输出电流幅度大于等于50安培，同时输出的脉冲电流上升时间小于等于30纳秒，脉冲电流宽度小于等于15纳秒，最大的重复频率为4KHz；采用高速MOSFET元件作为开关器件，保证输出电流脉冲具有良好的边沿特性；利用多个电容并联形成储能电路，实现大电流、窄脉冲信号的输出。
大功率半导体激光器脉冲驱动电源

[发明专利]一种LOGO的加工方法-CN201711047244.5在审
发明人：周群飞;徐学岩 -专利权人：蓝思科技（长沙）有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种LOGO的加工方法，包括以下步骤：制作油墨层，具体是：在待加工LOGO的基板上设置油墨层；制作LOGO，具体是：采用紫外纳秒激光将待加工LOGO的基板上的油墨层进行部分去除而形成LOGO形状，所述紫外纳秒激光的脉冲宽度为10‑20纳秒。应用本发明的技术方案，效果是：步骤精简，便于工业化生产；本发明采用紫外纳秒激光器去除油墨制作LOGO，可以使被加工材料瞬间气化，不会对加工区域边缘材料产生热影响区，去除油墨后基板表面没有雾状残留，透光率可以达到
油墨层去除加工基板油墨制作激光加工区域边缘被加工材料纳秒激光器摩擦测试热影响区后基板透光率脉冲气化雾状残留测试应用

[发明专利]纳秒脉冲发生器脉冲生成-CN201980048964.4在审
发明人：艾丽亚·斯劳伯道夫;迪麦西·津巴;约翰·卡斯凯德;肯尼斯·米勒;华采姆·耶格尔;埃里克·汉森;太绅·耶格尔;凯文·马格利;摩根·昆利;康纳·利斯顿 -专利权人：鹰港科技有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：一些实施例包括一种高电压脉冲发生电源。所述高电压脉冲发生电源可以包括：高电压脉冲发生器，其具有提供具有大于大约1kV的幅度、小于大约1μs的脉冲宽度和大于大约20kHz的脉冲重复频率的脉冲的输出；等离子体腔室；和电极，其被部署在所述等离子体腔室内，所述电极与所述高电压脉冲发生器的所述输出电耦合，以在所述等离子体腔室内产生电场。
脉冲发生器生成