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[发明专利]基于薄膜体声波谐振器的偏振型红外探测器的制备方法-CN201811340894.3有效
发明人：梁中翥;陶金;孟德佳;梁静秋;秦余欣;吕金光 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：基于薄膜体声波谐振器的偏振型红外探测器的制备方法涉及红外探测技术领域，解决了制备方法所得红外探测器吸收率较低和红外偏振探测器结构和性能均需要提高的问题，包括制备薄膜体声波谐振器；薄膜体声波谐振器上依次制备金属反射层、介质层和金属阵列层；制备读出集成电路衬底；连接读出集成电路衬底和薄膜体声波谐振器；金属阵列层由复数个特性方向一致的金属单元组成。本发明的制备方法具有集成制造、批量生产、成本低廉等优势；利用金属阵列层实现对红外光谱的偏振光吸收和增强吸收，吸收的能量作用于薄膜体声波谐振器上，提高吸收率；制备的红外探测器体积重量小且成本低廉、有传统非制冷红外探测的优点
基于薄膜声波谐振器偏振红外探测器制备方法

[实用新型]非制冷光读出红外焦平面阵列结构-CN201420208787.6有效
发明人：孔延梅;焦斌斌;刘瑞文 -专利权人：昆山光微电子有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非制冷光读出红外焦平面阵列结构，该红外焦平面阵列结构包括透明衬底和悬空设置其上的金属反光板，该金属反光板上方依次设置有红外吸收介质层和黑硅红外吸收增强层；在金属反光板的左右两侧间隔对称设置有若对干悬臂梁和隔离梁，位于最内侧的悬臂梁一端与红外吸收介质层连接形成一体，位于两悬臂梁之间的隔离梁的两端分别与两悬臂梁之间连接形成一体，位于最外侧的悬臂梁一端向下弯折连接至透明衬底上形成锚爪支撑结构。其不仅工艺简单，能够后期工艺兼容，而且通过在阵列探测器的原始红外吸收层上制作黑硅介质层，能够大幅度增强红外吸收效率，从而大幅度提高器件的响应度和灵敏度。
制冷读出红外平面阵列结构

[发明专利]用于中红外波段的半导体光电探测器及其制备方法-CN202010244449.8有效
发明人：陈佰乐;黄健 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明提供一种用于中红外波段的半导体光电探测器及其制备方法，该结构包括：依次层叠的衬底层、阴极接触层、集电层、InAs/GaSb超晶格吸收层、电子阻挡层及阳极接触层；阴极，形成于阴极接触层上；阳极，形成于阳极接触层上本发明采用InAs/GaSb材料体系作为半导体光电探测器的吸收层可将光电探测器的测试波长延伸至中红外波段，当形成的电子基态能级与空穴基态能级之差小于中红外波长的光子对应的能量时，就能吸收中红外波长的光，从而实现对中红外波段的覆盖；另外，通过调节吸收层中InAs层和GaSb层的厚度，使探测器具有一定的波长可调节范围；再者采用单行载流子(电子)结构，能够实现更高的响应速度。
用于红外波段半导体光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种金属氮化物太阳光谱选择性吸收涂层-CN201310278545.4在审
发明人：杜淼;郝雷;蒋利军;刘晓鹏;王笑静;于庆河;米菁 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： F24J2/48 文献下载
摘要：一种太阳光谱选择性吸收涂层，该光谱选择性吸收涂层包括有从基体向外，依次为金属红外高反射层、吸收层、减反射层;其中，金属红外高反射层由W、Mo、Al、Cu、Au、Ag、Pt、Ni、Cr中的任意一种组成，厚度为30-500纳米;吸收层由Mo_xA1_1-xN构成，其中，x=0.1-0.9;吸收层的厚度为30-300纳米;减反射层是Al的氮化物或氧化物组成，包括有AlN或Al₂O₃；减反射层的厚度为10-300纳米;该光谱选择性吸收涂层还可以包括有粘结层，该粘结层位于基底与金属红外高反射层之间;还可以包括有扩散阻挡层，该扩散阻挡层位于金属红外高反射层与吸收层之间;还可以包括有防护层，该防护层位于减反射层外侧。所制备的涂层吸收率α可达0.96，发射率ε≤0.05(82°C)，ε≤0.10(400°C)，ε≤0.13(500°C)。耐温温度达到550°C。
一种金属氮化物太阳光谱选择性吸收涂层

[发明专利]一种新型红外探测器及其制备方法-CN202010200009.2在审
发明人：仇志军;杨强强 -专利权人：苏州巧云信息科技有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型红外探测器，其制备方法包括：1)Si衬底上外延生长高阻GaN缓冲层；2)高阻GaN缓冲层上生长本征掺杂GaN层；3)本征掺杂GaN层上淀积一层氧化铝；4)氧化铝上生长一层红外吸收材料，并通光刻、刻蚀工艺选择性刻蚀掉氧化铝和红外吸收材料；5)在无氧化铝的本征掺杂GaN层区域上，淀积叉指型金属电极和反射金属栅；6)选择性刻蚀Si衬底，形成隔热槽。本发明利用了声表面波共振效应以及红外吸收材料对热辐射敏感的特点，通过热辐射加热红外吸收材料引起GaN材料膨胀而改变声波的传播速度，从而使得声波的共振频率发生偏移，即实现了对红外热辐射的灵敏探测。
一种新型红外探测器及其制备方法

[实用新型]防红外线变色镜片-CN202021101009.9有效
发明人：张云波;黄安平;黄善玉 -专利权人：张云波;黄安平;黄善玉
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G02B5/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防红外线变色镜片。包括基体层、内防护层、外防护层；所述基体层内侧面设置有内防护层，内防护层包括镀膜层、红外线吸收层、保护层，镀膜层与基体层内侧面贴合，在镀膜层上依次覆有红外线吸收层、保护层；所述基体层外侧面设置有外防护层，外防护层包括镀膜层、蓝光吸收层、变色层、防划层，镀膜层与基体层外侧面贴合，蓝光吸收层、变色层、防划层依次覆在镀膜层上；内防护层、外防护层通过真空镀膜分别覆在基体层内外两侧面。本实用新型通过设置内、外防护层，可以过滤400‑440nm的蓝光、0.76‑2μm的红外线，并通过变色层的光致变色原理抵御320‑400nm的紫外线。
红外线变色镜片

[发明专利]夜视兼容近红外吸收膜材料及其制备方法-CN201010549136.X有效
发明人：张其土;戴峰;王丽熙 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C09D133/00 文献下载
摘要：本发明涉及具有夜视兼容特性的近红外吸收薄膜材料及其制备方法。将0.1～0.5质量份为近红外吸收剂加入到20～50质量份有机溶剂中，通过搅拌得到均一的溶液；将100质量份基体树脂与5～20质量份树脂固化剂加入到上述的溶液中，搅拌分散后得到近红外线吸收涂层材料。本发明提供的夜视兼容近红外吸收膜材料，一层为透明薄膜基材，另一层为具有近红外线吸收特性的涂层材料涂覆形成的近红外线吸收层；夜视兼容近红外吸收膜材料对波长在400nm～630nm内的光线平均透过率为20～本发明的近红外吸收涂层材料制备工艺简单，生产成本较低，适合一定规模的工业化生产，涂层材料使用方便快捷。
兼容红外吸收材料及其制备方法

[发明专利]一种红外超材料吸收器及其制备方法-CN201710289116.5在审
发明人：王志明;余鹏;姚依森;巫江;刘德胜;姬海宁;牛晓滨 -专利权人：电子科技大学;余鹏
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开一种红外超材料吸收器，所述超材料吸收器包括依次设置的基底、薄膜层、电介质层、共振圈结构层，所述共振圈结构层包括至少一个金属纳米环，所述金属纳米环的半径不大于2000nm，所述金属纳米环的宽度不大于能够应用于红外探测上，能够实现对不同红外波段双峰或多峰的吸收，可提高其吸收效率至98％以上。
一种红外材料吸收及其制备方法

[发明专利]一种具有红外高吸收的超薄吸收体及其制备方法-CN202310277936.8在审
发明人：高俊华;陈芝琳;曹鸿涛;姜雨欣;熊辉 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有红外高吸收的超薄吸收体及其制备方法，包括自下而上金属衬底层、超材料介质层以及复合金属层；所述金属衬底层为红外高反射金属，厚度大于100nm；所述超材料介质层为半导体内嵌垂直金属纳米线阵列，厚度为40‑300nm；所述复合金属层为铋基复合金属，厚度为10‑80nm。制备方法简单高效，且得到的超薄吸收体具有红外高吸收特性。
一种具有红外吸收超薄吸收体及其制备方法

[发明专利]一种中长波红外宽光谱光吸收材料及其制备方法-CN202010631350.3有效
发明人：阮翔宇;管志强;徐红星 -专利权人：武汉大学
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明属于无机功能材料制备领域，特别涉及一种中长波红外宽光谱光吸收材料及其制备方法，中长波红外宽光谱光吸收材料，由氧化铝孔洞结构、硅孔洞结构、硅纳米空隙结构和硅衬底依次堆叠组成，所述硅纳米孔隙结构分布于硅孔洞结构和硅衬底中本发明的中长波红外宽光谱光吸收材料由四层材料依次堆叠而成，形成折射率梯度渐变材料，依靠掺杂浓度可调的硅材料在中长波红外波段的自由载流子吸收来实现中远红外波段的耐高温宽光谱光吸收。本发明的中长波红外宽光谱光吸收材料吸收波长范围大且吸收效率高，吸收层厚度薄，非偏振依赖，入射角度范围大，耐高温。
一种长波红外光谱光吸收材料及其制备方法

[发明专利]多层复合太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法-CN201810213323.7有效
发明人：夏荣斌;师晶;王成兵;令晓明;黄海洋 -专利权人：兰州交大常州研究院有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： F24S70/225 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层复合太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法，包括在基底上按照由下至上的顺序依次设置的红外反射层、吸收层和减反射层；红外反射层为Ti沉积层；吸收层是复合层，包括第一吸收层和第二吸收层，第一吸收层和第二吸收层均为钛碳掺杂的含氢非晶碳层（TiC/a‑C:H）；减反射层为含氢非晶碳层。
多层复合太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法

[实用新型]一种易撕型双面胶带-CN201720779028.9有效
发明人：郑云信 -专利权人：厦门奈克斯工贸有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： C09J7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种易撕型双面胶带，包括网格基材层，网格基材层由纵向网格线条和横向网格线条构成，所述纵向网格线条和横向网格线条在网格节点处连接在一起，网格基材层的网孔形状为矩形，所述纵向网格线条和横向网格线条均为PET纤维，所述网格基材层的上下两侧分别设有第一红外吸收层和第二红外吸收层，在第一红外吸收层的上侧和第二红外吸收层的下侧分别设有第一蓝光隔离层和第二蓝光隔离层，本实用新型易撕型双面胶带，采用网格材料作为胶带的基材层，网格本身具有一定的机械强度，赋予了胶带良好的可定型性，具有较好的防红外线、防紫外线和隔离吸收蓝光的效果，避免电子设备的蓝光对人体造成损害，结构简单、使用方便。
一种易撕型双面胶带

[发明专利]一种红外探测器及其制备方法-CN202110138400.9有效
发明人：翟光杰;潘辉;武佩 -专利权人：北京北方高业科技有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本公开涉及一种红外探测器及其制备方法，红外探测器包括衬底以及位于衬底上的电极层和热敏层，电极层位于热敏层临近衬底的一侧，电极层与热敏层接触设置；红外探测器包括多个矩阵排列的红外探测器像元，红外探测器像元包括吸收板结构、至少两个微桥柱和至少两个梁结构，吸收板结构通过对应的梁结构连接至对应的微桥柱；热敏层覆盖吸收板结构和梁结构所在区域；其中，构成热敏层的材料包括非晶硅、非晶碳、非晶锗或非晶硅锗中的一种或几种；构成电极层的材料至少包括钛钨合金通过本公开的技术方案，降低了红外探测器的热响应时间，提高了红外探测器的红外响应率。
一种红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种红外热电堆传感器及其制造方法-CN202211371533.1在审
发明人：张丹;郭桂良 -专利权人：北京中科银河芯科技有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开一种红外热电堆传感器及其制造方法，涉及微电子机械系统技术领域，以解决现有吸收层面积较小、传感器的响应率较低的问题。所述红外热电堆传感器包括基底、支撑层、热电堆层和吸收层，基底内具有空腔，支撑层设置于基底上方，热电堆层设置于支撑层上方，热电堆层包括多个串联设置的热电臂，热电臂具有冷端和热端，热电臂的冷端与基底相连，热电臂的冷端和热端之间存在弯折段，吸收层设置于热电堆层上方，吸收层与热电臂的热端相连，吸收层用于接收外部能量并将能量传递至热电臂的热端。所述红外热电堆传感器的制造方法包括上述技术方案所提的红外热电堆传感器。
一种红外热电传感器及其制造方法

[发明专利]一种红外探测器及其制备方法-CN202110748254.1有效
发明人：张玉萍;冯叶;杨春雷;张陈斌;彭燕君;杨佳伟 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供的短波红外探测器的制备方法，包括下述步骤：在基底上制备底电极，在所述底电极上制备吸收层，在所述吸收层上制备缓冲层，在所述缓冲层上制备窗口层，其中，在所述吸收层上制备缓冲层，具体包括：将分散于有机溶液中的量子点溶液，滴在所述吸收层上，并进行旋涂后加热至100‑150摄氏度退火2‑3min，得到所述缓冲层，本申请提供的短波红外探测器的制备方法，通过量子点旋涂制备缓冲层，获得与前驱体、高阻层晶格更匹配的缓冲层，形成更优异的P‑N结，降低器件的暗电流，提高量子效率，获得性能更好的短波红外探测器。另外，本发明还提供了一种短波红外探测器。
一种红外探测器及其制备方法