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[发明专利]CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用-CN201711281101.0有效
发明人：沈悦;徐宇豪;张宗坤;顾峰;黄健;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用，基于AlN基底生长CdZnTe薄膜并制备AlN/CdZnTe基紫外光探测器，本发明AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括AlN衬底的制备、CdZnTe多晶升华源的准备、衬底预处理、CdZnTe薄膜的生长过程、AlN/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作5个主要步骤。本发明方法可以在AlN衬底上快速生长大面积、高质量的CdZnTe薄膜，AlN衬底可以保证AlN/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。
cdznte 薄膜 aln 紫外光探测器制备方法应用

[发明专利]红外紫外火焰探测器控制系统及其控制方法-CN201710388124.5在审
发明人：江朝元;封强;彭鹏;曹晓莉;李靖;范超;杨强;陈露;喻贵柯 -专利权人：重庆英卡电子有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G08B17/00 文献下载
摘要：本发明公开一种红外紫外火焰探测器控制系统及其控制方法，包括红外探测模块和紫外探测模块，红外探测模块和紫外探测模块与控制器连接，红外探测模块由电源模块供电，所述红外探测模块和紫外探测模块分别探测环境中的红外光信号和紫外光信号，所述红外探测模块根据红外光信号激活控制器，激活后的控制器驱动电源模块给紫外探测模块供电，所述控制器结合红外光信号和紫外光信号判别火情，并通过无线通信模块与相邻的火焰探测器的控制器进行数据交互。有益效果采用本发明的红外紫外火焰探测器控制系统及其控制方法，能准确地对火情进行判定，并且能实现自主供电，功耗低，适用于野外火情监测。
红外紫外火焰探测器控制系统及其控制方法

[发明专利]一种组合式防生物附着系统及其制备方法-CN201810402944.X在审
发明人：徐现刚;肖龙飞;徐明升;陈秀芳 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： G01D11/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种组合式防生物附着系统及其制备方法，包括探测器外壳，在探测器外壳的顶端设置有第一探测器、第二探测器、第三探测器和支架，在支架的顶端设置有保护壳，保护壳的底端设置有旋转马达，旋转马达的输出轴连接有紫外LED光源和毛刷，紫外LED光源和毛刷位于第一探测器、第二探测器、第三探测器的上方。本发明是通过利用机械刮水和紫外线辐照两种方式结合，抑制生物附着对于海洋探测器性能的失效，该组合式防生物附着系统能够同时对多个海洋探测器进行防生物附着，其防护效果显著，作用明显，大大节省了维护成本和人力。
生物附着组合式紫外LED光源第二探测器第一探测器海洋探测器探测器外壳顶端设置旋转马达保护壳探测器毛刷支架制备海洋监测数据输出轴连接紫外线辐照防护效果高可靠性底端刮水维护

[实用新型]一种组合式防生物附着系统-CN201820632386.1有效
发明人：徐现刚;肖龙飞;徐明升;陈秀芳 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G01D11/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种组合式防生物附着系统，包括探测器外壳，在探测器外壳的顶端设置有第一探测器、第二探测器、第三探测器和支架，在支架的顶端设置有保护壳，保护壳的底端设置有旋转马达，旋转马达的输出轴连接有紫外LED光源和毛刷，紫外LED光源和毛刷位于第一探测器、第二探测器、第三探测器的上方。本实用新型是通过利用机械刮水和紫外线辐照两种方式结合，抑制生物附着对于海洋探测器性能的失效，该组合式防生物附着系统能够同时对多个海洋探测器进行防生物附着，其防护效果显著，作用明显，大大节省了维护成本和人力
生物附着组合式紫外LED光源本实用新型第二探测器第一探测器海洋探测器探测器外壳顶端设置旋转马达保护壳探测器毛刷支架海洋监测数据输出轴连接紫外线辐照防护效果高可靠性底端刮水维护

[发明专利]一种AlInGaN发光和探测集成芯片-CN202211002317.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：至善时代智能科技（北京）有限公司;至芯半导体（杭州）有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及紫外发光芯片技术领域，尤其涉及一种AlInGaN发光和探测集成芯片；本发明所述AlInGaN发光和探测集成芯片包括AlInGaN紫外发光芯片和AlInGaN紫外探测器芯片；所述AlInGaN紫外发光芯片和AlInGaN紫外探测器芯片的外延结构独立的包括衬底和设置在所述衬底一侧表面的功能层；所述AlInGaN紫外发光芯片的功能层和AlInGaN紫外探测器芯片的功能层之间通过隔离层隔离。所述AlInGaN发光和探测集成芯片使芯片在发光的同时，能够实时监测发光强度的大小，监测紫外强度随时间的衰减情况。
一种 alingan 光和探测集成芯片

[发明专利]基于下转换发光的日盲紫外探测器、制备方法和探测相机-CN202011487985.7在审
发明人：粘伟;唐义;丁明烨;苏云;郑国宪;单瑞*;董联庆;杨立欣 -专利权人：北京空间机电研究所
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明涉及基于下转换发光的日盲紫外探测器、制备方法和探测相机。所述日盲紫外探测器通过采用热蒸发法镀膜技术，将粉末状下转换纳米材料在可见光CCD芯片感光面形成一层均匀纳米薄膜，实现直接耦合，通过纳米薄膜吸收日盲段紫外光发射可见光的特性，从而实现高效的紫外光探测，有效解决天基紫外预警探测器面阵小
基于转换发光紫外探测器制备方法探测相机

[实用新型]一种日盲紫外羽烟检测传感器-CN202021508203.9有效
发明人：李大成;李志鹏;沈春伟;骆康城;习叶军 -专利权人：浙江天衡五维电子科技有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本实用新型为一种日盲紫外羽烟检测传感器，包括日盲紫外镜头、日盲紫外滤光器、紫外探测器和外壳，所述日盲紫外镜头设于外壳一端，所述紫外探测器设于外壳另一端，所述日盲紫外滤光器设于日盲紫外镜头和紫外探测器之间本实用新型的优点是：采用日盲紫外波段作为工作波段，没有来自太阳及物体自身辐射等干扰，虚警率低，能够对所有制导类型的导弹进行检测。
一种紫外检测传感器

[发明专利]透明柔性非极性GaN纳米线紫外探测器及其制备方法-CN201610738835.6在审
发明人：姜辛;刘宝丹;张兴来;刘鲁生 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明涉及属于半导体器件领域，具体涉及一种透明柔性非极性GaN纳米线紫外探测器及其制备方法，应用于紫外探测器结构和制造技术。先利用沉积的方法在衬底上生长非极性GaN纳米线；然后将单根非极性GaN纳米线转移至透明柔性基底上；再利用光刻的方法光刻出电极图形；最后在非极性GaN纳米线两端镀上透明电极，即得所述紫外探测器。本发明实现了紫外探测器的透明柔性化，大大提高了紫外探测器的应用领域。本发明的透明柔性紫外光探测器在紫外光波段响应高、速度快，制备工艺简单，材料环保可靠，成本低，有利于广泛应用。
透明柔性极性 gan 纳米紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种环网柜放电检测装置-CN201911247736.8在审
发明人：吴英俊;潘杰锋;杨平;丁北平;杜晓雷;应建国 -专利权人：宁波新胜中压电器有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种环网柜放电检测装置，包括壳体、紫外滤光片、蓝光滤光片、设置在壳体内的第一光电探测器、第二光电探测器、紫外偏置电路、蓝光偏置电路和双通道数据采集电路，紫外滤光片峰值波长为340nm，带宽为10nm，蓝光滤光片峰值波长为480nm，带宽为10nm，壳体顶部设有第一开口和第二开口，紫外滤光片安装在第一开口处。蓝光滤光片安装在第二开口处，第一光电探测器位于紫外滤光片的正下方，第二光电探测器位于蓝光滤光片的正下方，第一光电探测器和紫外偏置电路连接，第二光电探测器和蓝光偏置电路连接，紫外偏置电路、蓝光偏置电路分别与双通道数据采集电路连接
一种环网柜放电检测装置

[发明专利]一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置及成像方法-CN202011579584.4有效
发明人：黎大兵;王星辰;孙晓娟;蒋科;贾玉萍;石芝铭;陈洋;臧行 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置，属于半导体技术领域，包括紫外光学透镜、DMD、DMD控制模块、AlGaN基多元紫外探测器、信号处理模块、数据采集模块、图像重建模块；所述本发明还提供一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像方法。本发明的基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置及成像方法，利用DMD与多元AlGaN基紫外探测器结合使用实现高分辨率紫外成像，利用DMD成像机理，解决了传统AlGaN面阵高分辨率成像盲元率高的问题，并且利用多元AlGaN探测器，解决了单管高分辨率成像中成像时间长的问题。
一种基于 dmd algan 基多紫外探测器成像装置方法

[实用新型]一种环网柜放电检测装置-CN201922182217.X有效
发明人：吴英俊;潘杰锋;杨平;丁北平;杜晓雷;应建国 -专利权人：宁波新胜中压电器有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种环网柜放电检测装置，包括壳体、紫外滤光片、蓝光滤光片、设置在壳体内的第一光电探测器、第二光电探测器、紫外偏置电路、蓝光偏置电路和双通道数据采集电路，紫外滤光片峰值波长为340nm，带宽为10nm，蓝光滤光片峰值波长为480nm，带宽为10nm，壳体顶部设有第一开口和第二开口，紫外滤光片安装在第一开口处。蓝光滤光片安装在第二开口处，第一光电探测器位于紫外滤光片的正下方，第二光电探测器位于蓝光滤光片的正下方，第一光电探测器和紫外偏置电路连接，第二光电探测器和蓝光偏置电路连接，紫外偏置电路、蓝光偏置电路分别与双通道数据采集电路连接
一种环网柜放电检测装置

[发明专利]基于振镜扫描的宽禁带半导体紫外探测器成像系统及方法-CN202210429736.5在审
发明人：王嘉辉;陈华宽;仲谋;陈泽鹏;方泓锦;江灏;蔡志岗 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明公开一种基于振镜扫描的宽禁带半导体紫外探测器成像系统及方法，系统包括宽禁带半导体紫外探测器、二维振镜模块及其触发装置、扫描像素控制模块，其中：宽禁带半导体紫外探测器获取目标区域的光信号；二维振镜模块为两个扫描方向正交的振镜，通过振动对目标区域进行扫描；触发装置驱动二维振镜模块；扫描像素限制模块对探测器接收的光束形状大小进行限制；目标区域发出的光线通过二维振镜模块和扫描像素限制模块被宽禁带半导体紫外探测器接收。相比于传统探测方法，本发明能通过单点的宽禁带半导体紫外探测器对日盲区的高灵敏度成像，提高探测精度以及确定探测目标的位置。
基于扫描宽禁带半导体紫外探测器成像系统方法

[发明专利]一种基于紫外探测器质子位移效应的辐照试验测试方法-CN201911235123.2有效
发明人：周东;冯婕;李豫东;文林;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于紫外探测器质子位移效应的辐照试验测试方法，该方法涉及测试装置是由计算机、直流电源、数据采集及时序控制电路、camlink数据线、导线和器件座组成，首先将测试装置放置在测试室内，安装好紫外探测器后，检查各项功能正常后，取下紫外探测器，将其放在辐照室内开始辐照试验，直至达到预定的最大辐照注量，停止辐照，结束辐照试验，利用已有参数计算方法，结合采集的图像计算出暗电流、输出信号、暗电流噪声、响应率、探测率和缺陷像元本发明实现了紫外探测器的质子位移效应辐照测试，可靠性高、装置连接简单、操作方便、方法简单易行。本发明所涉及的装置具有体积小、重量轻、便携等特点，可实现异地紫外探测器性能参数测试，满足紫外探测器质子位移效应辐照试验的要求。
一种基于紫外探测器质子位移效应辐照试验测试方法

[发明专利]一种紫外防伪光电探测器条码扫描仪芯片及其制备方法、扫描枪-CN201910236040.9在审
发明人：邓华林;赵刘洋;谢航;张希 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开紫外防伪光电探测器条码扫描仪芯片及其制备方法、扫描枪，所述紫外防伪光电探测器条码扫描仪芯片光电探测器，所述光电探测器包括由外壳与滤光片形成的封装结构，以及设置在封装结构内的光电传感器，所述光电传感器包括从下至上依次叠层设置的第一电极本发明的紫外防伪高灵敏光电传感器条码扫描芯片提高了光电探测器采集微弱光线的能力，并且光电响应范围可从红外光到紫外光，可应用于紫外防伪领域。
光电探测器紫外防伪条码扫描仪芯片光电传感器封装结构扫描枪制备红外光高灵敏光电传感器第二电极第一电极碘化亚铜光电响应条码扫描微弱光线紫外光氮化硼硅衬底滤光片单层叠层薄膜采集应用

[发明专利]一种可见-紫外双色探测器-CN202011337520.3有效
发明人：张云霄;李爱民;张远祥 -专利权人：天津津航技术物理研究所
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电探测器技术领域，具体涉及一种可见‑紫外双色探测器，所述可见‑紫外双色探测器采用纵向集成结构，包括nGaN衬底、n型GaN接触层、下金属电极、AlGaN匹配层、AlGaN紫外吸收层、二维氮化硼薄膜势垒层该探测器中两种波段的探测器具有自下而上的集成结构，可以通过控制偏压实现可见、紫外双色探测，降低虚警率，减小了器件尺寸，降低了制备工艺和探测系统的复杂性。
一种可见紫外探测器