专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种甲基丙烯酰氧基硅烷与铝酸酯复合改性白云母粉的方法-CN200810045636.2无效
  • 叶巧明;汪灵;林金辉;刘菁 - 成都理工大学
  • 2008-07-25 - 2008-12-17 - C09C1/28
  • 本发明涉及采用一种γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷偶联剂和铝酸酯偶联剂复合改性白云母粉的工艺方法。以白云母粉为原料,以γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷偶联剂和铝酸酯偶联剂为改性剂,利用机械力化学改性法,通过γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷偶联剂和铝酸酯偶联剂之间的相互缠绕和交联作用对白云母粉进行复合改性复合改性后的白云母粉与用单一γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷偶联剂改性或单一铝酸酯改性的白云母粉相比,复合改性的白云母粉与有机聚合物的相容、加工流动和分散得到明显改善。同时改性白云母产品的红外吸收光谱表明γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷偶联剂与铝酸酯偶联剂已经包覆在白云母粉体表面,并以一定的方式与白云母粉体物料发生了偶联活化作用。
  • 一种甲基丙烯酰氧基硅烷铝酸酯复合改性白云方法
  • [发明专利]一种氨基硅烷与铝酸酯复合改性白云母粉的方法-CN200810045634.3无效
  • 叶巧明;汪灵;刘菁;林金辉;邓晓东;李长志 - 成都理工大学
  • 2008-07-25 - 2008-12-17 - C09C1/28
  • 本发明涉及采用一种γ-氨丙基三乙氧基硅烷偶联剂和铝酸酯偶联剂复合改性白云母粉的工艺方法。以白云母粉为原料,以γ-氨丙基三乙氧基硅烷偶联剂和铝酸酯偶联剂为改性剂,利用机械力化学改性法,通过γ-氨丙基三乙氧基硅烷偶联剂和铝酸酯偶联剂之间的相互缠绕和交联作用对白云母粉进行复合改性。复合改性后的白云母粉与用单一γ-氨丙基三乙氧基硅烷偶联剂改性或单一铝酸酯改性的白云母粉相比,复合改性的白云母粉与有机聚合物的相容、加工流动和分散得到明显改善。同时改性白云母产品的红外吸收光谱表明γ-氨丙基三乙氧基硅烷偶联剂与铝酸酯偶联剂已经包覆在白云母粉体表面,并以一定的方式与白云母粉体物料发生了偶联活化作用。
  • 一种氨基硅烷铝酸酯复合改性白云方法
  • [发明专利]表征背缺陷的方法-CN201310745789.9在审
  • 刘孜谦;谭孝林;高燕 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-12-30 - 2015-07-01 - H01L21/66
  • 一种表征背缺陷的方法,包括:提供圆,圆包括圆正面和圆背面,圆背面具有背缺陷;提供终端,在终端建立第一坐标和第二坐标,第一坐标和第二坐标系为同一坐标;将圆正面的芯片分布图输入终端并显示在第一坐标中形成芯片地图;获取背图片,并将背图片显示在第二坐标中;在背图片对应背缺陷的位置形成缺陷标记,终端记录缺陷标记在第二坐标中的坐标;根据缺陷标记的坐标,在第一坐标的芯片地图上标记缺陷芯片,缺陷芯片与背缺陷对准在封装过程,根据缺陷芯片位置避开背缺陷,降低圆破裂的风险。并且,将切割得到的缺陷芯片舍弃掉而避免造成极大浪费,节约生产成本。
  • 表征缺陷方法
  • [发明专利]NdFeB烧结磁体的制造方法-CN201380039498.6有效
  • 佐川真人;沟口彻彦;宇根康裕 - 因太金属株式会社
  • 2013-06-27 - 2017-11-28 - H01F41/02
  • 本发明的课题在于提供一种制造NdFeB烧结磁体的方法,所述NdFeB烧结磁体在用作界扩散法的基材时RH容易穿过富稀土相而扩散,进而基材自身的矫顽力高。该方法具备如下工序氢破碎工序(步骤S1)通过使NdFeB合金块吸存氢来将该NdFeB合金块粗破碎,由此制作粗粉末;粉碎工序(步骤S2)通过进一步粉碎该粗粉末而制作粉末;填充工序(步骤S3)将该粉末填充到填充容器中;取向工序(步骤S4)在将粉末填充在填充容器中的状态下进行取向;烧结工序(步骤S5)在将取向工序后的粉末填充在填充容器中的状态下进行烧结;进行从氢破碎工序到取向工序为止的各工序时,均不进行用于使该氢破碎工序中吸存的氢脱离的脱氢加热和抽真空
  • ndfeb烧结磁体制造方法
  • [发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN202110131532.9在审
  • 不公告发明人 - 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙)
  • 2021-01-30 - 2021-09-14 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法,所述太阳能电池包括N型硅片基底;第一本征非硅层,所述第一本征非硅层设置于所述N型硅片基底的至少一侧;硅层,所述硅层设置于所述第一本征非硅层远离所述N型硅片基底的一侧;氮化硅层,所述氮化硅层设置于所述硅层远离所述N型硅片基底的一侧;以及第一电极层,所述第一电极层设置于所述硅层的外表面,并且所述第一电极层穿过所述氮化硅层与所述硅层电接触。本发明采用硅层代替原有的非硅层和透明导电层,并在硅层上设置氮化硅层,既保证了表面透光,减少了光的反射,又保证了表面的导电,还能够降低寄生吸收,提高了太阳能电池的发电效率。
  • 一种太阳能电池及其制备方法

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