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- [发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202011350160.0在审
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杨柏宇
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联华电子股份有限公司
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2020-11-26
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2022-05-27
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H01L29/778
- 本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一第一III‑V族化合物层，一第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上，第二III‑V族化合物层的组成与第一III‑V族化合物层不同，一栅极设置于第二III‑V族化合物层上，其中栅极包含一第一P型III‑V族化合物层、一未掺杂III‑V族化合物层和一N型III‑V族化合物层由下至上依序堆叠，第一P型III‑V族化合物层、未掺杂III‑V族化合物层、N型III‑V族化合物层和第一III‑V族化合物层由相同的第III族和第V族元素所组成的化合物，一源极电极设置于栅极的一侧，一漏极电极设置于栅极的另一侧，一栅极电极设置栅极的正上方
- 电子迁移率晶体管及其制作方法
- [发明专利]溶液淀积硫族化物薄膜-CN200410038606.0有效
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D·B·米特兹
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国际商业机器公司
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2004-04-27
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2005-02-09
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H01L21/20
- 淀积金属硫族化物膜的方法。该方法的第一种包括：将至少一种金属硫族化物，肼化合物，以及可选的硫族元素相接触，制备金属硫族化物基前体溶液；将金属硫族化物基前体溶液施加到衬底上制成前体膜；将此前体膜退火，去除多余的肼和硫族化物盐，在衬底上制成金属硫族化物膜。第二种方法包括：将至少一种金属硫族化物和胺化合物的盐相接触，制备该金属硫族化物铵基前体；将金属硫族化物铵基前体，肼化合物，以及可选的硫族元素相接触，制备金属硫族化物在这种肼化合物中的基前体溶液；将金属硫族化物还提供使用金属硫族化物膜沟道层的薄膜场效应晶体管器件。
- 溶液淀积硫族化物薄膜
- [发明专利]层叠管-CN201880063069.5有效
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坪井一俊;中村孝治;楠本孝明;堂山大介
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宇部兴产株式会社
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2018-09-12
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2022-02-25
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B32B1/08
- 提供一种层叠管，其具有：包含特定的脂肪族聚酰胺组合物的层、以及包含半芳香族聚酰胺组合物的层，所述半芳香族聚酰胺组合物含有具有特定结构的半芳香族聚酰胺或其混合物，该两层邻接，其中，脂肪族聚酰胺组合物包含：熔点为特定值以下、且亚甲基数相对于酰胺基数的比为特定值以上的脂肪族聚酰胺、和与该脂肪族聚酰胺的溶解度参数SP值之差的绝对值处于特定范围的脂肪族聚酰胺、以及含有由具有羧基和/或酸酐基的不饱和化合物衍生的结构单元的弹性体聚合物
- 层叠
- [发明专利]具有集成保护功能的III-V族半导体器件-CN202080048477.0在审
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弗洛林·乌德雷亚;洛伊佐斯·埃夫蒂米乌;焦尔贾·隆戈巴尔迪;马丁·阿诺德
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剑桥氮化镓器件有限公司
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2020-05-07
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2022-02-18
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H01L27/085
- 公开了一种基于III族氮化物半导体的异质结功率器件，其包括形成在衬底上的第一异质结晶体管(19)，该第一异质结晶体管包括：第一III族氮化物半导体区，其形成在该衬底上，其中该第一III族氮化物半导体区包括第一异质结，该第一异质结包括第二导电类型的至少一个二维载流子气；第一端子(8)，其操作性地连接至该第III族氮化物半导体区；第二端子(9)，其与该第一端子横向间隔开并且操作性地连接至该第一III族氮化物半导体区；该器件亦包括形成在衬底上的第二异质结晶体管(14)，该第二异质结晶体管包括：第二III族氮化物半导体区，其形成在该衬底上，其中该第二III族氮化物半导体区包括第二异质结，该第二异质结包括第二导电类型的至少一个二维载流子气，其形成在该第三端子与该第四端子之间的该第二III族氮化物半导体区上，并且其中该第二异质结晶体管用于该第一功率异质结晶体管的感测及保护功能中。该器件亦包括具有与第一异质结晶体管的结构实质上相同的至少一个单片集成式电流感测晶体管(16)，并且其中该第三晶体管依比例因子X相较于该第一异质结晶体管缩放至较小面积或较短栅极宽度，其中X大于1。
- 具有集成保护功能iii半导体器件
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