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[发明专利]由塑料材料制造的镀金属的部件-CN03815147.2无效
发明人： A·法雷斯－卡拉姆 -专利权人： FCI公司
申请日： 2003-06-06 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H05K3/18 文献下载
摘要：为了对由熔融温度高于180℃的高温聚合物制造的载体镀金属，已显示可以进行清洁、等离子体蚀刻、接枝和其后在镀金属浴中镀金属的步骤。根据本发明，使镀金属浴达到50℃至70℃的温度，所述的等离子体为含氮的等离子体。
塑料材料制造镀金部件

[发明专利]在由塑料材料制造的载体介质上镀金属的方法-CN03817274.7无效
发明人： A·法雷斯·卡拉姆 -专利权人： FCI公司
申请日： 2003-06-06 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： C23C18/16 文献下载
摘要：为了对由熔融温度高于180℃的高温聚合物制造的载体镀金属，已显示可以进行清洁、等离子体蚀刻、接枝和其后在镀金属浴中镀金属的步骤。根据本发明，使镀金属浴达到50℃至70℃的温度，所述的等离子体为含氮的等离子体。
塑料材料制造载体介质镀金方法

[发明专利]清洁碳化硅半导体的方法和用于清洁碳化硅半导体的装置-CN201180004208.5无效
发明人：宫崎富仁;和田圭司;日吉透 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种清洁SiC半导体的方法，所述方法包括在碳化硅半导体(1)的表面上形成氧化膜(3)的步骤(步骤S2)和除去所述氧化膜(3)的步骤(步骤S3)。在所述除去所述氧化膜(3)的步骤(步骤S3)中，使用卤素等离子体或氢等离子体除去所述氧化膜(3)。在所述除去所述氧化膜(3)的步骤(步骤S3)中，优选使用氟等离子体作为卤素等离子体。能够对所述SiC半导体(1)进行清洁，使得实现良好的表面特性。
清洁碳化硅半导体方法用于装置

[发明专利]一种带有成角度侧壁的静电卡盘-CN201080053942.6无效
发明人：拉金德尔·德辛德萨;普拉蒂克·曼克迪;克里斯·金柏 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种用于等离子体处理室的基板支承组件，该组件在上部边缘具有成角度侧壁。在等离子体处理过程中，基板被边缘环围绕，该基板被支承在该基板支承组件的上部基板支承组件的表面上，边缘环位于该基板下面。在等离子体处理过程中，成角度侧壁是基板支承组件暴露的并且会沉积副产物沉积物的唯一表面。在原位室清洁过程中，成角度侧壁提高了副产物沉积物的溅射率，其中被供应至室的清洁气体被激发成等离子体状态以清洁副产物沉积物。
一种有成角度侧壁静电卡盘

[发明专利]一种等离子体处理装置和处理方法-CN202011597581.3在审
发明人：周艳;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置及处理方法，包括一反应腔，所述反应腔包括：进气装置，用于向所述反应腔输送清洁气体；射频电源，用于将所述清洁气体解离为清洁等离子体；清洁晶圆，具有第一直径；静电吸盘，用于承载所述清洁晶圆本发明在清洁步骤中采用与静电吸盘110尺寸相接近的清洁晶圆覆盖静电吸盘表面，能够有效降低清洁等离子体对静电吸盘上表面的损害程度，同时，清洁晶圆不会对聚焦环的第二上表面134和聚焦环与静电吸盘之间的缝隙造成遮挡，使得清洁等离子体能有效清除聚焦环第二上表面和缝隙内的沉积物。
一种等离子体处理装置方法

[实用新型]一种等离子体处理装置-CN202023252329.7有效
发明人：周艳;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体处理装置，包括一反应腔，所述反应腔包括：进气装置，用于向所述反应腔输送清洁气体；射频电源，用于将所述清洁气体解离为清洁等离子体；清洁晶圆，具有第一直径；静电吸盘，用于承载所述清洁晶圆本实用新型在清洁步骤中采用与静电吸盘110尺寸相接近的清洁晶圆覆盖静电吸盘表面，能够有效降低清洁等离子体对静电吸盘上表面的损害程度，同时，清洁晶圆不会对聚焦环的第二上表面134和聚焦环与静电吸盘之间的缝隙造成遮挡，使得清洁等离子体能有效清除聚焦环第二上表面和缝隙内的沉积物。
一种等离子体处理装置

[发明专利]等离子体清洗气体和等离子体清洁方法-CN02802843.0有效
发明人：关屋章;三井有规;大平丰;米村泰辅 -专利权人：财团法人地球环境产业技术研究机构;独立行政法人产业技术总合研究所
申请日： 2002-08-26 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：如本发明所述的CVD室的等离子体清洗气体是一种在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用于清洁CVD室内壁表面和部件表面上含硅沉积物的气体。这种清洗气体含有占体积100％的氟气，通过放电可以使它产生等离子体。当占体积100％的氟气通过放电产生等离子体并将用作清洗气体时，即便总气体流量为1000sccm同时室压为400Pa，仍可以得到特别突出的腐蚀速度并可以进一步稳定地产生等离子体。此外，在上述条件下还可以保证清洁的均一性。另外，氟气的含量为100％，故而设备并不复杂，因此这种清洗气体有很好的实用性。
等离子体清洗气体清洁方法

[发明专利]清洁方法-CN201980037752.6在审
发明人：伊藤聪;野上隆文;横仓瑛太;松本玲佐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种微波等离子体处理装置的清洁方法，该微波等离子体处理装置具有处理容器和微波辐射部，且在所述处理容器的配置所述微波辐射部的位置形成有窗部，该清洁方法包括清洁工序，在该清洁工序中，一边供给清洁气体，一边调整为与包括所述处理容器的壁面、所述微波辐射部以及所述窗部的所述处理容器内的配件中的作为清洁对象的配件的尺寸对应的压力，并通过清洁气体的等离子体来进行清洁。
清洁方法

[发明专利]清洁方法和等离子体处理方法-CN201680021741.5有效
发明人：久保卓也;康松润;霜田惠一;大石哲也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-05-02 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种清洁方法，用于清洁对含有金属的膜进行蚀刻的基板处理装置，该清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，利用从含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含碳堆积物；第二清洁工序，在所述第一清洁工序之后，利用从非活性气体生成的等离子体来去除含金属的堆积物；以及第三清洁工序，在所述第二清洁工序之后，利用从含有含氟气体和含氧气体的气体生成的等离子体来去除含硅堆积物。
清洁方法等离子体处理

[发明专利]一种等离子体灭火装置-CN201210356522.6有效
发明人：向俊光;吴征威 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： A62C5/00 文献下载
摘要：一种等离子体灭火装置，由外壳和内部电路组成，内部电路包括传感器、中央处理分析电路、电压控制电路、外部控制电路和等离子体发生装置；传感器探测包括温度、气压和风力的环境条件，将数据传到中央处理分析电路，中央处理分析电路进行处理和分析，发出指令，电压控制电路接收到指令后调节等离子体发生装置的电压，或者由操作人员根据自己的判断调节等离子体发生装置的电压，等离子体发生装置采用射频预电离的方法对气体进行预电离，然后再采用介质阻挡放电的方式对已经预电离的气体进行放电击穿，形成等离子体气流，作用于火焰，实现安全、清洁、高效地灭火，同时达到灵活控制等离子体装置产生合适的等离子体气流以提高灭火效率的目的。
一种等离子体灭火装置

[实用新型]模块化的等离子体处理装置-CN201520299212.4有效
发明人：李晋昭;王世雄;刘育杰 -专利权人：俊尚科技股份有限公司
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种模块化的等离子体处理装置，其设置于真空腔体内，其包含多个等离子体模块、上基载具及下基载具。每个等离子体模块包含上可拆卸件与下可拆卸件，且每个等离子体模块具备一个功能，这些功能彼此相异。上基载具包含载座，上基载具连接真空腔体，且上可拆卸件能够依据其中一个功能连接载座。此外，这些等离子体模块能够依据功能变换而彼此置换。借此，通过置换不同功能的等离子体模块来实现共用单一载具及多重功能，可发挥等离子体清洁、等离子体蚀刻、PVD镀膜或CVD镀膜功能。
模块化等离子体处理装置

[发明专利]用于生成气态核素的设备-CN201080061662.X无效
发明人： T.B.霍尔贝切 -专利权人：兰德股份公司
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种用于生成非热气态等离子体的设备（10），所述非热气态等离子体可以是从该设备发射的气态等离子体喷流形式的气态等离子体流。所述设备包括气舱或压力容器（12），用于将一种或多种气体（14）保持在压力下并在从气舱释放时形成通过等离子体发生器（16）到施用器（18）的气流。从气舱释放的气体在反应发生器内被激励以形成气态等离子体。该设备具有用于所述等离子体发生器（16）、电池（116）和信号发生器（58）的外壳（28），信号发生器（58）用于激励等离子体发生器。所述设备适于通常通过气舱（12）而被手持，并被操作以允许其用于例如清洁和增白牙齿。
用于生成气态核素设备

[发明专利]一种与喷灌系统结合的光伏能源等离子体固氮装置-CN202310622525.8在审
发明人：邹丹旦;胡平子;潘建兵;谢荣华 -专利权人：华东交通大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： A01C23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种与喷灌系统结合的光伏能源等离子体固氮装置，包括光伏交直流电源系统、高压喷灌系统及等离子体放电装置、空气自吸入装置、三通腔导流装置、喷头引流装置。所述光伏交直流电源系统同时为喷灌系统和等离子体固氮装置提供电能，所述等离子体放电装置置于等离子体放电腔内，由高压直流电离空气，使氮气分子中的键受到破坏而发生离散，经过一系列化学反应生成含氮元素的硝酸盐。本发明由光伏取能装置提供清洁能源，结合现代电力电子技术实现电能的变换，与浇灌过程智能协同，等离子体放电模拟自然雷电环境实现人工固氮，充分利用可再生能源为智慧生态循环立体农业提供清洁型化肥。
一种喷灌系统结合能源等离子体固氮装置

[发明专利]清洁处理腔室的方法-CN202080017849.3在审
发明人： B·S·权;许璐;P·K·库尔施拉希萨;S·李;D·H·李;K·D·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本公开的实施方式大致关于清洁半导体处理腔室的方法。在一个实施方式中，一种清洁沉积腔室的方法包括以下步骤：将含氮气体流至沉积腔室内的处理区域中；利用射频功率在处理区域中冲击等离子体；将清洁气体引入流体连接至沉积腔室的远程等离子体源；在远程等离子体源中产生清洁气体的反应物质；将清洁气体引入沉积腔室；以及以不同蚀刻速率移除在沉积腔室的内部表面上的沉积物。
清洁处理方法

[发明专利]具有控制施于基材上的等离子体偏压能力的连续腔体制程设备-CN201210018827.6有效
发明人：李文杰 -专利权人：李文杰
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种具有控制施于基材上的等离子体偏压能力的连续腔体制程设备，该设备上有一腔体，适用等离子体制程，该腔体包括以下组件：电极、基材载具、传动装置，该电极可放置于两个位置，其第一位置使电极与基材载具电性脱离，本发明具有降低流入基材瞬间电流的功能，且能够控制等离子体加诸于基材上的偏压，因此能保护基材表面，特别适合作为干蚀刻制程之用。其它非使用等离子体作为干蚀刻制程的用者(如PECVD，等离子体辅助化学蒸气蒸镀)，或使用等离子体但不是作镀膜使用(如等离子体清洁，plasma clean)等，亦可应用本发明，使其同时具备高效率的等离子体辅助制程与其它的特点
具有控制基材等离子体偏压能力连续体制设备