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[发明专利]ARTMS阱中的痕量气体浓度-CN201380024283.7有效
发明人： G·A·布鲁克尔;T·C·斯文尼;G·J·拉斯邦 -专利权人： MKS仪器公司
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种检测离子阱中特定气体种类的方法，所述特定气体种类最初为一定量的气体中第一低浓度的痕量组分，所述方法包括离子化包含所述特定气体种类的气体从而产生特定离子种类。所述方法还包括产生将所述特定离子种类限制于离子阱中的轨道的静电势。所述方法还包括用具有激发频率的AC激发源激发受限的特定离子种类、扫描AC激发源的激发频率以从所述离子阱中逐出所述特定离子种类、和检测所逐出的特定离子种类。所述方法还包括在扫描逐出所述特定气体种类的离子的激发频率之前，相对于所述第一低浓度增大所述离子阱内所述特定离子种类的浓度。
art ms 中的痕量气体浓度

[发明专利]喷嘴，包括该喷嘴的布置结构、等离子炬头、激光切割头、等离子激光切割头和等离子炬，用于等离子切割、激光切割和等离子激光切割的方法-CN201880074623.X在审
发明人：瓦蒂姆·港瑟;沃尔克·克里克;蒂莫·格伦达克;弗兰克·劳里斯星 -专利权人：卡尔伯格-基金会
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： B23K10/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于等离子电弧炬头、激光切割头或等离子激光切割头的喷嘴，由这种类型的喷嘴及喷嘴保护帽构成的组件，由这种类型的喷嘴及电极构成的组件，包括这种类型的喷嘴和/或这种类型的组件的等离子电弧炬头、激光切割头或等离子激光切割头，包括这种类型的等离子电弧炬头的等离子炬，包括这种类型的喷嘴和/或这种类型的组件的激光切割头，包括这种类型的喷嘴和/或这种类型的组件的等离子激光切割头，使用等离子炬的等离子切割方法，使用激光切割头的激光切割方法以及使用等离子激光切割头的等离子激光切割方法
喷嘴包括布置结构等离子激光切割用于方法

[发明专利]利用稀释气体的乙烷植入-CN200980104352.9有效
发明人：奎格·R·钱尼;阿多夫·R·多利;克里斯多夫·R·汉特曼;艾力克斯恩德·S·培尔 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2009-02-11 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：为了植入含碳种类，在离子室中离子化含碳气体。这些气体的离子化通常会产生许多离子化种类。然而，许多这些所产生的离子化种类对于想要的植入无益，因为他们仅包含非碳原子。在进行植入之前必须消除这些种类，而仅留下基于碳的种类。然而，想要的种类的电流可能很低，因此需藉由额外的能量或时间才能将想要的剂量的碳植入基底。此可藉由使用第二气体来改善。此第二气体用来稀释将于离子室中离子化的主要的含碳气体。藉由结合此稀释气体，更多的所产生的离子化种类对于碳植入有利。
利用稀释气体乙烷植入

[发明专利]结合具有可选择离子的聚焦离子束柱使用的感应耦合等离子体离子源-CN201210514925.9无效
发明人： A.格劳佩拉;C.奥迪斯 -专利权人： FEI公司
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及结合具有可选择离子的聚焦离子束柱使用的感应耦合等离子体离子源。在等离子体腔中具有多种气体的感应耦合等离子体源向聚焦的柱提供多个离子种类。滤质器允许选择特定离子种类以及在各个种类之间快速地改变。
结合具有可选择离子聚焦离子束使用感应耦合等离子体离子源

[发明专利]使用改进的多离子注入工艺制造的半导体结构-CN201180055604.0无效
发明人： S·切瑞克德简 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：方法和装置提供：等离子体的第一源，其中所述等离子体包括第一种类的离子，等离子体的第二源，其中所述等离子体包括第二种类的离子，从所述第一和第二源选择所述等离子体；以及将所述第一种类的离子或所述第二种类的离子朝着半导体晶片加速
使用改进离子注入工艺制造半导体结构

[实用新型]一种用于快速区分离子交换膜所带电荷种类的装置-CN201720725900.1有效
发明人：李启明;王仲宇;张学敏;李艳红;邹信;张亚涛 -专利权人：兰州交通大学
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：离子交换膜按照所带电荷种类不同，分为阴阳两种离子交换膜。不同厂家生产的离子交换膜所带电荷种类一般依据颜色区分，然而离子交换膜颜色种类繁多，容易混淆、不易区分；且在氧化环境中离子交换膜很容易褪色，此时很难辨别离子交换膜所带的电荷种类。本实用新型提供一种用于快速区分离子交换膜电荷种类的装置，该装置由钳体、测试探头、加压管、测量系统四个主要部分组成。通过固定在钳体上的两个测试探头夹在膜两侧，在形成的导通体系中，由浓差电位形成的阴/阳离子定向移动，产生不同方向的电流，进而确定离子交换膜所带电荷种类。本实用新型填补了没有快速测定离子交换膜所带电荷种类装置的空白，简便快速、稳定可靠、易于携带、制作成本低。
离子交换膜电荷本实用新型测试探头钳体测量系统定向移动快速测定氧化环境种类装置差电位加压管阳离子导通褪色混淆辨别填补携带制作生产

[发明专利]多种类离子源-CN201380033434.5有效
发明人： G.A.施温德;N.W.帕克 -专利权人： FEI公司
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：具有气体腔室的高亮度离子源包括多个通道，其中，多个通道各自具有不同的气体。使电子射束穿过通道之一以提供某些种类的离子用于处理样本。能够通过将电子引导到具有不同的气体种类的另一个通道中并且利用第二种类的离子处理样本来快速地改变离子种类。偏转板用于将电子射束对准到气体腔室中，借此允许快速地切换聚焦离子射束中的气体种类。
多种离子源

[发明专利]一种利用特征X射线鉴别重离子种类的实验方法-CN202211285751.3在审
发明人：赵树勇;郭刚;隋丽;刘建成;陈启明 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用特征X射线鉴别重离子种类的实验方法，属于重离子种类鉴别技术领域，该方法包括以下步骤：S1、根据待鉴别的重离子种类，选择合适的碰撞靶材；S2、根据待鉴别的重离子和靶材产生的Kα‑X射线能量之差，选择合适的X射线探测器；S3、使用标准放射源对探测器进行能量刻度；S4、将碰撞靶材安置在真空靶室内，将X射线探测器安置在真空靶室的透明窗位置，开始进行特征X射线能量测量；S5、将实验测得的重离子特征X射线能量与查询所得的重离子特征X射线能量数据进行比较，从而鉴别出重离子种类。本发明提供的方法利用不同原子产生的特征X射线能量不同来鉴别混合离子源产生的离子种类，确保实验所使用的重离子种类。
一种利用特征射线鉴别离子种类实验方法

[发明专利]用于离子注入器的高传输,低能量离子束管线结构-CN00813878.8有效
发明人：安东尼·丽奥 -专利权人：瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2000-09-18 - 公布日： 2002-10-30 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：离子束装置包括离子源,第一磁铁组件,界定分辨孔的结构,和第二磁铁组件。离子源狭长的排出孔,用来产生带状离子束。第一磁铁组件提供第一磁场,用来偏转垂直于带状离子束横截面的长边的离子束,在第一磁场中将带状离子束中的不同种类的离子分离。分辨孔从分离的离子束中选取离子种类。第二磁铁组件提供第二磁场,用来偏转在平行于带状离子横截面的长边的离子束中所选取离子种类的离子,以产生在带状离子束中选取离子种类的所需离子轨迹。优选地,所需离子轨迹基本上是平行的。在通过大部分离子束管线时带状离子束的宽度是增加的。因此,低能量性能被加强。
用于离子注入传输能量离子束管线结构

[发明专利]具有双抽吸模式的离子植入装置及其方法-CN200780049119.6有效
发明人：乔纳森·吉罗德·英格兰;克里斯多夫·R·汉特曼;杰·汤玛斯·舒尔;约瑟·C·欧尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2007-11-08 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于产生原子或分子离子束的具有双抽吸模式的离子植入装置及其方法。在一个特定示范性实施例中，提供一种离子植入设备，其用于控制对应于所产生的离子束种类的离子束源外壳内的压力。离子植入设备可包含离子束源外壳，其包括用于离子束产生的多个种类。还可包含抽吸区段，用于从离子束源外壳排放气体。可进一步包含控制器，用于根据对应于用于离子束产生的多个种类中的一种类的抽吸参数来控制抽吸区段。
具有抽吸模式离子植入装置及其方法

[发明专利]质谱测定法中的多离子注入-CN201310011734.5有效
发明人： A·A·马卡洛夫;O·朗格;S·R·霍宁 -专利权人：萨默费尼根有限公司
申请日： 2006-05-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01J49/42 文献下载
摘要：本发明涉及在质量分析的至少一个阶段中包括离子捕获的质谱测定法。尤其，虽然并非专有地，本发明涉及分析前体离子和碎片离子的串联质谱测定法。提供了一种质谱测定方法，该方法包括下列相继的步骤：在离子存储器中积累待分析的一种类型的离子的样品；在离子存储器中积累待分析的另一种类型的离子的样品；以及对经组合的离子样品进行质量分析；其中该方法包括基于各类型的离子的以前测量结果来积累一种类型的离子的样品和/或另一种类型的离子的样品以达到离子的目标数量。
测定法中的离子注入

[发明专利]质谱测定法中的多离子注入-CN200680024311.5有效
发明人： A·A·马卡洛夫;O·朗格;S·R·霍宁 -专利权人：萨默费尼根有限公司
申请日： 2006-05-31 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01J49/42 文献下载
摘要：本发明涉及在质量分析的至少一个阶段中包括离子捕获的质谱测定法。尤其，虽然并非专有地，本发明涉及分析前体离子和碎片离子的串联质谱测定法。提供了一种质谱测定方法，该方法包括下列相继的步骤：在离子存储器中积累待分析的一种类型的离子的样品；在离子存储器中积累待分析的另一种类型的离子的样品；以及对经组合的离子样品进行质量分析；其中该方法包括基于各类型的离子的以前测量结果来积累一种类型的离子的样品和/或另一种类型的离子的样品以达到离子的目标数量。
测定法中的离子注入

[发明专利]对肽进行复用MS-3分析的方法-CN201911119568.4有效
发明人： P·M·瑞莫斯 -专利权人：萨默费尼根有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N27/623 文献下载
摘要：一种方法包括：获得具有式[M+2A]2+的目标前体离子的前体质荷比值(m/z)p，M是肽分子并且A是一种或多种加合物；通过离子源从样品生成离子；纯化和碎裂包含(m/z)p的离子，因而生成多个MS‑2种类；共纯化和共碎裂MS‑2种类的所选择的子集，从而生成多个MS‑3种类，其中每个所选择的MS‑2种类是包含大于(m/z)p的相应(m/z)f的y型离子种类；质谱分析MS‑3种类并选择其子集，每个所选择的MS‑3种类包含满足质荷比选择标准的相应(m/z)g；以及从对应于所选择的MS‑3种类的质谱强度的总和确定肽的量。
进行 ms 分析方法

[发明专利]离子注入机清洁方法-CN201911375758.2有效
发明人：曹志伟;郑刚;马富林 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及离子注入工艺中的离子注入机清洁方法。包括：确定离子注入过程中的在前离子源种类和待转换离子源种类；施加电场，根据在前离子源种类，向离子注入机中通入第一处理气体，使得第一处理气体电离形成第一处理离子束；使得第一处理离子束对离子注入机的反应室进行第一阶段清洁处理；根据待转换离子源种类，向离子注入机中通入第二处理气体，使得第二处理气体电离形成第二处理离子束；使得第二处理离子束照射离子注入机的反应室和管路，对离子注入机的反应室和管路进行第二阶段清洁处理。本发明根据离子源种类，向离子注入机中通入不同的清洁气体，可以解决相关技术难以适应各种离子注入过程中的清洁需求问题。
离子注入清洁方法

[发明专利]使用改进的伪同步多离子注入工艺制作的半导体结构-CN201180055474.0有效
发明人： S·切瑞克德简 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：方法和装置提供了下列：同时产生包括第一种类离子的第一等离子体和包括不同的第二种类的离子的第二等离子体的源（152）；包括分析器磁体（180）的加速器系统（170），它们合作以同时：(i)沿着初始轴（A0）加速来自第一和第二等离子体的第一和第二种类离子，(ii)改变来自第一等离子体的第一种类离子的轨迹，从而产生沿着与初始轴横切的第一轴（A1）的至少一个第一离子束，以及(iii)改变来自第二等离子体的第二种类离子的轨迹，从而产生沿着与初始轴和第一轴横切的第二轴（A2）的至少一个第二离子束；波束处理系统（250），操作以同时将第一和第二离子束朝着半导体晶片（120）引导，使得第一和第二种类的离子轰击半导体晶片的注入表面
使用改进同步离子注入工艺制作半导体结构

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