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[发明专利]一种提高乳液粘度的非离子表面活性剂复配物及制备方法-CN201110355611.4有效
发明人：许海燕;陈程;郭卫红;郭奕光;王群;徐南伟 -专利权人：华东理工大学;上海家化联合股份有限公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： B01F17/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高乳液粘度及增加乳液稳定性的非离子表面活性剂复配物，该复配物是由非离子型聚氧乙烯系列高分子表面活性剂与非离子型小分子表面活性剂复配而成，其中，非离子型聚氧乙烯系列高分子表面活性剂1～20wt％、非离子型小分子表面活性剂1～20wt％、油1～40wt％作为油相，去离子水50～90wt％作为水相，将水相加入油相，加热乳化制得。
一种提高乳液粘度离子表面活性剂复配物制备方法

[发明专利]咪唑类离子液体接枝SPEEK质子交换膜材料及其制备方法-CN201110431334.0有效
发明人：郭强;李丹;李夏;谭孝林;张经毅 -专利权人：上海大学
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： C08G65/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种咪唑类离子液体接枝SPEEK质子交换膜的制备方法。各种反应物组成及比例为：磺化度DS为30~90的SPEEK：70.0%~99.5%；咪唑类离子液体：0.5%~30.0%。本发明有以下优点：1.操作简单，采用中等磺化度的SPEEK作为基体材料，以克服过高磺化度SPEEK存在的吸水率过高，复合膜稳定性较差的缺点，并保证复合膜具有一定的机械强度；2.离子液体本身具有导电性、难挥发、电化学稳定窗口比其它电解质水溶液大等特点，采用咪唑类离子液体接枝的方式，使SPEEK基体与离子液体之间发生化学接枝作用，不仅降低离子液体在SPEEK基体中的流失率，同时也能提高质子交换膜的电导率，以提高复合膜的综合性能
咪唑离子液体接枝 speek 质子交换材料及其制备方法

[发明专利]一种应用三苯胺类染料检测氰根离子的方法-CN201510799955.2有效
发明人：瞿金清;杨小东;刘瑞源 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用三苯胺类染料检测氰根离子的方法。将三苯胺类染料溶解在亲水性有机溶剂中，制备得到三苯胺类染料储备液，取三苯胺类染料储备液用水稀释后得到含三苯胺类染料水溶液；(2)滴加待检测样品，在波长为365nm光激发下，观察水溶液荧光是否淬灭，如果溶液荧光淬灭，则说明样品中含有氰根离子、亚硫酸根离子或三价铁离子，进一步通过核磁共振氢谱辅助区分，确定是否含有氰根离子。本发明方法具有高选择性和敏感性，基本不受其它阴离子的干扰；检出限低，可达ppb级别；响应迅速，5min以内；检测成本低和操作简单等优势。
一种应用苯胺染料检测离子方法

[发明专利]一种含银离子基托材料及含银离子基托的制作方法-CN201110195327.5有效
发明人：周翔君;唐晓晨;杜祖敏;孟旭东;易柳香 -专利权人：上海医疗器械股份有限公司齿科材料厂
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： A61K6/083 文献下载
摘要：本发明涉及一种含银离子基托材料及含银离子基托的制作方法。该基托包括使用无银离子的普通基托材料及牙托水制作一个基础基托，在基础基托1的组织面上打磨去除2mm厚度，在打磨后的组织面部位覆盖上述含银离子基托材料及牙托水并重新压模加热制得厚度为2mm的含银离子基托层所述的含银离子基托材料由抗菌剂0.05-1重量份、基托粉剂51-59重量份和牙托水41-49重量份组成。它不但进一步提高了材料使用时的安全性，而且使材料的光学性能无变化。
一种银离子材料制作方法

[发明专利]一种直接接触大气的防尘防霜光学望远镜系统-CN201110201302.1有效
发明人：窦贤康;孙东松;王晶晶;夏海云;舒志峰;胡冬冬;薛向辉;陈廷娣 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G02B23/00 文献下载
摘要：一种直接接触大气的防尘防霜光学望远镜系统包括：望远镜、环形离子风嘴、高压发生器和洁净干燥装置；在望远镜的桶上方的数个对称方向分别安装环形离子风嘴，高压发生器与环形离子风嘴连接，通过高压发生器将经过环形离子风嘴的高压气流电离，产生大量正负离子并随气流沿望远镜的桶壁迅速吹向望远镜，贴近望远镜弧形表面，并集中在望远镜中心，最终形成均匀、稳定向上的气流；洁净干燥装置产生的干洁空气作为环形离子风嘴的电离气体。
一种直接接触大气防尘光学望远镜系统

[发明专利]一种电弧等离子体对离线铁轨淬火的工艺方法及装置-CN201510927763.5有效
发明人：向勇;余德平;曹修全;李超;姚进;江汇 -专利权人：四川大学
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： C21D1/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种电弧等离子体对离线铁轨淬火的工艺方法及装置，其方法包括以下步骤步骤一固定铁轨位置；步骤二设定电弧等离子体发生器起点位置；步骤三编辑电弧等离子体发生器运动轨迹程序和灭弧装置的运行程序；步骤四开启并调试电弧等离子体发生器；步骤五调用已编好程序并启动自动运行按钮；步骤六铁轨自冷却；其装置包括电弧等离子体发生系统、电弧等离子体灭弧系统和运动控制系统。
一种电弧等离子体离线铁轨淬火工艺方法装置

[发明专利]一种锂离子电池正极材料及其制备方法-CN201110188281.4有效
发明人：郑洪河 -专利权人：苏州大学
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01M4/1391 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池正极材料的制备方法，包括如下步骤：(1)将Li源、Mn源、Ni源、掺杂元素、以及具有超离子导体属性的金属元素均匀分散在一起，制成前躯体；所述具有超离子导体属性的金属元素选自Ti本发明一方面利用掺杂元素稳定了材料的晶体骨架和Mn的价态，另一方面，复合锂离子超离子导体提高了材料内部锂离子的迁移速率，提高了电极的倍率性能和循环性能。
一种锂离子电池正极材料及其制备方法

[发明专利]应用于造纸的无机纤维的表面阳离子化改性方法-CN201010510707.9有效
发明人：马新胜;耿杰;李鹏;陈建定;吴秋芳;王铁松;徐康辉 -专利权人：上海华明高技术(集团)有限公司;浙江轩鸣新材料有限公司
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： D21C1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种应用于造纸的无机纤维的表面阳离子化改性方法，包括如下步骤：用酸性水溶液或碱性水溶液对无机纤维进行预处理，得到预处理的无机纤维，再与阳离子淀粉糊混合，得到所述的用于造纸的表面阳离子化改性的无机纤维用本方法制备得到的表面阳离子化改性无机纤维，测得其在去离子水中的Zeta电位可达+7～+19.0mV，本发明的阳离子化改性之后，改善了无机纤维在水中的分散性，有效阻止了无机纤维与木浆纤维的复合浆在静置过程中的分层现象的发生
应用于造纸无机纤维表面阳离子改性方法

[发明专利]低k电介质膜的形成-CN201510477172.2有效
发明人：特洛伊·丹尼尔·里包多;乔治·安德鲁·安东内利 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：在一些实现方式中，所述方法包括使基质内包含成孔剂的前体膜暴露于从弱氧化剂产生的等离子体。所述等离子体也可以包含还原剂物质。在一些实现方式中，所述等离子体是下游等离子体。所述方法的实现方式涉及通过暴露所述等离子体来选择性地去除硅‑有机基质内共存的隔离的有机成孔剂的区域，同时保留与硅基质的主干键合的有机基团。所述方法还导致对所述电介质膜的低损坏。在一些实现方式中，等离子体暴露在暴露于紫外线(UV)辐射之后。
电介质形成

[发明专利]减小写入干扰的分离栅闪存制作方法-CN201010261549.8有效
发明人：周儒领;李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明一种减小写入干扰的分离栅闪存制作方法，在半导体衬底上形成控制栅、浮栅、擦除栅和字线的步骤后，进行轻掺杂离子注入，包括垂直轻掺杂步骤和口袋离子注入步骤，其中所述口袋离子注入步骤是将离子束以倾斜的角度打入所述字线下方的半导体衬底中本发明分离栅闪存的制作方法省去了现有技术中用于定义闪存单元阈值电压的离子注入步骤，取而代之，在形成字线步骤后，加入口袋离子注入步骤，减小了字线与浮栅之间间隙下方的衬底区域的掺杂浓度，从而减小了字线与浮栅之间间隙下方的衬底区域的掺杂浓度与浮栅下方的沟道之间的浓度差
减小写入干扰分离闪存制作方法

[发明专利]超高纯五氧化二钽和五氧化二铌除锑的方法-CN201110156935.5有效
发明人：黄道平;袁宁峰;董欢欢;蒙建钮;黄福龙 -专利权人：江西景泰钽业有限公司
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： C22B3/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高纯五氧化二钽和五氧化二铌除锑的方法，特征是：在仲辛醇萃取体系的反钽液中加入D-296大孔阴离子交换树脂，在反铌液中加入D290大孔阴离子交换树脂，通过D-296大孔阴离子交换树脂来吸附钽，D290大孔阴离子交换树脂来吸附铌，从而达到除去仲辛醇萃取体系中与钽、铌难以分离的锑。，即在锑、钽和铌分离技术中增加了离子交换除锑技术，使钽、铌中的锑降到了3PPm以下。因此，本发明具有通过大孔阴离子交换树脂来实现钽、锑、铌三者的分离、有效除去杂质元素锑从而得到超高纯五氧化二钽和五氧化二铌、去除成本低、简单易行的优点。
高纯氧化方法

[发明专利]一种片式氧传感器-CN201010245146.4有效
发明人：禹棣;黄志彬;向其军 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： G01N27/417 文献下载
摘要：本发明提供了一种片式氧传感器，所述片式氧传感包括加热体和加热体上部的测氧体；所述测氧体从下至上依次包括氧气还原电极、氧离子扩散层、氧气析出电极、氧气扩散层、电解质层和多孔保护层；氧离子扩散层的下表面上具有参比气引入孔，参比气引入孔与大气连通；其中，氧气还原电极用于将参比气引入孔中的氧气还原成氧离子；氧离子扩散层用于氧离子的渗透；氧气析出电极用于将氧离子氧化成氧气；氧气扩散层用于氧气的渗透。
一种片式氧传感器

[发明专利]PMOS源漏区离子注入方法及相应的器件制造方法-CN201110388784.6有效
发明人：曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种PMOS源漏区离子注入方法及相应的器件制造方法。利用无定形碳层可以完全去除掉并不会造成硅凹陷的特性，使用无定形碳层作为PMOS源漏区离子注入的垫层，可以在基本不改变注入杂质分布的情况下，降低注入杂质在硅衬底中的射程，从而可以得到比常规方法更浅的超浅结；或者是在保持超浅结结深不变的情况下，增大注入的能量，从而在一定程度上缓解工艺对于大剂量、低能量离子注入的需求，降低PMOS源漏区离子注入的工艺难度。本发明提供的PMOS源漏区离子注入方法及相应的器件制造方法，可以改进PMOS源漏区超浅结的离子注入工艺，降低工艺难度。
pmos 源漏区离子注入方法相应器件制造

[发明专利]冷离子太阳能级多晶硅料的提纯方法及其设备-CN201110181287.9有效
发明人：付少永;张驰;熊震;王梅花 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能级多晶硅料的提纯技术领域，特别是一种冷离子太阳能级多晶硅料的提纯方法及其设备，包括旋风器、等离子激励电源、进气和加料装置、产物收集装置，在旋风器内采用介质阻挡放电的方法作为等离子的产生方式，硅料进入旋风器，用硅粉粒度、载气预热温度和载气流速对硅粉颗粒平均处理时间进行控制，用载气预热温度、载气的气氛种类和介质阻挡放电的等离子激励电源功率对纯化效果进行控制，硅料在旋风器内约束的等离子体中实现纯化本发明的有益效果是：可以在常压和近常压的条件下提纯硅料，用于提纯的离子密度高，能量大，提纯效率高，成本低。
离子太阳能级多晶提纯方法及其设备

[发明专利]一种在离子阱中进行的串级质谱分析方法-CN201210468599.2有效
发明人：王亮;徐福兴;丁传凡 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：本发明属于质量分析技术领域，具体为一种在离子阱中进行的串级质谱分析方法。方法具体包括离子选择隔离、碰撞诱导解离和质量扫描分析三阶段，本发明在碰撞诱导解离阶段，通过在一对电极上施加非对称波形的偶极激发电压，产生偶极直流电压，从而使得被隔离的母体离子获得能量被激发，再与离子阱中的中性分子发生碰撞并解离同时，本发明中母体离子在偶极直流电压的作用下，经过的是非共振激发的解离方式，非共振激发碰撞解离可以给出更加丰富的离子碎片信息。
一种离子进行串级质谱分析方法