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[发明专利]一种AMR磁阻结构-CN202111449291.9有效
发明人：朱剑宇;杨世霞 -专利权人：上海麦歌恩微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明揭示了一种AMR磁阻结构，所述AMR磁阻结构包括：第一路惠斯通电桥和第二路惠斯通电桥；所述第一路惠斯通电桥包括第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻；所述第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻依次连接，所述第四磁阻连接第一磁阻；所述第二路惠斯通电桥包括第五磁阻、第六磁阻、第七磁阻、第八磁阻；所述第五磁阻、第六磁阻、第七磁阻、第八磁阻依次连接，所述第八磁阻连接第五磁阻。本发明提出的AMR磁阻结构，可用于平面内任意磁场的角度计算，可用于平面内任意角度磁场强度的计算，同时可减小磁阻条之间的失配，减小磁阻传感器的offset。
一种 amr 磁阻结构

[发明专利]红外传感器以及包括红外传感器的电子设备-CN202211036960.4在审
发明人：金镇明;宋炳权;梁有盛;李斗铉;李丙圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：一种红外传感器，包括：第一磁阻单元；第二磁阻单元；以及光吸收层，吸收光并发射热，其中，第一磁阻单元包括彼此电连接的第一磁阻元件和第二磁阻元件，第二磁阻单元包括彼此电连接的第三磁阻元件和第四磁阻元件，第一磁阻元件和第三磁阻元件各自具有磁化方向的反平行状态，第二磁阻元件和第四磁阻元件各自具有磁化方向的平行状态，并且第一磁阻元件通过第二磁阻元件电连接到第三磁阻元件。
红外传感器以及包括电子设备

[发明专利]旋转检测装置-CN201680087597.5有效
发明人：小林笃史;卷田真宏 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G01D5/245 文献下载
摘要：旋转检测装置具备检测部(30)和判定电路部(40)，多个磁阻元件对(31～35)与偏置磁铁(21)中的转子侧的端部(21a)相比远离转子(10)而配置，且多个磁阻元件对中的第1磁阻元件对(31)、第2磁阻元件对(32)以及第3磁阻元件对(33)与多个磁阻元件对中的第4磁阻元件对(34)以及第5磁阻元件对(35)相比远离端部而配置，第2磁阻元件对配置于被第1磁阻元件对、第3磁阻元件对、第4磁阻元件对、以及第5磁阻元件对包围的范围，检测部基于第1磁阻元件对、第2磁阻元件对以及第3磁阻元件对的输出生成主信号，且基于第4磁阻元件对以及第5磁阻元件对的输出生成子信号。
旋转检测装置

[发明专利]一种磁传感器芯片及其制备方法以及磁编码器-CN202210916550.2在审
发明人：黄意雅;张辉;单欣;朱冠伦;任宏宇;徐秀兰;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明提供一种磁传感器芯片及其制备方法以及磁编码器，其中，磁传感器芯片包括基板、设置在基板上的磁阻元件组和与磁阻元件组连接的电极。磁阻元件组设置为八组，八组磁阻元件组沿同一圆心均布；每组磁阻元件组包括两个磁阻元件，每个磁阻元件包括四个与磁阻元件组同心并呈扇形均布的磁阻条；每组磁阻元件组中一个磁阻元件的磁阻条与另一个磁阻元件中对应位置的磁阻条的圆心角为15°；一组磁阻元件组中的磁阻条与其相邻的另一组磁阻元件组中对应位置的磁阻条的圆心角为30°。通过磁阻元件组和构成磁阻元件的磁阻条的布置方式，能够有效消除芯片输出信号中的三次谐波，使得输出信号更接近完整的正弦波与余弦波，从而提高旋转角度的检测分辨率。
一种传感器芯片及其制备方法以及编码器

[实用新型]各向异性磁阻元件及惠斯通电桥-CN202223587505.1有效
发明人：朱剑宇;杨世霞 -专利权人：上海麦歌恩微电子股份有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种各向异性磁阻元件及惠斯通电桥，所述各向异性磁阻元件包括：第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻及第四磁阻；所述第一磁阻的第一端连接第四磁阻的第一端，第一磁阻的第二端连接第二磁阻的第一端；所述第二磁阻的第二端连接第三磁阻的第二端，所述第三磁阻的第一端连接第四磁阻的第二端；所述第一磁阻包括若干第一弧形结构，各第一弧形结构按照设定次序连接；所述第三磁阻包括若干第三弧形结构，各第三弧形结构按照设定次序连接。本实用新型提出的各向异性磁阻元件及惠斯通电桥，可提高产品的精度，可用于更宽角度范围内的磁场检测。
各向异性磁阻元件斯通电桥

[实用新型]用于智能水表的传感组件及智能水表-CN202023066837.6有效
发明人：沈建能;童景顺;王祖俊 -专利权人：宁波泽联科技有限公司;宁波恒力达科技有限公司;杭州海兴电力科技股份有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G01F15/06 文献下载
摘要：本实用新型包括磁钢和位于智能水表上方的电路板；所述电路板上分别电连接有第一磁阻和第二磁阻，两磁阻分别位于磁钢上方的两侧，所述第一磁阻和第二磁阻的磁场垂直于智能水表计数指针所在平面均匀分布，且两磁阻的磁场在两磁阻连线的中部重叠所述磁钢位于第一磁阻的磁场范围内时，第一磁阻输出低电平，第二磁阻输出高电平；所述磁钢位于第二磁阻的磁场范围内时，第二磁阻输出低电平，第一磁阻输出高电平；磁钢位于第一磁阻和第二磁阻重叠的磁场范围内时，两磁阻均输出低电平；磁钢既不位于第一磁阻的磁场范围内，也不位于第二磁阻的磁场范围内时，两磁阻均输出高电平。
用于智能水表传感组件

[发明专利]磁阻元件、各向异性磁阻传感器及其制备方法和磁栅尺-CN202211268100.3在审
发明人：单欣;张辉;黄意雅;任宏宇;徐秀兰;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁阻元件、各向异性磁阻传感器及其制备方法和磁栅尺。本发明的磁阻元件，两端磁阻条长度较小、中间磁阻条长度较大，根据磁阻条的长宽比与退磁场的规律，磁阻条厚度一定时，长宽比越大，退磁场越大，即当磁阻条厚度与宽度一定时，长度越大，退磁场越大，因此，本发明的磁阻元件结构中两端磁阻条较短，中间磁阻条较长的类椭圆设计，可以有效改善AMR元件中沿宽度方向退磁场分布不均匀的问题；将本发明的磁阻元件应用于AMR磁阻传感器中，可使AMR磁阻传感器输出特性曲线的饱和场变小，从而提高磁阻传感器的输出信号
磁阻元件各向异性传感器及其制备方法磁栅尺

[发明专利]可抑制外磁干扰的微位移检测装置及检测方法-CN202211658392.1在审
发明人：秦世洋;宗慕洲;严浩;王奇;陈为伦;黄岩毅 -专利权人：中国人民解放军空军工程大学航空机务士官学校
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：本申请涉及可抑制外磁干扰的微位移检测装置及检测方法，属于微位移检测技术领域，装置包括线圈阵列、多桥路隧道磁阻结阵列、第一磁阻阵列和第二磁阻阵列；两个磁阻阵列中均设置有N路相互并联的隧道磁阻结桥路；每路隧道磁阻结桥路中均包含一个正相关隧道磁阻结和一个负相关隧道磁阻结，且正相关隧道磁阻结与负相关隧道磁阻结串联；相邻两个隧道磁阻结桥路中的正相关隧道磁阻结和负相关隧道磁阻结所处位置保持一致；线圈阵列设置在第一磁阻阵列和第二磁阻阵列中间，且线圈阵列分别与所述第一磁阻阵列和第二磁阻阵列相互平行设置
可抑制干扰位移检测装置方法

[实用新型]可抑制外磁干扰的微位移检测装置及检测系统-CN202223525964.7有效
发明人：秦世洋;宗慕洲;严浩;王奇;陈为伦;黄岩毅 -专利权人：中国人民解放军空军工程大学航空机务士官学校
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：本申请涉及可抑制外磁干扰的微位移检测装置及检测系统，属于微位移检测技术领域，装置包括线圈阵列、多桥路隧道磁阻结阵列、第一磁阻阵列和第二磁阻阵列；两个磁阻阵列中均设置有N路相互并联的隧道磁阻结桥路；每路隧道磁阻结桥路中均包含一个正相关隧道磁阻结和一个负相关隧道磁阻结，且正相关隧道磁阻结与负相关隧道磁阻结串联；相邻两个隧道磁阻结桥路中的正相关隧道磁阻结和负相关隧道磁阻结所处位置保持一致；线圈阵列设置在第一磁阻阵列和第二磁阻阵列中间，且线圈阵列分别与所述第一磁阻阵列和第二磁阻阵列相互平行设置
可抑制干扰位移检测装置系统

[发明专利]一种应用Barber电极的桥式薄膜磁阻传感器-CN201910022216.0在审
发明人：陈洁;黄旭庭 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用Barber电极的桥式薄膜磁阻传感器。包括由四条各向异性磁阻效应完全相同的磁阻薄膜条按串并联方式连接，第一磁阻薄膜条(A)与第二磁阻薄膜条(B)相差的相位为90°，第二磁阻薄膜条(B)与第三磁阻薄膜条(C)相位相差90°，第三磁阻薄膜条(C)与第四磁阻薄膜条(D)相差的相位为90°，第四磁阻薄膜条(D)与第一磁阻薄膜条(A)相差的相位为90°；磁阻膜条上都应用了Barber电极结构，该薄膜磁阻传感器的结构简单，应用Barber电极之后，能改变电流方向和易磁化轴的夹角，扩展了磁阻传感器的线性区，使得测量更加准确。
磁阻薄膜薄膜磁阻传感器电极桥式应用各向异性磁阻串并联方式磁阻传感器电极结构电流方向相位相差磁化轴磁阻膜线性区测量

[发明专利]平衡Z轴灵敏度和稳定性的3轴各向异性磁阻及其制备方法-CN201510490504.0有效
发明人：时廷;王建鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种平衡Z轴灵敏度和稳定性的3轴各向异性磁阻及其制备方法，将垂直磁阻进行分段，形成多个，并且每一个均位于两个电极间隔处的沟槽侧壁上，在电极进行通电流时，通过平面磁阻流向多个垂直磁阻内电流量较少，并且由于垂直磁阻被分段，使电流在多个垂直磁阻之间进行流通，因此沟槽侧壁处垂直磁阻的电流会大大降低，从而能够减少垂直磁阻的电流对平面磁阻的影响；此外，磁畴具有趋向于沿磁阻长条方向进行排列的特性，由于垂直磁阻沿着沟槽水平方向的长度小于垂直磁阻沿着沟槽垂直方向的深度，能够使垂直磁阻的磁畴沿着沟槽垂直方向进行排列，使垂直磁阻具有较好的灵敏度。
平衡灵敏度稳定性各向异性磁阻及其制备方法

[发明专利]AMR磁阻结构及惠斯通电桥-CN202111067618.6在审
发明人：朱剑宇;杨世霞 -专利权人：深圳麦歌恩科技有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明揭示了一种AMR磁阻结构及惠斯通电桥，所述AMR磁阻结构包括：第一电阻、第三电阻；所述第一电阻包括若干第一半圆环磁阻条、若干第二半圆环磁阻条；所述第三电阻包括若干第三半圆环磁阻条、若干第四半圆环磁阻条；各第一半圆环磁阻条、各第二半圆环磁阻条、各第三半圆环磁阻条及各第四半圆环磁阻条具有相同的圆心；各第一半圆环磁阻条、各第二半圆环磁阻条、各第三半圆环磁阻条及各第四半圆环磁阻条形成若干依次排列的、半径大小不一的圆环本发明提出的AMR磁阻结构及惠斯通电桥，可提高AMR的匹配性，减少芯片面积，同时能避免对外界磁场的检测产生干扰。
amr 磁阻结构斯通电桥

[实用新型]健身装置及其结合风阻与磁阻的双阻力构造-CN202020761278.1有效
发明人：许智勇 -专利权人：敦洋科技股份有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： A63B22/06 文献下载
摘要：本实用新型提出一种健身装置及其结合风阻与磁阻的双阻力构造，包括一转轴、一风阻单元及一磁阻单元。该风阻单元固定在该转轴上，包含有环状排列的复数叶片。该磁阻单元包括一磁阻件及一磁阻轮，该磁阻轮固定在该转轴上，该磁阻轮与该风阻单元在该转轴的一轴向上维持有一间距而形成一活动空间，该磁阻件选择性地沿着该磁阻轮的一径向移动，以伸入或远离该磁阻轮，调整该磁阻轮的一磁阻，该磁阻件在该径向移动时，部分该磁阻件活动于该活动空间。本实用新型也是一种健身装置，该健身装置使用上述风阻与磁阻的双阻力构造。
健身装置及其结合磁阻阻力构造

[发明专利]磁阻装置及其形成方法-CN201911044722.6在审
发明人：巫建勋;张正平;李建辉;杨岱宜;陈永祥 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻装置及其形成方法。该磁阻装置包含设置于衬底之上的磁阻、覆盖磁阻的侧表面的应力释放结构、设置于磁阻之上的电连接结构、以及设置于电连接结构和应力释放结构之上的钝化层。本发明通过形成应力释放结构覆盖磁阻的侧表面，释放了施加于磁阻的应力，可以避免磁阻的图案边缘处发生局部裂开，进而避免磁阻的图案边缘发生局部剥离的问题。因此，本发明能提升磁阻装置的制造良品率。
磁阻装置及其形成方法

[发明专利]磁阻元件、磁传感器装置以及磁阻元件的制造方法-CN201410578628.X在审
发明人：八幡亮一 -专利权人：日本电产三协株式会社
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻元件、具有该磁阻元件的磁传感器装置以及该磁阻元件的制造方法，所述磁阻元件即使在通过阻挡层防止磁阻膜表面发生氧化的情况下，由磁阻效应引起的电阻变化率也较高。在所述磁阻元件(4)中，在形成有磁阻膜(41-44)的基板(40)形成由钛、铝等构成的温度监测用电阻膜(47)以及加热用电阻膜(48)。并且，在相对于磁阻膜(41-44)在与基板(40)相反的一侧的面层叠由钛、铝等构成的阻挡层(71-74)，阻挡层(71-74)的膜厚比磁阻膜(41-44)的膜厚要薄。所述结构的磁阻元件(4)在形成磁阻膜之后，使磁阻膜与氧化性气氛不接触地在磁阻膜的表面层叠阻挡层，之后，对磁阻膜以及阻挡层进行图案化。
磁阻元件传感器装置以及制造方法

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