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[实用新型]一种磁控拉单晶超导磁体的屏蔽结构-CN202122291103.6有效
发明人：刘伟;李超;马鹏;张弛;李勇;葛正福;兰贤辉;冯勇;刘向宏;张平祥 -专利权人：西安聚能超导磁体科技有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01F27/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁控拉单晶超导磁体的屏蔽结构，包括磁屏蔽铁轭上板、磁屏蔽铁轭下板和磁屏蔽铁轭筒体。磁屏蔽铁轭上板和磁屏蔽铁轭下板分别连接在磁屏蔽铁轭筒体的两端，磁屏蔽铁轭筒体为多层结构。本实用新型将传统的无电工纯铁的磁控拉单晶硅磁体，或者单层的磁屏蔽结构，进行多层优化，在节约电工纯铁的基础上，以进一步降低磁体的漏磁，从而满足磁控拉单晶用超导磁体周围电气设备的安全、稳定运行。同时多层磁屏蔽结构也可以降低因单层较厚电工纯铁磁屏蔽结构，造成磁屏蔽与超导线圈之间的电磁作用力过大，诱发的磁体运行稳定性问题的风险，提高磁控拉单晶用超导磁体的稳定性，保证生产效率及稳定性。
一种磁控拉单晶超导磁体屏蔽结构

[发明专利]一种磁控拉晶装置-CN202211010551.7在审
发明人：陈永康;李侨;杜婷婷;朱永刚;张朝光;任伟康;刘阳;牛彩鹤 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请实施例，提供了一种磁控拉晶装置，包括单晶炉、坩埚以及磁控组件；坩埚设置于单晶炉内，用于盛放硅液，所述磁控组件设置于所述硅液上方。磁控组件包括环形磁体，环形磁体内设置有用于单晶硅棒穿设的拉晶通道，环形磁体靠近硅液设置，用于在硅液内形成勾型磁场。所述勾型磁场在所述硅液的液面的磁场强度大于或者等于0.1毫特。这样，就可以减少硅液对坩埚壁的冲刷，降低硅液中的杂质含量，提高了拉晶质量。而且，磁控拉晶装置的结构简单，在现有的拉晶装置的基础上仅需进行少量的改进即可实施，适用范围广泛且成本较低。
一种磁控拉晶装置

[实用新型]一种磁控拉晶装置-CN202222214478.7有效
发明人：陈永康;李侨;杜婷婷;朱永刚;张朝光;任伟康;刘阳;牛彩鹤 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请实施例，提供了一种磁控拉晶装置，包括单晶炉、坩埚以及磁控组件；坩埚设置于单晶炉内，用于盛放硅液，所述磁控组件设置于所述硅液上方。磁控组件包括环形磁体，环形磁体内设置有用于单晶硅棒穿设的拉晶通道，环形磁体靠近硅液设置，用于在硅液内形成勾型磁场。所述勾型磁场在所述硅液的液面的磁场强度大于或者等于0.1毫特。这样，就可以减少硅液对坩埚壁的冲刷，降低硅液中的杂质含量，提高了拉晶质量。而且，磁控拉晶装置的结构简单，在现有的拉晶装置的基础上仅需进行少量的改进即可实施，适用范围广泛且成本较低。
一种磁控拉晶装置

[发明专利]一种磁控拉单晶超导磁体及磁屏蔽方法-CN202111109028.5在审
发明人：刘伟;李超;马鹏;张弛;李勇;葛正福;兰贤辉;冯勇;刘向宏;张平祥 -专利权人：西安聚能超导磁体科技有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01F6/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控拉单晶超导磁体，包括屏蔽结构和超导线圈。屏蔽结构包括磁屏蔽铁轭上板、磁屏蔽铁轭下板和磁屏蔽铁轭筒体，磁屏蔽铁轭上板和磁屏蔽铁轭下板分别连接在磁屏蔽铁轭筒体的两端，磁屏蔽铁轭筒体为多层结构。超导线圈设置在磁屏蔽结构内部。本发明采用多层优化过的磁屏蔽结构，在节约电工纯铁的基础上，进一步降低磁体的漏磁，从而满足磁控拉单晶用超导磁体周围电气设备的安全、稳定运行。同时单层磁屏蔽结构的厚度也较小，可以降低因单层较厚电工纯铁磁屏蔽结构造成的磁屏蔽与超导线圈之间的电磁作用力过大，诱发的磁体运行稳定性问题的风险，提高磁控拉单晶用超导磁体的稳定性，保证生产效率及稳定性。
一种磁控拉单晶超导磁体屏蔽方法

[实用新型]大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置-CN201921105801.9有效
发明人：陈嘉豪;徐文州;耿荣军;喻先丽 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种结构简单，便于控制磁场强度，并且能避免电阻加热装置对磁场影响的大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置。该大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置，包括炉体；所述炉体上方设置有上炉腔；所述炉体的炉膛内设置有坩埚、石墨托；石墨托下方设置有底部旋转支撑杆；所述炉体的炉膛两侧均设置有磁场发生装置；所述磁场发生装置上设置有U型导磁体；所述U型导磁体一端与磁场发生装置连接，另一端延伸到坩埚与加热装置之间；所述U型导磁体的外表面上设置有隔热层；所述U型导磁体延伸到坩埚与加热装置之间的部分设置有均匀分布的导磁块。采用该大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置，能够明显地改善单晶的均匀性，降低缺陷密度。
直径高效单晶硅磁控拉晶装置

[发明专利]一种磁控拉单晶超导磁体线圈及超导磁体装置-CN202111310915.9在审
发明人：刘伟;李超;李勇;马鹏;葛正福;兰贤辉;张弛;李猛;张文涛;韩志晨;周涛;冯勇;刘向宏;张平祥 -专利权人：西安聚能超导磁体科技有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01F6/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控拉单晶超导磁体线圈及超导磁体装置，磁控拉单晶超导磁体线圈包括两个圆形线圈，两个圆形线圈均为圆环形结构且均倾斜设置，且两个圆形线圈之间交叉设置。更为重要的是圆形线圈在相同大小的情况下，可以在空间区域内获得更高的磁场均匀性，便于提高磁控拉单晶生产制备的效率。
一种磁控拉单晶超导磁体线圈装置

[实用新型]一种磁控拉单晶超导磁体线圈及超导磁体装置-CN202122700081.4有效
发明人：刘伟;李超;李勇;马鹏;葛正福;兰贤辉;张弛;李猛;张文涛;韩志晨;周涛;冯勇;刘向宏;张平祥 -专利权人：西安聚能超导磁体科技有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01F6/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁控拉单晶超导磁体线圈及超导磁体装置，磁控拉单晶超导磁体线圈包括两个圆形线圈，两个圆形线圈均为圆环形结构且均倾斜设置，且两个圆形线圈之间交叉设置。更为重要的是圆形线圈在相同大小的情况下，可以在空间区域内获得更高的磁场均匀性，便于提高磁控拉单晶生产制备的效率。
一种磁控拉单晶超导磁体线圈装置

[实用新型]一种单晶硅棒拉制装置-CN202222214385.4有效
发明人：陈永康;朱永刚;董升;李侨;任伟康;刘阳;杜婷婷 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种单晶硅棒拉制装置，所述单晶硅棒拉制装置包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置于所述炉体内，用于容纳硅液，以从所述硅液中生长单晶硅棒；换热器，所述换热器设置在所述炉体内，且位于所述坩埚的上方；热屏，所述热屏套设在所述换热器外，且与所述换热器之间形成间隙；以及，环状的磁控装置，所述磁控装置嵌设于所述换热器与所述热屏之间的间隙内，且靠近所述硅液设置，以在所述硅液内形成磁场。本申请实施例中，所述磁控装置可以在所述硅液内形成磁场，抑制所述硅液内部的热对流，降低所述硅液中的杂质含量，提高所述单晶硅棒的拉晶品质。而且，无需改变现有的单晶硅棒装置的原有部件即可实施，通用性较好，实施成本较低。
一种单晶硅拉制装置

[发明专利]钴镍单晶磁控形状记忆合金-CN02111297.5无效
发明人：江伯鸿;刘岩;漆璿;周伟敏 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2002-04-09 - 公布日： 2002-12-25 - 主分类号： C22C19/07 文献下载
摘要：一种钴镍单晶磁控形状记忆合金,其成分重量百分比为镍Ni10%～35%,钴Co65%～90%,采用[001]方向的籽晶用提拉法或悬浮区域熔炼法,制取轴向为[001]的单晶,将单晶经过700－950℃高温加热后淬火热处理本发明合金的磁致应变量远高于现有商用磁致伸缩材料,同时响应频率快,塑性良好,能进行冷热加工,更具应用价值。
钴镍单晶磁控形状记忆合金

[发明专利]一种磁控拉单晶超导磁体线圈-CN202211699800.8在审
发明人：高树良;周敏;沈安;袁小元 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01F6/06 文献下载
摘要：本发明是一种磁控拉单晶超导磁体线圈，其结构包括第一线圈组和第二线圈组，第一线圈组和第二线圈组相对设置且均为结构相同的弧形环结构，第一线圈组和第二线圈组都分别由六个环状的子线圈组成。可提高磁控拉单晶磁体的批量生产效率，降低了生产和维护成本。
一种磁控拉单晶超导磁体线圈

[实用新型]一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体-CN202121678574.6有效
发明人：刘伟;李超;马鹏;张弛;李勇;葛正福;兰贤辉;冯勇;刘向宏;张平祥 -专利权人：西安聚能超导磁体科技有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01F6/04 文献下载
摘要：一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体，包括有线圈骨架，线圈骨架的圆弧段与左右线圈导冷连接装置相连；左右线圈导冷连接装置的上侧设有冷屏导冷装置，左右线圈导冷连接装置的下侧设有线圈导冷装置；用热管将G‑M制冷机一级冷头与G‑M制冷机二级冷头相连；冷屏导冷装置上侧与G‑M制冷机相连；设置冷却磁控拉单晶超导磁体；将气体充入到热管中，打开G‑M制冷机对测试样品进行冷却；实现超导线圈的快速降温冷却；具有冷却效率高的特点。
一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体

[实用新型]一种传导冷却磁控拉单晶超导磁体装置-CN201922296007.3有效
发明人：刘伟;李超;马鹏;李勇;葛正福;兰贤辉;周涛;闫果;冯勇;刘向宏;张平祥 -专利权人：西部超导材料科技股份有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01F6/00 文献下载
摘要：一种传导冷却磁控拉单晶超导磁体装置，包括铁轭外筒；铁轭外筒内设有真空外杜瓦；真空外杜瓦内设有冷屏；冷屏内设有两个线圈骨架；每个线圈骨架上各设有一个马鞍形超导线圈；两个马鞍形超导线圈通过左右线圈连接板连接导冷板底部设有线圈冷体支撑杆；导冷板上部设有G‑M制冷机；G‑M制冷机还设有电流引线；真空机组抽真空，GM制冷机冷却测试样品；当内部马鞍形线圈温度达到设计值时，开启励磁电源，调节电流的大小，二元电流引线对超导线圈进行通电励磁，电流达到要求值后，可配合单晶生长炉进行磁控拉单晶生产；具有结构简单、磁场利用率高、使用成本低的特点。
一种传导冷却磁控拉单晶超导磁体装置

[发明专利]一种磁控拉单晶超导磁体线圈及超导磁体装置-CN202111314511.7在审
发明人：刘伟;李超;李勇;马鹏;葛正福;兰贤辉;张弛;李猛;张文涛;韩志晨;周涛;冯勇;刘向宏;张平祥 -专利权人：西安聚能超导磁体科技有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01F6/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控拉单晶超导磁体线圈及超导磁体装置，磁控拉单晶超导磁体线圈包括两个线圈组，两个线圈组相对设置，且每个线圈组均为弧形环结构，线圈组由至少两个环状的子线圈组成，至少两个子线圈依次并排设置。
一种磁控拉单晶超导磁体线圈装置

[发明专利]一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体及其冷却方法-CN202110833293.1在审
发明人：刘伟;李超;马鹏;张弛;李勇;葛正福;兰贤辉;冯勇;刘向宏;张平祥 -专利权人：西安聚能超导磁体科技有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01F6/04 文献下载
摘要：一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体，包括有线圈骨架，线圈骨架的圆弧段与左右线圈导冷连接装置相连；左右线圈导冷连接装置的上侧设有冷屏导冷装置，左右线圈导冷连接装置的下侧设有线圈导冷装置；用热管将G‑M制冷机一级冷头与G‑M制冷机二级冷头相连；冷屏导冷装置上侧与G‑M制冷机相连；冷却方法步骤为：步骤1，设置冷却磁控拉单晶超导磁体；步骤2，将气体充入到热管中，打开G‑M制冷机对测试样品进行冷却；步骤3，实现超导线圈的快速降温冷却
一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体及其方法

[实用新型]一种磁控拉单晶超导磁体线圈及超导磁体装置-CN202122716272.X有效
发明人：刘伟;李超;李勇;马鹏;葛正福;兰贤辉;张弛;李猛;张文涛;韩志晨;周涛;冯勇;刘向宏;张平祥 -专利权人：西安聚能超导磁体科技有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01F6/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁控拉单晶超导磁体线圈及超导磁体装置，磁控拉单晶超导磁体线圈包括两个线圈组，两个线圈组相对设置，且每个线圈组均为弧形环结构，线圈组由至少两个环状的子线圈组成，至少两个子线圈依次并排设置
一种磁控拉单晶超导磁体线圈装置

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