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[发明专利]一种磁控型忆阻器及其控制方法-CN201310188873.5无效
发明人：丘东元;韦兆华;张波 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁控型忆阻器及其控制方法。该磁控型忆阻器包括电压采样器（1）、积分器（2）、第一减法器（3）、乘法器（4）、第二减法器（5）、可调直流电压源Vref（6）、第一电阻（7）和第二电阻（8），通过控制第一电阻（7）上的电压vRL，实现对输入电流iin的间接控制，使得输入交流电压vin与输入电流iin之间符合磁控型忆阻器的电压电流关系，从而等效地获得一个磁控型忆阻器。本发明结构简单，可根据应用场合的需要，通过调节直流电压源Vref、电阻RL和积分器系数k的大小，改变磁控型忆阻器的忆导值范围。本发明为今后磁控型忆阻器的推广应用奠定了基础。
一种磁控型忆阻器及其控制方法

[实用新型]一种磁控型忆阻器-CN201320276446.8有效
发明人：丘东元;韦兆华;张波 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种磁控型忆阻器。该磁控型忆阻器包括电压采样器（1）、积分器（2）、第一减法器（3）、乘法器（4）、第二减法器（5）、可调直流电压源Vref（6）、第一电阻（7）和第二电阻（8），通过控制第一电阻（7）上的电压vRL，实现对输入电流iin的间接控制，使得输入交流电压vin与输入电流iin之间符合磁控型忆阻器的电压电流关系，从而等效地获得一个磁控型忆阻器。本实用新型结构简单，可根据应用场合的需要，通过调节直流电压源Vref、电阻RL和积分器系数k的大小，改变磁控型忆阻器的忆导值范围。本实用新型为今后磁控型忆阻器的推广应用奠定了基础。
一种磁控型忆阻器

[发明专利]一种基于Chua电路的异构磁控忆阻器模型的电路设计方法-CN201710255065.4有效
发明人：张小红;万丽娟;钟小勇 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：一种基于Chua电路的异构磁控忆阻器模型的电路设计方法，(1)构建两个具有光滑三次非线性特性的异构磁控忆阻器模型；(2)分析(1)异构忆阻Chua系统混沌特性，验证其是否具有忆阻器本质特征；(3)结合(1)两个忆阻器模型，在经典三阶Chua电路上构建一个五阶异构磁控忆阻电路模型；(4)采用Multisim软件对(3)进行电路仿真，并与(2)数值计算进行比较，验证所设计的异构磁控忆阻器模型的正确性及忆阻可靠性本发明通过数值仿真和电路验证，忆阻模型均具有斜“8”字形的类紧磁滞回线的伏安特性曲线，同时验证了新构建的双异构忆阻Chua电路能够产生混沌行为，具有复杂的非线性动力学特性。
一种基于 chua 电路异构磁控忆阻器模型电路设计方法

[发明专利]基于电流传输器的三次非线性磁控忆阻模拟器-CN201910419013.5在审
发明人：余波 -专利权人：成都师范学院
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了基于电流传输器的三次非线性磁控忆阻模拟器，包括积分运算电路、乘法器M₁、乘法器M₂和电阻R₂，积分运算电路包括电流传输器U<该三次非线性磁控忆阻模拟器端口a、b的电气特性等效了磁控忆阻器的端口特性，且内部积分运算电路输入电流为0，不需要在输入端串联用于避免负载效应的电压跟随器等电路。该三次非线性磁控忆阻模拟器只需要使用6个电路元器件，结构简单，便于实现，可广泛地应用到各种忆阻电路(忆阻混沌、忆阻桥突触和忆阻神经元等电路)的设计。
磁控模拟器三次非线性积分运算电路电流传输器电路乘法器电阻神经元电路元器件电压跟随器输入端串联电气特性端口特性负载效应输入电流忆阻器电容混沌突触应用

[发明专利]基于电流传输器的二次非线性磁控忆阻模拟器-CN201910418721.7在审
发明人：余波;张容 -专利权人：成都师范学院
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了基于电流传输器的二次非线性磁控忆阻模拟器，包括积分运算电路、乘法器M₁和电阻R₂，积分运算电路包括电流传输器U₁、电阻R磁控忆阻模拟器端口a、b的电气特性等效了磁控忆阻器的端口特性，且内部积分运算电路输入电流为0，不需要在输入端串联用于避免负载效应的电压跟随器等电路。该二次非线性磁控忆阻模拟器也省去了绝对值运算电路，只需要使用5个电路元器件，结构简单，便于实现，可广泛地应用到各种忆阻电路(忆阻混沌、忆阻桥突触和忆阻神经元等电路)的设计。
磁控模拟器二次非线性积分运算电路电流传输器电路电阻绝对值运算电路神经元电路元器件电压跟随器输入端串联电气特性端口特性负载效应输入电流乘法器忆阻器电容混沌突触应用

[发明专利]一种基于混合型忆阻器的分数阶混沌电路设计方法-CN202210133064.3在审
发明人：张小红;杨港;马存良 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G06F30/331 文献下载
摘要：一种基于混合型忆阻器的分数阶混沌电路设计方法，由磁控忆阻器、荷控忆阻器构建的五维整数阶混合型忆阻电路，其中磁控忆阻器模型含有平方根算法和绝对值算法，荷控忆阻器是一种新颖的广义忆阻器模型。本发明根据分数阶微积分Grunwald‑Letnikov定义，从整数阶电路模型推导出分数阶混合型忆阻混沌电路模型，采用0‑1测试、SALI检测、Lyapunov指数以及复杂度方法验证了该分数阶电路具有复杂的非线性动力学行为；结合FPGA技术，设计了同阶次和不同阶次的分数阶混合型忆阻混沌模型，硬件仿真与数值计算结果一致，在复杂动力学和数字电路领域具有着广泛的应用潜力。
一种基于混合型忆阻器分数混沌电路设计方法

[发明专利]一种四阶忆阻混沌信号源电路-CN202010168397.0有效
发明人：赖强;万志强;裴惠琴 -专利权人：华东交通大学
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H04L9/00 文献下载
摘要：一种四阶忆阻混沌信号源电路，所述四阶忆阻混沌信号源电路包括忆阻混沌信号源电路和磁控忆阻器等效实现电路；所述忆阻混沌信号源电路包括第一通道、第二通道和第三通道；三个通道均由运算放大器与电阻或电容所构成的反向、加法和积分电路以及模拟乘法器组成；使用所述磁控忆阻器等效实现电路替换所述忆阻混沌信号源电路中的忆阻器，并将忆阻混沌信号源电路中各相同端口依次相连后，实现忆阻混沌系统稳定输出混沌信号。本发明通过在一个混沌系统中加入一个磁控忆阻器，实现了一种四阶忆阻混沌信号源电路。该电路系统结构简单，便于理论分析和电路仿真，可作为一种混沌信号源产生电路，有较大的工程应用价值。
一种四阶忆阻混沌信号源电路

[发明专利]一种基于DSP Builder的异构双磁控忆阻器模型数字化电路设计方法-CN201811247278.3有效
发明人：张小红;陈皓琦 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：一种基于DSP Builder的异构双磁控忆阻器模型数字化电路设计方法，首先构建两个具有光滑三次非线性特性的异构磁控忆阻器模型；然后结合两个忆阻器模型，构建一个五阶异构磁控忆阻电路模型；最后将构建的五阶异构磁控忆阻电路模型
一种基于 dsp builder 异构双磁控忆阻器模型数字化电路设计方法

[发明专利]一种二次非线性有源磁控忆阻模拟器-CN201910418444.X在审
发明人：余波;吴显云 -专利权人：成都师范学院
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种二次非线性有源磁控忆阻模拟器，包括负电阻等效电路、积分运算电路、乘法器M₁和电阻R₂，积分运算电路包括电流传输器U₁、电阻该二次非线性有源磁控忆阻模拟器端口a、b的电气特性等效了磁控忆阻器的端口特性，其伏安特性曲线在二四象限，工作时能持续的向外提供能量，可广泛地应用到忆阻器需要向外提供能量的忆阻电路(如，蔡氏忆阻电路)。
电阻磁控模拟器二次非线性积分运算电路等效电路负电阻忆阻器电路伏安特性曲线电流传输器运算放大器电气特性端口特性乘法器电容象限应用

[发明专利]一种具有孪生局部有源域三次多项式磁控忆阻器的等效模拟电路-CN201910494238.7有效
发明人：李玉霞;常辉;宋庆海;袁方 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2019-06-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了具有孪生局部有源域三次多项式磁控忆阻器的等效模拟电路，其利用模拟集成运算设计电路实现了该忆阻模型的伏安磁滞特性，属于电路设计技术领域。利用电子器件的集成运算，设计该忆阻器本征动力学。其中，设计反相比例器，实现输出电压与输入电压的比例运算，并使它们极性相反；设计反相比例加法器，实现多个输入电压的加法运算，使其和作为输出电压且成反相；设计反相积分器，实现对输入电压信号的积分运算；设计乘法电路本发明实现了具有孪生局部有源域的三次多项式磁控忆阻器的忆阻特征指纹，可代替实际具有局部有源忆阻器实现与此类忆阻器相关系统的电路设计、实验，对理解此忆阻器的电气特性和实际应用研究具有重要的意义。
一种具有孪生局部有源三次多项式磁控忆阻器等效模拟电路

[发明专利]一种三次非线性有源磁控忆阻模拟器-CN201910418681.6有效
发明人：余波 -专利权人：成都师范学院
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种三次非线性有源磁控忆阻模拟器，包括负电阻等效电路、积分运算电路、乘法器M1、乘法器M2和电阻R2，积分运算电路包括电流传输器U1、电阻R1和电容C12、电阻R3、电阻R4和电阻R5；该三次非线性有源磁控忆阻模拟器端口a、b的电气特性等效了磁控忆阻器的端口特性，其伏安特性曲线在二四象限，工作时能持续的向外提供能量，可广泛地应用到忆阻器需要向外提供能量的忆阻电路(如，蔡氏忆阻电路)。
一种三次非线性有源磁控忆阻模拟器

[发明专利]一种耦合双忆阻器高维隐藏信号发生系统-CN202011125139.0有效
发明人：刘立才;杜传红;祝凤侠;吴育辉;蒋宪邦 -专利权人：安顺学院
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开一种耦合双忆阻器高维隐藏信号发生系统，包括：包括忆阻混沌电路系统、磁控忆阻器；通过所述忆阻混沌电路系统的若干个状态变量与所述磁控忆阻器进行非线性耦合，形成忆阻混沌系统，通过所述忆阻混沌系统产生高维隐藏信号本发明将两个不同种类的忆阻器进行变量耦合，耦合后的系统非线性增强，电路在不同系统参数和系统初值条件下系统暂态过渡行为具有普通存在性，暂态跃迁行为表现出过渡状态数多达5个，系统复杂度和秘钥空间大大提高，有效保证了所产生的隐藏吸引子的准确性；同时，本发明利用分立RLC、运算放大器和模拟乘法器等元器件实现忆阻器功能，有效降低了系统的成本。
一种耦合双忆阻器高维隐藏信号发生系统

[发明专利]一种双局部有源绝对值磁控忆阻器的等效模拟电路-CN201910494237.2有效
发明人：李玉霞;宋庆海;常辉;袁方 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2019-06-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种双局部有源绝对值磁控忆阻器的等效模拟电路，其利用模拟集成运算设计电路实现了该忆阻模型的伏安磁滞特性，属于电路设计技术领域。利用电子器件的集成运算，设计该忆阻器本征动力学运算关系。其中，配置反相比例器，实现输出电压与输入电压的比例运算，并使它们极性相反；利用反相比例加法器，实现多个输入电压的加法运算，使其和作为输出电压且成反相；配置反相积分器，实现对输入电压信号的积分运算；设计乘法电路本发明的电路仿真设计，使其能够代替实物双局部有源绝对值磁控忆阻器实现与此忆阻器相关的非线性电路与系统的设计和实验，探索该忆阻器电气特性及关联系统的动力学，为忆阻器的应用奠定必要的理论与实践研究基础。
一种局部有源绝对值磁控忆阻器等效模拟电路

[发明专利]一种极简的浮地磁控忆阻器电路仿真模型-CN201810619965.7有效
发明人：余波 -专利权人：成都师范学院
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种极简的浮地磁控忆阻器电路仿真模型，包括端口a、端口b、压控电阻UR、电阻R和电压积分器A，压控电阻UR包括电压控制端uc和受控电阻Ru，压控电阻UR内受控电阻Ru的电阻值受电压控制端uc的电压值控制，电压积分器A包括电压输入端u和电压输出端uc。该浮地磁控忆阻器电路仿真模型端口a、b的电气特性等效了磁控忆阻器W的A、B端口特性，只需要使用仿真软件中已有的3个元件，为二端口模型，进一步的降低已有磁控忆阻器电路仿真模型的复杂度和元件数，具有忆阻值变化范围灵活
一种地磁控忆阻器电路仿真模型

[发明专利]超混沌隐藏吸引子产生电路及其构建方法-CN201610907265.9有效
发明人：乔晓华;徐毅;包伯成 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H04L9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁控忆阻类Lü系统超混沌隐藏吸引子产生电路及其构建方法，本超混沌隐藏吸引子产生电路包括：振荡系统和磁控忆阻对应的等效实现电路；其中所述振荡系统适于通过与等效实现电路相连以呈现相应隐藏振荡现象；本发明涉及磁控忆阻类Lü系统超混沌隐藏吸引子产生电路及其构建方法，其在原有的Lü系统的第一方程中添加磁控忆阻项，即第一积分通道；第二方程中添加线性反馈项和外部激励，即第二积分通道；第三积分通道保持不变
混沌隐藏吸引产生电路及其构建方法

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