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[发明专利]磁性隧道结-CN201210229507.5在审
发明人：吴昊;张佳;余天;张晓光;韩秀峰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及尖晶石氧化物势垒的磁性隧道结及其器件应用，磁性隧道结的势垒采用尖晶石氧化物组成。该隧道结可以是单势垒或者双势垒的结构。本发明提供的新型势垒磁性隧道结可以应用于自旋电子器件中，包括磁敏传感器、磁性随机存取存储器单元、磁逻辑器件单元、自旋晶体管和自旋场效应管。基于这些新型势垒的磁性隧道结，势垒层与磁性电极晶格失配度较低，在保持高的室温隧穿磁电阻比值的同时，偏压依赖特性比较弱，击穿电压得到提高。
磁性隧道

[发明专利]磁性隧道结-CN202011219593.2在审
发明人：孙一慧 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结，包括：层叠设置的自由层、势垒层和参考层，其中所述自由层包括依次叠置的第一磁性层、第一耦合层、第二磁性层、第二耦合层和第三磁性层，第一磁性层、第二磁性层和第三磁性层各自具有可翻转的磁矩本发明能够提高磁性隧道结的热稳定性。
磁性隧道

[发明专利]磁性隧道结-CN201680025720.0有效
发明人：强纳森·D·哈玛斯;陈伟;苏尼尔·S·默西;维托·库拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明揭示一种磁性隧道结，其具有包括磁性记录材料的导电第一磁性电极。导电第二磁性电极与所述第一电极隔开且包括磁性参考材料。非磁性隧道绝缘体材料在所述第一电极与第二电极之间。所述第一电极的所述磁性记录材料包括第一磁性区域、与所述第一磁性区域隔开的第二磁性区域、及与所述第一及第二磁性区域隔开的第三磁性区域。包括金属氧化物的第一非磁性绝缘体区域在所述第一与第二磁性区域之间。包括金属氧化物的第二非磁性绝缘体区域在所述第二与第三磁性区域之间。本发明揭示其它实施例。
磁性隧道

[发明专利]磁性隧道结-CN201680025908.5有效
发明人：曼札拉·西迪克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁性隧道结包括导电第一磁电极，所述导电第一磁电极包括磁记录材料。导电第二磁电极与所述第一电极隔开且包括磁参考材料。非磁性隧道绝缘体材料是在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极的所述磁记录材料包括第一结晶磁性区域，在一个实施例中，所述第一结晶磁性区域包括Co和Fe。
磁性隧道

[发明专利]磁性隧道结-CN201680012144.6有效
发明人：曼札拉·西迪克;维托·库拉;古尔特杰·S·桑胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明揭示一种形成磁性隧道结的磁电极的方法，其包括：使包括MgO的非磁材料形成于所形成的所述磁电极的导电材料上方。使非晶质金属形成于包括MgO的材料上方。直接抵靠所述非晶质磁电极材料而形成包括MgO的非磁隧道绝缘体材料。所述隧道绝缘体材料缺乏B。在形成所述隧道绝缘体材料后，在至少约250℃的温度下使所述包括Co及Fe的非晶质磁电极材料退火以从所述隧道绝缘体材料的包括MgO的表面形成包括Co及Fe的结晶磁电极材料。
磁性隧道

[发明专利]磁性隧道结-CN201910589072.7有效
发明人：何世坤;杨晓蕾 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结，包括：依次堆叠设置的参考层、隧道层、自由层、覆盖层、极化层以及第一耦合层，其中，所述参考层沿垂直方向磁化；所述自由层沿垂直方向磁化；所述第一耦合层沿水平方向磁化；所述第一耦合层与所述极化层直接耦合本发明能够降低磁性隧道结的写入电流。
磁性隧道

[发明专利]磁性隧道结-CN201780028934.8有效
发明人：陈伟;维托尔德·库拉;曼札拉·西迪克;苏瑞许·拉玛罗杰;强纳森·D·哈玛斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁性隧道结，其包括：导电第一磁性电极，其包括磁性记录材料；导电第二磁性电极，其与所述第一电极隔开且包括磁性参考材料；及非磁性隧道绝缘体材料，其在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第二电极的所述磁性参考材料包括合成反铁磁性构造，所述合成反铁磁性构造包括两个隔开的磁性区域，所述磁性区域中的一者比另一者更靠近所述隧道绝缘体材料。一个磁性区域包括极化器区域，所述极化器区域包括CoxFeyBz，其中“x”为所述CoxFeyBz直接抵靠所述隧道绝缘体。包括含Os材料的非磁性区域在所述两个隔开的磁性区域之间。所述另一磁性区域包括磁性含Co材料。本发明揭示其它实施例。
磁性隧道

[发明专利]磁性隧道结-CN202010316067.1有效
发明人：孙一慧;孟凡涛 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结，包括：自由层、势垒层、参考层以及用于钉扎参考层的磁化方向的合成反铁磁层，所述合成反铁磁层包括第一反平行层、第二反平行层以及位于所述第一反平行层和所述第二反平行层之间的反铁磁耦合层，所述第一反平行层采用磁性薄膜与非磁性薄膜交替设置的多层膜结构，或者第一磁性薄膜与第二磁性薄膜交替设置的多层膜结构，其中与所述反铁磁耦合层相邻的一层磁性薄膜的厚度尽量薄。
磁性隧道

[发明专利]磁性隧道结-CN201580063344.X有效
发明人：伟·陈;维托·库拉;强纳森·D·哈玛斯;苏尼尔·S·默西 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁性隧道结，其包含导电第一磁电极，所述导电第一磁电极包含磁记录材料。导电第二磁电极与所述第一电极隔开且包含磁参考材料。非磁性隧道绝缘体材料在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第二电极的所述磁参考材料包含非磁性区域，所述非磁性区域包括元素铱。所述磁参考材料包含在所述非磁性区域与所述隧道绝缘体材料之间包括元素钴或富含钴的合金的磁性区域。
磁性隧道

[发明专利]一种赝磁性隧道结单元-CN201910290616.X在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种赝磁性隧道结单元，其包括赝磁性隧道结参考层，赝磁性隧道结势垒层，赝磁性隧道结记忆层及其覆盖在赝磁性隧道结参考层、赝磁性隧道结势垒层和赝磁性隧道结记忆层周围的赝磁性隧道结侧墙。赝磁性隧道结参考层、赝磁性隧道结势垒层和赝磁性隧道结记忆层的膜层和磁性隧道结参考层、磁性隧道结势垒层、磁性隧道结记忆层的膜层的组成材料完全相同，并且在物理气相沉积工艺腔中同时完成沉积。在本发明中作为电路连接的赝磁性隧道结单元，由于与磁性隧道结膜层同时制作，这无疑降低工艺的复杂程度，有利于生产成本的降低。
一种磁性隧道单元

[发明专利]一种磁性隧道结存储阵列单元及其外围电路的制备方法-CN201910290608.5在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明一种磁性隧道结存储阵列单元及其外围电路的制备方法，在存储阵列单元区域，采用在金属连线Mx之上，依次制作磁性隧道结底电极、磁性隧道结和磁性隧道结顶电极，磁性隧道结底电极、磁性隧道结和磁性隧道结顶电极依次对齐；在外围电路单元区域，采用在金属连线Mx之上，依次制作可电学导通的赝磁性隧道结底电极、可低电阻导通的赝磁性隧道结和赝磁性隧道结顶电极，并且赝磁性隧道结底电极、赝磁性隧道结、赝磁性隧道结顶电极依次对齐；在存储阵列单元区域的磁性隧道结顶电极和外围电路单元区域的赝磁性隧道结顶电极之上制作一层金属连线Mx+1
一种磁性隧道结存阵列单元及其外围电路制备方法

[发明专利]一种假磁性隧道结单元结构制备方法-CN201910176223.6在审
发明人：张云森;肖荣福;陈峻;郭一民 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明包括：提供表面抛光的带金属通孔的基底；在平坦化处理后基底上沉积底电极、磁性隧道结/假磁性隧道结多层膜和顶电极，或，在处理后基底上沉积底电极、磁性隧道结/假磁性隧道结多层膜、顶电极和牺牲掩模；图形化定义磁性隧道结和假磁性隧道结图案，对顶电极、磁性隧道结/假磁性隧道结和底电极刻蚀，沉积绝缘覆盖层在磁性隧道结和假磁性隧道结存储单元的周围；沉积电介质在磁性隧道结和假磁性隧道结存储单元周围；对沉积电介质平坦化处理，使移除停止在覆盖在假磁性隧道结单元上面的覆盖层之上
一种磁性隧道单元结构制备方法

[发明专利]形成不含接触孔的纳米尺寸的磁性隧道结单元的方法-CN200510004452.8无效
发明人：黄淳元;宋利宪;廉根永;郑硕才 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-01-12 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：提供一种制造纳米尺寸磁性隧道结单元的方法，其中在磁性隧道结单元中的接触不需要形成接触孔而形成。形成磁性隧道结单元的方法包括在衬底上形成一磁性隧道结层，通过构图磁性隧道结层形成磁性隧道结单元区域，在磁性隧道结层上依次沉积一绝缘层和一掩模层，通过在同一蚀刻速率下蚀刻掩模层和绝缘层曝露磁性隧道结单元区域的上表面，以及在绝缘层和磁性隧道结层上面沉积一金属层。
形成接触纳米尺寸磁性隧道单元方法

[发明专利]倒置的宽基底双磁性隧道结器件-CN202180020436.5在审
发明人： P·哈希米;B·多里斯;J·J·诺瓦克;J·Z·孙 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：提供了一种制造双磁性隧道结器件的方法。该方法包括：形成第一磁性隧道结堆叠(204)，在第一磁性隧道结堆叠(204)上形成自旋导电层(206)，以及在自旋导电层(206)上形成第二磁性隧道结堆叠(704)。第二磁性隧道结堆叠(704)的宽度大于第一磁性隧道结堆叠(204)的宽度。相对于相关的单磁性隧道结器件，双磁性隧道结器件可以实现切换效率的提升，并且可以实现潜在地减小切换电流的增加的磁阻比。
倒置基底磁性隧道器件

[发明专利]磁性隧道结单元和制备磁性隧道结单元的方法-CN201410283814.0有效
发明人：张宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-06-23 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种环形磁性隧道结单元和制备环形磁性隧道结单元的方法。上述环形磁性隧道结单元包括下电极、环形磁性隧道结和上电极，环形磁性隧道结设置在下电极的上方，上电极设置在环形磁性隧道结的上方，其中该环形磁性隧道结单元还包括设置在上电极与环形磁性隧道结之间的导电连接层。上述的环形磁性隧道结单元中，在环形磁性隧道结与上电极之间增设了一层导电连接层。在上电极的形成过程中，这层导电连接层能够使上电极的对准过程中具有相对较大的参照尺寸。而且，即使上电极在对准过程中发生轻微偏离，这层导电连接层也能够在上电极与环形磁性隧道结上表面之间形成导电通路，从而防止二者之间出现开路的情况。
磁性隧道单元制备方法

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