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[发明专利]具有永磁体灭弧的开关装置-CN201810834360.X有效
发明人： R.克拉利克 -专利权人：沙尔特宝有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01H9/44 文献下载
摘要：根据本发明提供了，偏吹场包括第一磁场区域和布置在第一磁场区域附近的第二磁场区域，其中第一磁场区域的磁场线沿与第二磁场区域的磁场线的相反方向定向，且其中偏吹场还包括使第一磁场区域和第二磁场区域与彼此连接的过渡区域，其中均从第一磁场区域和第二磁场区域开始的过渡区域中的磁场线的定向朝触点对准，以使过渡区域内的开关电弧取决于电流的方向从触点开始引导到第一磁场区域或第二磁场区域中，且在两种情况中沿相同方向吹离触点。
磁场区域触点过渡区域磁场线电弧开关电弧彼此连接触点断开磁偏吹永磁体灭弧对准关联

[发明专利]具有永磁体灭弧的开关装置-CN201610042594.1有效
发明人： R.克拉利克 -专利权人：沙尔特宝有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01H9/44 文献下载
摘要：根据本发明提供了，偏吹场包括第一磁场区域和布置在第一磁场区域附近的第二磁场区域，其中第一磁场区域的磁场线沿与第二磁场区域的磁场线的相反方向定向，且其中偏吹场还包括使第一磁场区域和第二磁场区域与彼此连接的过渡区域，其中均从第一磁场区域和第二磁场区域开始的过渡区域中的磁场线的定向朝触点对准，以使过渡区域内的开关电弧取决于电流的方向从触点开始引导到第一磁场区域或第二磁场区域中，且在两种情况中沿相同方向吹离触点。
具有永磁体开关装置

[发明专利]一种提高微波谐振腔电磁场分布均匀性的方法及谐振腔结构-CN201710228622.3有效
发明人：李迎光;李楠垭;周靖 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01P7/06 文献下载
摘要：一种提高电磁场分布均匀性的微波谐振腔体方法及结构，其特征是在微波谐振腔体中设置多个强电磁场区域与弱电磁场区域，不同区域被带孔隔离边界分隔开，弱电磁场区域的电磁场由强场区域在边界多次反射后馈入，被加热对象在弱电磁场区域加热本发明能够有效提高被加热对象所在弱电磁场区域的电磁场分布均匀性，降低制件固化温差。
一种提高微波谐振腔电磁场分布均匀方法结构

[发明专利]一种螺线管线圈磁场快速计算方法-CN202010849222.6有效
发明人：李黎;平学伟 -专利权人：河海大学
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种螺线管线圈磁场快速计算方法，方法包括：以螺线管线圈的轴线为z轴，垂直轴线方向为r轴建立柱坐标系，将螺线管线圈所在空间分为近场区与远场区；对于远场区，利用远场区磁场计算公式计算得到远场区磁场，所述远场区磁场计算公式是将磁场计算的三维积分公式转化为用多项式与对数的乘积表示的公式；对于近场区，利用近场区磁场计算公式计算得到近场区磁场，所述近场区磁场计算公式是将三维积分转化为用三角函数与对数表示的积分公式
一种螺线管线圈磁场快速计算方法

[发明专利]对磁场均匀性不足进行补偿的方法和装置-CN200910169695.5有效
发明人：陈进军;倪成 -专利权人：西门子迈迪特(深圳)磁共振有限公司
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： G01R33/387 文献下载
摘要：本发明公开了一种对磁场均匀性不足进行补偿的方法，其包括：确定待匀场的主磁场区域和至少一个附加磁场区域在空间中的位置和大小；对主磁场区域和至少一个附加磁场区域的磁场进行优化计算；根据所述优化计算的结果，在主磁场区域和至少一个附加磁场区域输出均匀磁场采用本发明的方案，在主磁场区域和附加磁场区域形成均匀磁场，从而在局部扩展了均匀磁场，而非向各方向扩展均匀磁场。具有容易实现、更为经济的特点。
磁场均匀不足进行补偿方法装置

[发明专利]一种基于拓扑旋磁光子晶体单向大面积T-型波导分束器-CN202210564938.0有效
发明人：姚建铨;何柳;张雅婷 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于拓扑旋磁光子晶体单向大面积T‑型波导分束器，包括光源、正磁场区域、负向磁场区域和无磁场区域，无磁场区域为十字形区域，正向磁场区域位于无磁场区域左下部分与右上部分，负向磁场区域位于无磁场区域的左上部分与右下部分，光源位于无磁场区域左侧。
一种基于拓扑光子晶体单向大面积波导分束器

[发明专利]靶材及其形成方法、靶材组件及其形成方法-CN201610635420.6在审
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;王学泽;李小萍 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种靶材及其形成方法、靶材组件及其形成方法，其中，靶材用于装载于溅射腔室内，靶材包括溅射面，所述溅射面具有若干凸起，相邻凸起之间具有凹槽；所述溅射腔室内具有若干第一磁场区和若干第二磁场区，所述第一磁场区的磁场强度大于相邻的第二磁场区的磁场强度，所述凸起用于置于第一磁场区，所述凹槽用于置于第二磁场区。
及其形成方法组件

[实用新型]生物磁疗垫-CN200520090309.0无效
发明人：王砚梅 -专利权人：任涛;肖震
申请日： 2005-04-15 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： A61N2/08 文献下载
摘要：一种生物磁疗垫，生物磁疗垫由弱磁场区和强磁场区构成，在底层上弱磁场区由弱磁片排列组成，强磁场区由强磁片排列组成，在磁片上覆有顶层，顶层与底层用缝纫线缝合，磁片固定在顶层与底层之间。生物磁疗垫是通过磁场作用于人体，促进血液循环、细胞内的物质代谢过程，提高抗病和治疗疾病能力，本实用新型根据人体不同部位承受磁场强度不同而设计出弱磁场区和强磁场区，在腹部位置以下置有强磁片形成强磁场区，对于腹部以下所患疾病
生物磁疗

[实用新型]一种隔离开关、触头单元及其引弧结构-CN202221425972.1有效
发明人：韩畅 -专利权人：德力西电气有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01H33/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种引弧结构，用于触头单元，触头单元包括壳体和设置于壳体上的静触头模块和动触头模块，还包括设置于壳体上的产磁件，产磁件于分断面的两侧均产生有第一磁场区和第二磁场区，分断面为动触头模块运动方向的中心面；位于分断面两侧的第一磁场区的磁感线方向相同，位于分断面两侧的第二磁场区的磁感线方向相反；第一磁场区对电弧产生的第一洛伦兹力F1的方向朝向分断面的第一侧或第二侧的第二磁场区；第二磁场区对电弧产生的第二洛伦兹力F2的方向朝向动触头模块运动区域的外侧；第一磁场区较第二磁场区靠近分断面。
一种隔离开关单元及其结构

[实用新型]一种兼具能量分辨和质量分辨的中性粒子分析器-CN201922154140.5有效
发明人：臧临阁;屈玉凡 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：它包括磁场区和电场区两部分，磁场区和电场区串联，磁场区和电场区之间形成空白绝缘区，电场区的外侧设置探测面，电场区与探测面之间形成自由飞行区。本实用新型的技术效果：磁场和电场前后串连组成的NPA分析单元，H+和D+经分析单元偏转后，不同行(探测面视图)之间实现质量分辨
一种兼具能量分辨质量中性粒子分析器

[发明专利]电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法-CN201510512550.6有效
发明人：赖纳·克尼佩梅尔;奥利弗·金茨勒;托马斯·克门;海科·米勒;斯特凡·乌勒曼;马克西米利安·海德尔;安东尼奥·卡萨雷斯;史蒂文·罗杰 -专利权人：卡尔蔡司显微镜有限责任公司;应用材料以色列公司
申请日： 2004-09-07 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01J37/09 文献下载
摘要：该电子光学排布结构提供一次和二次电子束路径，一次束路径用于从一次电子源指向可定位在该排布结构的物面中的物体的一次电子束，二次束路径用于源自物体的二次电子，该结构包括磁体排布结构，其具有第一磁场区，由一次和二次电子束路径穿过，用于将一次和二次电子束路径相互分开；第二磁场区，布置在第一磁场区的上游的一次电子束路径中，二次电子束路径不穿过第二磁场区，第一和第二磁场区沿基本上相反的方向使一次电子束路径偏转；第三磁场区，布置在第一磁场区的下游的二次电子束路径中，一次电子束路径不穿过第三磁场区，第一和第三磁场区沿基本上相同的方向使二次电子束路径偏转。
电子光学排布结构电子检验系统方法

[发明专利]电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法-CN201210111707.0有效
发明人：赖纳·克尼佩梅尔;奥利弗·金茨勒;托马斯·克门;海科·米勒;斯特凡·乌勒曼;马克西米利安·海德尔;安东尼奥·卡萨雷斯;史蒂文·罗杰 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司;以色列实用材料有限公司
申请日： 2004-09-07 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01J37/153 文献下载
摘要：该电子光学排布结构提供一次和二次电子束路径，一次束路径用于从一次电子源指向可定位在该排布结构的物面中的物体的一次电子束，二次束路径用于源自物体的二次电子，该结构包括磁体排布结构，其具有：第一磁场区，由一次和二次电子束路径穿过，用于将一次和二次电子束路径相互分开；第二磁场区，布置在第一磁场区的上游的一次电子束路径中，二次电子束路径不穿过第二磁场区，第一和第二磁场区沿基本上相反的方向使一次电子束路径偏转；第三磁场区，布置在第一磁场区的下游的二次电子束路径中，一次电子束路径不穿过第三磁场区，第一和第三磁场区沿基本上相同的方向使二次电子束路径偏转。
电子光学排布结构电子检验系统方法

[发明专利]具有改进的永磁灭弧的开关装置-CN201880020444.8有效
发明人： R.克拉利克 -专利权人：沙尔特宝有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01H9/44 文献下载
摘要：至少一个第一永磁体被布置并且要么直接地要么经由磁导体与极板中的至少一个接触，使得吹熄场的第一磁场区域被提供在第一侧向极板与中心极板之间，并且使得吹熄场的第二磁场区域被提供在第二侧向极板与中心极板之间，其中，第一磁场区域的磁场线与第二磁场区域的磁场线相反地对准。吹熄场附加地具有过渡区域，该过渡区域将第一磁场区域和第二磁场区域连接在一起，并且磁场线在每种情况下在过渡区域中从第一磁场区域和第二磁场区域开始朝向触点等同地对准，使得断开触点时在过渡区域内产生的切换电弧取决于电流方向从触点引导到要么第一磁场区域中要么第二磁场区域中根据本发明，吹弧装置具有至少一个第二永磁体（15）作为辅助磁体，并且辅助磁体布置成直接接近触点（7.1），使得辅助磁体（15）的磁场（17）的至少一个区段放大过渡区域中的吹熄场。
具有改进永磁开关装置

[实用新型]超声波焊接电源-CN201620172926.3有效
发明人：王森城 -专利权人：珠海灵科自动化科技有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H02M1/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种超声波焊接电源，该电源包括电路板、共模滤波电路、整流滤波电路、变压电路及控制电路，电路板设置有高电压区域、低电压区域、强磁场区域以及弱磁场区域，共模滤波电路及整流滤波电路均设置在高电压区域高电压区域与弱磁场区域相对设置在电路板的第一表面，高电压区域与弱磁场区域分别位于第一表面相对的两侧上。强磁场区域位于高电压区域与弱磁场区域之间，低电压区域位于弱磁场区域内。
超声波焊接电源

[发明专利]用于检验安全元件的磁化装置-CN201480064308.0有效
发明人： J.许茨曼;N.霍尔 -专利权人：捷德货币技术有限责任公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G07D7/04 文献下载
摘要：在这里，沿传送区(20)提供两个有不同磁场方向的磁场区(15、16)，其中，位于下游的磁场区(16)的磁场强度小于沿传送方向第一磁场区(15)的磁场强度。按本发明，使用两个磁铁(11、12)，它们配合工作产生两个磁场区(15、16)。为此目的这些磁铁配置为，第一磁铁(11)和第二磁铁(12)将它们的北极和它们的南极分别相对于传送区(20)彼此相对置。
用于检验安全元件磁化装置

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