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[发明专利]半导体性单壁碳纳米管的制备方法-CN201210075759.7有效
发明人：李杰;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，包括以下步骤：提供一基体，该基体具有一第一表面；提供一单壁碳纳米管薄膜结构，将该单壁碳纳米管薄膜结构设置于所述基体的第一表面，所述单壁碳纳米管薄膜结构包括多个金属性单壁碳纳米管和半导体性单壁碳纳米管；将一高分子材料层设置于所述单壁碳纳米管薄膜结构上，形成一复合结构，所述高分子材料层包覆单壁碳纳米管中的每一个金属性单壁碳纳米管和每一个半导体性单壁碳纳米管；将所述复合结构放置于一电磁波环境中，除去包覆金属性单壁碳纳米管的高分子材料层，使金属性单壁碳纳米管暴露；除去所述金属性单壁碳纳米管；除去包覆半导体性单壁碳纳米管的高分子材料层，得到半导体性单壁碳纳米管。
半导体性单壁碳纳米制备方法

[发明专利]包含化学改良碳纳米管结构的化学微粒过滤器-CN200510079654.9有效
发明人：史蒂文·J·霍姆斯;马克·C·黑基;戴维·V·霍勒克;詹姆斯·G·瑞安 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管过滤器、碳纳米管过滤器的应用，以及形成碳纳米管过滤器的方法。该方法包括：(a)提供碳源和碳纳米管催化剂；(b)通过使碳源与纳米管催化剂反应，生长碳纳米管；(c)通过在碳纳米管上形成化学活性层或在碳纳米管的侧壁上形成化学反应基，形成化学活性碳纳米管；以及(d)将化学活性纳米管放置在过滤器壳体内
包含化学改良纳米结构微粒过滤器

[发明专利]电子器件及其制造方法-CN200380103349.8无效
发明人：丸山竜一郎;阿多诚文;白石诚司 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2003-11-05 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：绝缘栅极场效应晶体管包括多壁碳纳米管(10)，其中，多壁碳纳米管(10)具有外部半导体碳纳米管层(1)以及部分被外部半导体碳纳米管层(1)所覆盖的内部金属化碳纳米管层(2)。金属源电极(3)和金属漏电极(5)与半导体碳纳米管层(1)的两端相接触，而金属栅极电极(4)与金属化碳纳米管层(2)相接触。在半导体碳纳米管层(1)和金属化碳纳米管层(2)之间的空间作为栅极绝缘层使用。包括外部半导体碳纳米管层(1)和内部金属化碳纳米管层(2)的两层选自多壁碳纳米管的碳纳米管层。这些层都处理成适用于用于作为多壁碳纳米管(10)使用的形式。
电子器件及其制造方法

[发明专利]场发射电子源的制备方法-CN200810066127.8有效
发明人：魏洋;刘亮;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2008-03-19 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：一种场发射电子源的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿同一方向延伸排列；提供一第一电极和一第二电极，将碳纳米管薄膜的两端分别固定于第一电极和第二电极上，该碳纳米管薄膜中碳纳米管从第一电极向第二电极延伸；通过使用有机溶剂处理该碳纳米管薄膜，形成多个碳纳米管线；将该碳纳米管线通电流加热熔断，得到多个碳纳米管针尖；提供一导电基体，将一碳纳米管针尖设置于该导电基体上，形成一场发射电子源。
发射电子制备方法

[发明专利]碳纳米管海绵及其制备方法-CN201410320675.4有效
发明人：罗姝;王佳平;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：一种碳纳米管海绵的制备方法，包括制备一碳纳米管原料,所述碳纳米管原料为从一碳纳米管阵列直接刮取获得；将该碳纳米管原料加入至一有机溶剂中，并超声震荡，形成一絮状结构；对所述絮状结构进行水洗；在真空环境下，对水洗后的絮状结构进行冷冻干燥，获得一碳纳米管海绵预制体；以及对所述碳纳米管海绵体预制体进行碳沉积，获得所述碳纳米管海绵。本发明还涉及一种通过上述方法获得的碳纳米管海绵。
纳米海绵及其制备方法

[发明专利]一种多取向碳纳米管复合膜及其制备方法-CN202110858072.X在审
发明人：冯红丽;张玲;辛培培;邓飞;李雪松 -专利权人：深圳烯湾科技有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本申请属于纳米材料制备技术领域，尤其涉及一种多取向碳纳米管复合膜及其制备方法，本申请提供的多取向碳纳米管复合膜包括两层以上层叠的碳纳米管取向薄膜，且相邻两层碳纳米管取向薄膜的取向交叉，制备方法具体步骤：S1：获取碳纳米管取向薄膜；S2：将两张以上的碳纳米管取向薄膜层叠处理，且相邻两层碳纳米管取向薄膜之间的取向交叉形成夹角θ；S3：将上述层叠后的碳纳米管取向薄膜致密后得到多取向碳纳米管复合膜；本方法将碳纳米管取向薄膜沿不同方向层叠致密，从而解决单张碳纳米管取向薄膜在垂直轴向方向的电磁屏蔽效能弱的问题，使得多取向碳纳米管复合膜在各个方向的电磁屏蔽效能一致，增大多取向碳纳米管复合膜的总屏蔽效能。
一种取向纳米复合及其制备方法

[发明专利]碳纳米管扁丝及其制备方法和制备装置-CN201610807889.3在审
发明人：赵静娜;黄玉耀;张骁骅;勇振中;李达;金赫华;李清文 -专利权人：苏州捷迪纳米科技有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： D02J1/22 文献下载
摘要：本发明揭示了一种碳纳米管扁丝及其制备方法和制备装置，所述碳纳米管扁丝的制备方法包括步骤引出碳纳米管原纱束；将碳纳米管原纱束依次半绕包于线速度顺序增大的至少四个滚轴上，以使碳纳米管原纱束被牵伸；其中，碳纳米管原纱束于至少四个滚轴之间呈S形延伸，以使至少两个滚轴可分别抵撑碳纳米管原纱束的相对两侧；得到碳纳米管扁丝。与现有技术相比，本发明通过逐级牵伸的方法，大大提高碳纳米管扁丝的制备速率；碳纳米管扁丝中碳纳米管沿扁丝轴向取向排列，在使用过程中减小了方向性的问题；碳纳米管扁丝呈扁平状，其内部碳纳米管间的结合程度较高且密度增大；在使用过程中碳纳米管扁丝之间、或与树脂的接触面积增大，提高界面结合性能。
纳米管扁丝及其制备方法装置

[发明专利]一种碳纳米管增强铜基复合材料及其制备方法-CN202110754604.5在审
发明人：亚斌;张兴国;周秉文;孟令刚;房灿峰 -专利权人：大连理工大学;大连理工大学宁波研究院
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管增强铜基复合材料及其制备方法，步骤为：1)将碳纳米管进行酸化处理获得表面功能化碳纳米管；2)将表面功能化碳纳米管与铜盐酒精溶液混合超声处理，使铜离子附着于碳纳米管表面；酒精蒸发后得到铜离子‑碳纳米管复合粉体；3)将铜离子‑碳纳米管复合粉体在100～300℃加热0.5～4h，使附着在碳纳米管表面的铜离子氧化成氧化铜，获得氧化铜‑碳纳米管粉体；4)将氧化铜‑碳纳米管粉体在800～1200℃处理30min～4h，利用碳纳米管的还原性将氧化铜还原成铜单质，获得铜‑碳纳米管粉末；5)将铜‑碳纳米管作为增强体，采用粉末冶金法或铸造法制备碳纳米管增强铜基复合材料。
一种纳米增强复合材料及其制备方法

[发明专利]一种碳纳米管催化臭氧化水处理方法-CN201310411413.4无效
发明人：高嵩 -专利权人：高嵩
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： C02F1/78 文献下载
摘要：碳纳米管催化臭氧化水处理方法：待处理水先进行预处理，再进行碳纳米管催化臭氧化处理，然后经后处理即出水，其特征在于碳纳米管催化臭氧化过程中催化剂碳纳米管与臭氧的摩尔比为0.01～5∶1，臭氧投加量为0.1～1000mg/L，催化臭氧化反应器中水流速度为1～20m/h，臭氧和碳纳米管与水的接触时间为30s～300min；其中碳纳米管为负载活性物的单壁碳纳米管、双壁碳纳米管、多壁碳纳米管、定向生长碳纳米管和/或碳纳米纤维。
一种纳米催化臭氧水处理方法

[实用新型]抗辐照碳纳米管晶体管及集成电路系统-CN202020999290.6有效
发明人：朱马光;肖洪山;张志勇;赵建文;彭练矛 -专利权人：北京元芯碳基集成电路研究院;北京大学;北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本公开提供了一种抗辐照碳纳米管晶体管，包括：抗辐照衬底；碳纳米管粘附层，碳纳米管粘附层形成在抗辐照衬底上；碳纳米管层，碳纳米管层形成在碳纳米管粘附层上，碳纳米管层作为沟道；以及栅介质，栅介质为至少在碳纳米管层的一部分上形成的聚合物离子液体凝胶
辐照纳米晶体管集成电路系统

[发明专利]一种高度水溶性碳纳米管的制备方法-CN200510016888.9无效
发明人：陈春海;胡南滔;周宏伟;党国栋 -专利权人：吉林大学
申请日： 2005-06-17 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明属于纳米技术领域，具体涉及一种高度水溶性碳纳米管的制备方法。包括碳纳米管的酸化纯化处理、碳纳米管的酰氯化以及碳纳米管的接枝三个步骤。本发明是在不破坏碳纳米管的高度长径比及其电子价带结构等性质的基础上，通过化学修饰将赖氨酸接枝到碳纳米管管壁和端口上，从而赋予碳纳米管高度水溶性和生物相容性，其在水中的溶解度高达30mg/ml。具体是将碳纳米管置于HNO₃中回流，除去碳纳米管中存在的杂质金属催化剂颗粒，并且将碳纳米管羧基化，碳纳米管的酰氯化处理是将纯化碳纳米管置于SOCl₂中回流，使带有羧基的碳纳米管完全酰氯化，最后再通过碳纳米管上的酰氯基团与接枝物赖氨酸分子中的氨基发生酰胺化反应实现的。
一种高度水溶性纳米制备方法

[发明专利]外延结构的制备方法-CN201410115532.X有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构的制备方法，包括以下步骤：提供一自支撑的碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管有序排列且通过范德华力相互连接；将所述碳纳米管膜悬空设置并进行表面处理，在所述多个碳纳米管的表面引入缺陷；采用原子层沉积法在所述表面处理后的碳纳米管膜的多个碳纳米管的表面生长一层纳米材料层；将生长有纳米材料层的碳纳米管膜进行退火处理，去除所述碳纳米管膜，形成多个纳米管，且所述多个纳米管有序排列且相互连接形成一自支撑的纳米管膜；将该纳米管膜设置于一基底的外延生长面；以及在所述基底的外延生长面生长一外延层。
碳纳米管膜纳米管碳纳米管纳米材料层外延生长面外延结构基底制备原子层沉积法表面生长范德华力退火处理悬空设置生长外延层支撑去除引入

[发明专利]碳纳米管膜-CN200810217820.0有效
发明人：姜开利;冯辰;肖林;陈卓;刘亮;范守善;李群庆;潜力;刘锴;魏洋 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2008-11-14 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管膜，其包括：多个第一碳纳米管；以及多个第二碳纳米管，其中，所述多个第一碳纳米管沿同一方向定向排列，至少部分第二碳纳米管与至少两个第一碳纳米管接触。
纳米

[发明专利]一种碳纳米管灯丝及其制备方法-CN200310103042.X有效
发明人：韦进全;朱宏伟;张先锋;李延辉;丁俊;吴德海;魏秉庆 -专利权人：清华大学
申请日： 2003-10-31 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： H01K1/06 文献下载
摘要：一种碳纳米管灯丝及其制备方法，属于碳纳米材料应用技术领域。为了开发碳纳米管的电学和光学方面的优异性能，推进碳纳米管的实用化进程，解决钨丝发光效率较低的问题，本发明公开了一种碳纳米管灯丝，所述灯丝是由单壁或双壁碳纳米管制成的。该灯丝的制备方法，包括前序纯化处理步骤，然后将单壁碳纳米管长丝或双壁碳纳米管膜放入丙酮或者酒精溶液中充分浸润；将单壁碳纳米管长丝或双壁碳纳米管膜从丙酮或者酒精溶液中取出，待丙酮或者酒精挥发后，双壁碳纳米管膜自然形成一束致密的碳纳米管长丝；在外力的作用下使单壁或双壁碳纳米管长丝的粗细沿着长度方向均匀；烘干后即得到灯丝。本发明制备的碳纳米管灯丝的阈值电压低，发光效率高，亮度高。
一种纳米灯丝及其制备方法

[发明专利]一种具有高导电性单壁碳纳米管纤维的制备方法-CN202010977663.4有效
发明人：刘畅;焦新宇;侯鹏翔;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： D01F9/12 文献下载
摘要：本发明涉及碳纳米管纤维制备领域，具体为一种具有高导电性单壁碳纳米管纤维的制备方法。采用浮动催化剂化学气相沉积法制备具有高质量、大长径比的单壁碳纳米管。使用过氧化氢对高质量单壁碳纳米管进行预分散。使用氯磺酸溶解单壁碳纳米管制备出单壁碳纳米管液晶，将单壁碳纳米管液晶注射进入丙酮凝固浴中得到成型的单壁碳纳米管纤维。本发明使用过氧化氢对浮动催化剂化学气相沉积法制备的高质量单壁碳纳米管进行预分散，再使用氯磺酸分散单壁碳纳米管获得定向排列的碳纳米管液晶，规避了传统单壁碳纳米管分散工艺中的超声处理对碳纳米管结构的破坏，同时提高了纤维中碳纳米管的定向性和密实化程度
一种具有导电性单壁碳纳米纤维制备方法

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