专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]碳纳米管薄膜制备方法-CN202010575056.5在审
  • 赵志勇;侯红亮;王卫兵 - 山东碳垣纳米科技有限公司
  • 2020-06-22 - 2020-10-30 - C01B32/16
  • 本发明提供的一种碳纳米管薄膜制备方法,涉及碳纳米管薄膜材料技术领域,包括:将碳源溶液注入反应器,使所述碳源溶液在所述反应器的高温环境下生长成碳纳米管纤维;收集所述碳纳米管纤维,将所述碳纳米管纤维制成碳纳米管薄膜,再将所述碳纳米管薄膜进行轧制处理。在上述技术方案中,为了提高所得到的碳纳米管薄膜的完整性,首先利用由碳纳米管束之间的分子间作用力,将碳纳米管纤维经过缠绕而初步获得碳纳米管薄膜,结合又对获得碳纳米管薄膜进行轧制处理,增强碳纳米管束之间的分子间相互作用,有效提高碳纳米管薄膜的力学与电学性能,拓展碳纳米管薄膜的应用范围。
  • 纳米薄膜制备方法
  • [发明专利]碳纳米管结构的制备方法-CN200910250642.6有效
  • 刘亮;冯辰 - 北京富纳特创新科技有限公司
  • 2009-12-11 - 2020-11-06 - C01B32/162
  • 一种碳纳米管结构的制备方法,其包括以下步骤:提供一筒状碳纳米管阵列;采用一拉伸工具与该筒状碳纳米管阵列接触,从该筒状碳纳米管阵列中选定一碳纳米管片段;以及沿该筒状碳纳米管阵列的径向方向移动该拉伸工具远离该筒状碳纳米管阵列,拉取该选定的碳纳米管片段,从而形成一碳纳米管结构,该碳纳米管结构一端连接该拉伸工具,另一端连接该筒状碳纳米管阵列,在拉伸过程中,在所述碳纳米管结构与该筒状碳纳米管阵列的连接处,该筒状碳纳米管阵列的切面与该碳纳米管结构成一角度
  • 纳米结构制备方法
  • [发明专利]碳纳米管结构的制备方法-CN201610586368.X有效
  • 刘亮;冯辰 - 北京富纳特创新科技有限公司
  • 2009-12-11 - 2018-08-24 - C01B32/162
  • 一种碳纳米管结构的制备方法,其包括以下步骤:提供一筒状碳纳米管阵列;采用一拉伸工具与该筒状碳纳米管阵列接触,从该筒状碳纳米管阵列中选定一碳纳米管片段;以及沿该筒状碳纳米管阵列的径向方向移动该拉伸工具远离该筒状碳纳米管阵列,拉取该选定的碳纳米管片段,从而形成一碳纳米管结构,该碳纳米管结构一端连接该拉伸工具,另一端连接该筒状碳纳米管阵列,在拉伸过程中,在所述碳纳米管结构与该筒状碳纳米管阵列的连接处,该筒状碳纳米管阵列的切面与该碳纳米管结构成一角度
  • 纳米结构制备方法
  • [发明专利]碳纳米管场发射体的制备方法-CN201210087168.1有效
  • 柳鹏;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
  • 2012-03-29 - 2013-10-23 - H01J9/02
  • 一种碳纳米管场发射体的制备方法,包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列,该碳纳米管阵列形成于一生长基底;采用一拉伸工具从所述碳纳米管阵列中选定多个碳纳米管片段拉取获得一碳纳米管膜,该碳纳米管膜包括一三角区碳纳米管膜,所述拉伸工具所选定的多个碳纳米管片段为该三角区碳纳米管膜的一顶部;处理所述拉伸工具所选定的碳纳米管片段,使三角区碳纳米管膜的所述顶部形成一碳纳米管线;采用激光束以三角区碳纳米管膜的所述顶部为中心,沿着三角区碳纳米管膜的切割线切断所述三角区碳纳米管膜,所述三角区碳纳米管膜的切割线至三角区碳纳米管膜的顶部的距离为10微米~5毫米,得到一扇形或三角形的碳纳米管场发射体。
  • 纳米发射制备方法
  • [发明专利]过滤膜及其制备方法-CN200710077455.3有效
  • 刘长洪;王鼎;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
  • 2007-11-30 - 2009-06-10 - B01D71/02
  • 本发明涉及一种过滤膜,其包括一碳纳米管薄膜,其中,该碳纳米管薄膜中包括多个线状碳纳米管,且多个线状碳纳米管相互缠绕形成孔径小于10纳米的微孔结构。一种过滤膜的制备方法,具体包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列形成于一基底上,且该碳纳米管阵列中包括多个相互缠绕的线状碳纳米管;使上述碳纳米管阵列从基底脱离,得到一碳纳米管原料;将上述碳纳米管原料添加到溶剂中并进行絮化处理获得碳纳米管絮状结构;以及将上述碳纳米管絮状结构从溶剂中分离,并对该碳纳米管絮状结构定型处理形成一碳纳米管薄膜,从而获得一过滤膜。
  • 滤膜及其制备方法
  • [发明专利]一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法-CN201410119928.1在审
  • 仲东来;张志勇;彭练矛;王胜 - 北京大学
  • 2014-03-27 - 2014-07-23 - H01L21/02
  • 本发明提出一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法,是利用当碳纳米管与金属接触时,半导体性碳纳米管会形成肖特基势垒,而金属性碳纳米管则不会,故半导体性碳纳米管接触形成的电阻更大,造成同样电压下半导体性碳纳米管电流比金属性碳纳米管电流小,基于此,可以采用电流灼烧、微波辅助烧断和热毛细胶法等方法去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管。本发明制备工艺简单,可利用的碳纳米管占据整根碳纳米管比例更高,所获得的半导体碳纳米管整体径更小,电学性能更好;金属性碳纳米管完全去除,可以得到纯度100%的半导体碳纳米管,所以开关比更大,适合做高速数字电路
  • 一种去除纳米阵列金属性方法
  • [发明专利]碳纳米管膜及基于该碳纳米管膜的复合膜-CN201010203160.8有效
  • 冯辰;潜力;刘亮 - 北京富纳特创新科技有限公司
  • 2010-06-18 - 2010-12-22 - H01B5/14
  • 本发明涉及一种碳纳米管膜,该碳纳米管膜包括多个多个基本相互平行且基本平行于碳纳米管膜表面排列的碳纳米管,该碳纳米管膜的具有电阻各向异性,其在垂直于碳纳米管排列方向上的方块电阻为兆欧级。本发明还提供一种碳纳米管复合膜,该碳纳米管复合膜包括一高分子基体以及设置于高分子基体中的碳纳米管膜,该碳纳米管膜包括多个基本相互平行且基本平行于碳纳米管膜表面排列的碳纳米管,该碳纳米管膜的具有电阻各向异性,其在垂直于碳纳米管排列方向上的方块电阻为兆欧级。该兆欧级碳纳米管膜或碳纳米管复合膜可应用于透明电极、薄膜晶体、触摸屏等领域。
  • 纳米基于复合

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