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[发明专利]一种氮化硼-碳化硼复合陶瓷的制备方法-CN201710731053.4在审
发明人：赵云龙 -专利权人：张家港市东威新材料技术开发有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C04B35/583 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硼‑碳化硼复合陶瓷的制备方法，包括：(1)将硼酸和尿素按照一定物质的量之比混合，加入无水乙醇，球磨6～8h后置于950～1200℃的氮气气氛中保温2～4h，得到氮化硼粉末；(2)向上述氮化硼粉末中加入碳化硼粉末，混合均匀，加入无水乙醇，球磨8～10h，得到氮化硼‑碳化硼复合粉末；(3)将上述氮化硼‑碳化硼复合粉末置于真空烧结炉中，于700～1000℃的氮气气氛中煅烧2～10h，得到氮化硼‑碳化硼复合陶瓷。本发明中的方法制备得到的氮化硼‑碳化硼复合陶瓷，具有抗弯强度高、断裂韧性高以及可加工性能好等优点。
氮化硼碳化硼复合陶瓷制备氮化硼粉末复合粉末无水乙醇球磨硼酸可加工性能碳化硼粉末真空烧结炉断裂韧性抗弯煅烧尿素保温

[发明专利]一种气压固相烧结碳化硼复相陶瓷及其制备方法-CN201811599723.2有效
发明人：段春雷;付利华;李晓臣;保玉芝;赵强 -专利权人：宁夏机械研究院股份有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硼陶瓷领域，提供了一种气压固相烧结碳化硼复相陶瓷及其制备方法。该制备方法包括以亚微米级碳化硼微粉、碳化钛粉、烧结助剂、碳源和有机粘结剂为原料，将原料混合，造粒后，经模压成型为生胚，将生胚先经常压烧结，再经加压烧结，随后冷却。其采用先常压烧结，再加压烧结的方式进行烧结，能够使碳化硼和碳化钛在高温时反应生成二硼化钛，使陶瓷材料两相之间具有更好的连接强度，其相对于目前广泛使用的热压烧结碳化硼技术，生产成本更低，生产效率更高。制备获得的气压固相烧结碳化硼复相陶瓷的晶界表面干净，碳化硼复合陶瓷晶界之间结合更好，具有良好的机械性能。
一种气压烧结碳化硼复相陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种碳纤维表面镀碳化硼的方法-CN201910904312.8有效
发明人：孟庆南;吴金昊;孙友宏;张弛;刘宝昌;高科 -专利权人：吉林大学
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： D06M11/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纤维表面镀碳化硼的方法，属于复合材料制备技术领域，本发明主要是以硼粉和硼酸为硼源，经300℃恒温30分钟、1050℃～1200℃恒温10分钟～360分钟的工序对碳纤维表面渗硼，使碳纤维表面镀上碳化硼膜本发明提供了一种工艺简单、镀层均匀的碳纤维表面镀碳化硼层的方法，使得碳纤维在制备铝基复合材料中避免碳纤维氧化、提高碳纤维和铝合金基体的润湿性、减少界面化学反应，提高碳纤维铝基复合材料的性能。
一种碳纤维表面碳化方法

[发明专利]一种二氧化硅包覆二硼化锆-碳化硅的复合粉体-CN201711024433.0有效
发明人：柳彦博;马壮;孙世杰;朱时珍;郭嘉仪;张贺 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C09C1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种二氧化硅包覆二硼化锆‑碳化硅的复合粉体，属于复合粉体材料技术领域。所述复合粉体为核壳结构，壳层为二氧化硅，核为二硼化锆‑碳化硅团聚粉体；其中，二氧化硅包覆层可以抑制在等离子喷涂过程中碳化硅的挥发，降低碳化硅的损失，由于二氧化硅熔点低于硼化锆，在涂层制备过程中，二氧化硅可以进一步填充涂层中片层搭接造成的间隙在所述复合粉体的制备过程中，采用分批次二次造粒方法提升不同粒径二硼化锆‑碳化硅团聚粉体包覆层厚度的一致性，所制备的复合粉体具有球形度好、致密度高以及流动性好的特点，满足等离子喷涂对于粉体的要求。
一种二氧化硅包覆二硼化锆碳化硅复合

[实用新型]一种新型碳化硼煅烧耐火炉体-CN201520926594.9有效
发明人：徐明;何天赐 -专利权人：桐城市明丽碳化硼制品有限公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型碳化硼煅烧耐火炉体，所述炉体为圆柱形，包括三层耐火材料，最外层为金刚砂层，向内依次为石墨层、白刚玉层，所述金刚砂层、石墨层、白刚玉层层间距为4㎝，所述石墨层、白刚玉层之间的空隙布满三花排列的石墨棒本新型结构简单，特殊的结构设计，改变了炉体特性，改善了原有炉体易烧裂的缺点，保证了碳化硼材料煅烧受热均匀度。
一种新型碳化煅烧耐火

[发明专利]一种镁铝水滑石修饰碳化硼基陶瓷的制备方法及其应用-CN202210809026.5在审
发明人：童裳慧 -专利权人：中晶城康资源再生利用技术有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：本发明提供一种镁铝水滑石修饰碳化硼的制备方法，包括如下步骤：将硝酸镁和硝酸铝混合得到硝酸盐水溶液；将氢氧化钠溶液滴定至L‑组氨酸溶液中，得到L‑组氨酸底液；将酸纯化的碳纳米管置于氮气环境中、剧烈搅拌，同时逐滴加入硝烟酸水溶液和L‑组氨酸底液，恒温搅拌进行插层浸渍反应，反应结束后进行晶化处理，晶化处理结束后依次进行离心、洗涤、干燥和煅烧处理，将其与碳化硼微粉均匀混合，依次进行球磨、压片、真空加热处理，通入惰性气体后冷却至室温，得到镁铝水滑石修饰碳化硼；通过上述技术方案，解决现有技术中缺乏能够有效改性碳化硼陶瓷的增韧与致密化程度、得到具有较强的耐高温高压及耐腐蚀能力的碳化硼陶瓷材料的问题。
一种镁铝水滑石修饰碳化陶瓷制备方法及其应用

[发明专利]一种军用碳化硼超细粉体的制备方法-CN202310033295.1在审
发明人：赵国璋;王洪涛;谢铭 -专利权人：中硼科技（威海）有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硼颗粒技术领域，具体为一种军用碳化硼超细粉体的制备方法，包括以下步骤：S1、采用研磨设备对军用的碳化硼原料进行多次破碎研磨，用于制取碳化硼粉体；S2、采用鄂式破碎机对碳化硼粉体进行初步破碎，以及配合卧式球磨机进行二次破碎，并采用筛网过筛，制取碳化硼粗粉；S3、采用酸洗罐使用浓硫酸对碳化硼粗粉进行酸洗，并使用压滤机脱水，以及通过烘干设备进行多次烘干处理，制取碳化硼粗粉纯品。本发明通过进料口倒进研磨球和碳化硼颗粒，在通过第一密封盖与进料口的螺纹连接进行密封，第一电机开始工作，搅拌棒通过搅拌叶的转动带动研磨球进行搅动，能够研磨的更加快速。
一种军用碳化硼超细粉体制备方法

[发明专利]镀镍碳化硼/铝复合涂料及其制备方法和应用-CN200810161815.2无效
发明人：马欣新;唐光泽;郭光伟 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-09-24 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种镀镍碳化硼/铝复合涂料，其组成包括：重量百分比为54-79％的镀镍碳化硼颗粒和21-46％的铝粉。还提供了其制备方法，即通过对碳化硼颗粒预处理及化学镀镍表面改性后与铝粉混合得到镀镍碳化硼/铝复合涂料；以及该镀镍碳化硼/铝复合涂料喷涂在基体上作为空间防护涂层的应用，并由此制作出带有本发明镀镍碳化硼/铝复合涂层的新型空间防护材料其优点在于：通过将碳化硼颗粒进行表面改性处理，实现了采用常规火焰喷涂或等离子喷涂制备高碳化硼含量的涂层，大大降低了喷涂成本；而且，本发明的镀镍碳化硼/铝复合涂层具有轻质的特点和很好的电子辐射吸收性能。
碳化复合涂料及其制备方法应用

[发明专利]一种碳化硅沟槽结构及其制造方法和半导体器件-CN202111162649.X在审
发明人：谭晓宇;林源为 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅沟槽结构及其制造方法和半导体器件，其中碳化硅沟槽结构的制造方法包括：在碳化硅基片的表面形成第一掩膜层；在第一掩膜层上形成具有预设图案的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，对第一掩膜层进行第一刻蚀形成开口，开口暴露出碳化硅基片的表面；以刻蚀后的第一掩膜层为掩膜，对开口暴露出的碳化硅基片表面进行第二刻蚀，形成沟槽；其中，第二刻蚀的工艺条件中使用的刻蚀气体包括：氯气和碳氟类气体的混合物或者氯化硼气体。本发明的氯化硼气体或者碳氟类气体具有提供沟槽侧壁的保护作用，能够形成侧壁垂直且底部圆滑的沟槽结构，且可以增加碳化硅沟槽的深宽比。
一种碳化硅沟槽结构及其制造方法半导体器件

[发明专利]一种无压烧结用碳化硼造粒粉的制备方法-CN202110069549.6有效
发明人：王志江 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：一种无压烧结用碳化硼造粒粉的制备方法，本发明涉及一种无压烧结用碳化硼造粒粉的制备方法。本发明的目的是要解决现有无压烧结碳化硼的致密度难以高于90％且力学性能较差的问题，本发明使用两种分别针对纳米碳化硼和微米碳化硼的分散剂，制备得到分散均匀稳定的纳米碳化硼浆料与微米碳化硼浆料。本发明应用于碳化硼陶瓷制备领域。
一种烧结碳化硼造粒粉制备方法

[发明专利]一种用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层及其连接工艺-CN201810485555.8有效
发明人：钟志宏;王志泉;李华鑫;孙博文;宋奎晶;朱志雄 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层及其连接工艺，其中用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层的原料及配比构成如下：高纯钛碳化硅60‑80wt.％；高纯碳化硼20‑40wt.％；高纯硅，添加质量为高纯钛碳化硅和高纯碳化硼总质量的1‑35wt.％。本发明利用放电等离子烧结技术，在真空条件下制备了连接层厚度为50‑200μm的SiC接头，室温下最高的剪切强度达到了168.3MPa；连接层复合材料硬度可达28.7GPa，超过了SiC母材的硬度，具有较高的实用价值由于连接层材料是由与碳化硅性能相近的复相陶瓷组成，因此连接件的抗氧化和耐腐蚀等性能也将得到提高。
一种用于扩散连接碳化硅陶瓷复合中间层及其工艺

[发明专利]碳化硼纯化方法-CN201911305909.7有效
发明人：刘媛;薛平;董明 -专利权人：赛福纳米科技（徐州）有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C01B32/991 文献下载
摘要：一种碳化硼纯化方法，属于材料提纯技术领域。该碳化硼纯化方法包括以下步骤：S1，去除待纯化碳化硼中金属杂质；S2，将步骤S1得到的碳化硼放入纯化腔体，将过量氧化硼放入预热腔体；S3，自预热腔体向纯化腔体持续通入氩气，然后分别加热纯化腔体和预热腔体至设定温度，氧化硼受热产生氧化硼蒸气，随氩气气流进入纯化腔体，与碳化硼中杂质游离碳、单质硼、单质硅反应，未反应的过量氧化硼蒸气进入冷凝腔体，冷凝结晶，尾气一氧化碳经长明火消除；S4，在预热腔体中氧化硼耗尽后，继续通氩气吹扫一段时间，之后停止加热，自然冷却至室温，之后停止通气，打开纯化腔体取出已纯化的碳化硼。本发明利用氧化硼高温气化、碳热还原反应的特性，对碳化硼进行纯化。
碳化纯化方法

[发明专利]一种碳化硼基复合材料及其制备方法和应用-CN202211580705.6在审
发明人：范红娜;齐长见;李鑫;方炳程;田歌;李敏敏 -专利权人：中航装甲科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硼基复合材料及其制备方法和应用，所述碳化硼基复合材料由以下重量份的原料制备而得：有机碳源1‑4份；铜源4‑8份；碳化硼粉140‑150份。本发明所述的碳化硼基复合材料的抗弹性能相较于纯碳化硼陶瓷获得显著提升，并且通过压痕法测试了复合材料的断裂韧性，发现石墨烯纳米片有效改善了碳化硼陶瓷的脆性。
一种碳化复合材料及其制备方法应用

[实用新型]爆炸破片防护结构-CN202121447203.7有效
发明人：凌晓东;王浩喆;陈国鑫;顾蒙;于安峰;党文义;康泽天 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中石化安全工程研究院有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： F42D5/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种爆炸破片防护结构，包括：碳化硼陶瓷板、增强层、高分子弹性层和弹性填充物；碳化硼陶瓷板、增强层及高分子弹性层依次堆叠设置；增强层包括：网状纤维复合层、增强填充物及两片波纹板，两片波纹板相对贴合设置于网状纤维复合层的两面，增强填充物填充在波纹板与网状纤维复合层之间的间隙中，弹性填充物对应填充在其中一片波纹板与碳化硼陶瓷板之间的间隙中及另一片波纹板与高分子弹性层之间的间隙中。
爆炸破片防护结构

[发明专利]一种碳化硼陶瓷及其制备方法和应用-CN202111120296.7有效
发明人：李亚东;刘欢;郑志礼;彭斌;袁林军 -专利权人：北京安达维尔航空设备有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明属于结构复合材料技术领域，提供了一种碳化硼陶瓷及其制备方法和应用。本发明的碳化硼陶瓷使用双重表面改性的连续碳化硅纤维织物作为增强体，于陶瓷基体中构成了增强阵列；同时，连续碳化硅纤维织物表面的钛源先高温裂解，然后通过烧结在有机碳源的辅助下还原成金属钛，之后与碳化硅纤维和碳化硼基体分别反应构成偶联和桥接，提高了连续碳化硅纤维织物和碳化硼基体之间的界面结合强度；另外，连续碳化硅纤维织物表面的钛源在烧结后会转化为碳化钛和硼化钛等韧性相，在碳化硼基体中构成了韧性阵列，起到增韧效果。实施例表明，所得碳化硼陶瓷的抗弯强度和断裂韧性显著提高；用于防弹衣和防弹装甲时，抗多发弹能力较好。
一种碳化陶瓷及其制备方法应用