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[实用新型]一种生产碳化硅粉末用气流分级机-CN202020514851.9有效
发明人：林斌;张玉磊 -专利权人：内蒙古申弘新材料科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： B07B9/00 文献下载
摘要：本实用新型属于气流分级机技术领域，尤其是一种生产碳化硅粉末用气流分级机，针对现有的碳化硅粉末原料中掺杂颗粒较大的碳化硅或者杂质，会影响后续的加工，拉低碳化硅粉末中碳化硅纯度，且分离碳化硅粉末后排出的气体中难免会掺杂更细微的碳化硅粉末，如不进行收集会对环境造成污染同时造成资源浪费的问题，现提出如下方案，其包括分级壳体和细粉末壳体、风机，本实用新型中通过设置粗过滤板和细过滤板，使得碳化硅粉末原料中的颗粒较大的碳化硅或者杂质被进一步的筛除，提高碳化硅粉末中碳化硅纯度，且分离碳化硅粉末后排出的气体进一步对更细微的碳化硅粉末进行过滤，防止对环境造成污染和资源的浪费。
一种生产碳化硅粉末气流分级

[发明专利]一种碳化硅表面处理方法-CN201910425889.0在审
发明人：刘骏;刘振华;张海 -专利权人：湖南太子新材料科技有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅表面处理方法，包括：步骤一、对碳化硅颗粒进行粉碎并筛选出粒径为5～10μm的碳化硅粉末；步骤二、将所述碳化硅粉末置于温度为700～800℃的马弗炉中进行煅烧，以除去所述碳化硅粉末表面的游离碳；步骤三、对除碳后的碳化硅粉末进行酸洗和碱洗，以对除碳后的碳化硅粉末进行提纯；步骤四、将提纯后的碳化硅粉末分别进行分散浆化、物理分散、沉淀分离、烘干，即得表面处理后的碳化硅微粉。本发明公开的碳化硅表面处理方法能够针对性的除去碳化硅表面的杂质，提高碳化硅微粉的分散性，且成本低，能耗低。
碳化硅粉末碳化硅表面碳化硅微粉提纯碳化硅颗粒沉淀分离物理分散分散浆分散性马弗炉游离碳烘干碱洗粒径酸洗煅烧能耗筛选

[发明专利]碳化硅粉末和制造碳化硅粉末的方法-CN201280001101.X无效
发明人：佐佐木信;井上博挥 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2012-01-26 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅晶体生长用碳化硅粉末和制造所述碳化硅粉末的方法。通过将硅小片(1)与碳粉末(2)的混合物(3)进行加热并其后将所述混合物粉碎而形成所述碳化硅粉末且所述碳化硅粉末基本由碳化硅构成。
碳化硅粉末制造方法

[发明专利]一种生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚及生长方法-CN202211655385.6在审
发明人：高升吉;沈志康 -专利权人：德清州晶新材料科技有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长设备技术领域，具体涉及一种生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚及生长方法，生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚包括坩埚本体、多个支撑构件、坩埚密封盖、籽晶、第一电机、转轴和容纳框；将碳化硅粉末放入容纳框内，通过外部加热源对坩埚本体进行加热，开启第一电机带动容纳框内的碳化硅粉末转动，使碳化硅粉末均匀受热；通过设置容纳框来容纳碳化硅粉末，使得碳化硅粉末不与坩埚本体内壁接触，同时设置第一电机驱动容纳框转动，使容纳框内的碳化硅粉末转动而均匀受热，从而避免碳化硅粉末长期与坩埚本体内壁接触，防止碳化硅粉末因温度过高而生成碳化颗粒。
一种生长高纯绝缘碳化硅晶体坩埚方法

[发明专利]碳化硅精细陶瓷用碳化硅微粉的制备方法-CN201810940508.8有效
发明人：顾文华;顾旭;徐世杰;万立斌 -专利权人：宁夏和兴碳基材料有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅陶瓷材料技术领域，具体涉及一种碳化硅精细陶瓷用碳化硅微粉的制备方法。该方法将碳化硅原料粉碎成粒径25～40微米的碳化硅粉末A；利用石蜡油与松节油的混合物作为浮选剂对碳化硅粉末A进行浮选，直至浆料中不再浮出游离碳，最终收集碳化硅粉末A，用水超声清洗并干燥，得到一级纯化粉末；将一级纯化粉末粉碎成粒径10～15微米的碳化硅粉末B，然后利用球磨机对碳化硅粉末B进行整形，球磨1～2h，得到整形粉末；然后分别酸洗和碱洗进行二级提纯，在进行分散、分级、包装。本发明的方法可对碳化硅原料进行提纯，将碳化硅原料分粒径段粉碎，将整形与提纯交替进行，可有效降低碳化硅原料中的游离碳、游离硅和二氧化硅的含量。
碳化硅精细陶瓷制备方法

[发明专利]碳化硅粉末及其制备方法-CN201380050878.X有效
发明人：闵庚皙 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：提供了一种制备碳化硅粉末的方法，该方法包括将第一碳化硅粉末与液态碳化硅前体混合；在第一温度下对该混合物进行退火并且将碳化硅前体转化为β相碳化硅颗粒物质；以及在第二温度下对该物质进行退火并且利用β相碳化硅颗粒物质将第一碳化硅粉末晶粒生长为第二碳化硅粉末
碳化硅粉末及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅陶瓷膜支撑体及其制备方法-CN201110212487.6无效
发明人：洪昱斌;翁志龙;蓝伟光 -专利权人：三达膜科技(厦门)有限公司
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： B01D69/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅陶瓷膜支撑体及其制备方法。该支撑体的原料粉末为碳化硅粉末1与碳化硅粉末2组成的混合粉末，其中碳化硅粉末1的中位粒径D50为25-45μm，碳化硅粉末2的中位粒径D50小于5μm，碳化硅粉末1与碳化硅粉末2的D50的比值≥6，碳化硅粉末2的用量为所用碳化硅粉末1的重量的0.5-13％。原料粉末与溶剂、粘结剂、增塑剂及造孔剂混合形成泥料，泥料经压模形成生坯，生坯经脱水脱脂成煅烧制品，煅烧制品在氩气或氢气气氛或真空内烧结成为重结晶碳化硅陶瓷膜的支撑体。所制得的重结晶碳化硅陶瓷膜支撑体拥有比传统商品化的氧化铝陶瓷膜支撑体更高的过滤通量与强度。
一种碳化硅陶瓷膜支撑及其制备方法

[发明专利]碳化硅粉末和碳化硅单晶的制造方法-CN201380076003.7有效
发明人：增田贤太;一坪幸辉;铃木将和;野中洁;加藤智久;田中秀秋 -专利权人：太平洋水泥株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：提供一种碳化硅粉末，其用作升华再结晶法的原料的情况下，升华速度快且未升华而残存的碳化硅的量少，因此能够提高碳化硅单晶的生产率，并且碳化硅单晶(例如单晶晶片)能够大型化。碳化硅粉末是勃氏比表面积为250～1,000cm²/g的碳化硅粉末，该碳化硅粉末的总量中，粒度超过0.70mm且为3.00mm以下的碳化硅粉末的比例为50体积％以上。通过将碳化硅粉末5收容至坩埚1内并加热使其升华，能够使碳化硅的单晶6形成于设置于上盖3的底面部分的籽晶4上。
碳化硅粉末制造方法

[发明专利]具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备-CN202110608165.7有效
发明人：陈启生;许学仁 -专利权人：中科汇通（内蒙古）投资控股有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明申请公开了一种具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，包括石英管、感应线圈和石墨坩埚，所述石墨坩埚包括碳化硅粉末加热区、生长腔室和籽晶托，所述碳化硅粉末加热区与所述生长腔室之间还设有第二盖板和第三盖板，所述碳化硅粉末加热区底部设有穿过碳化硅粉末的竖直气管。本发明申请的技术方案采用石墨坩埚底部结构和多盖板相配合的结构，实现了对碳化硅粉末加热区的多空间分隔，改变了碳化硅粉末升华后气体组分的输出路径，使得升华气体多次通过碳化硅粉末并形成持续大循环，使得碳化硅粉末得到多次重复加热，协调富硅组分和富碳组分气体的升华速度，进而获得高质量的碳化硅单晶。
具有生长气氛中碳硅比例调节功能碳化硅设备

[发明专利]用于制备碳化硅粉末和单晶碳化硅的方法-CN202080074364.8在审
发明人：梁仁锡;权容禛;金一坤 -专利权人：哈纳材料公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备碳化硅粉末和单晶碳化硅的方法，并且更具体地，涉及包括以下步骤的用于制备碳化硅粉末的方法：将前体气体提供到在反应器中的纤维碳体上以将碳化硅(SiC)沉积在纤维碳体上；将沉积在纤维碳体上的碳化硅回收以得到第一碳化硅粉末；以及使第一碳化硅粉末氧化，其中前体气体的分子包含硅原子和碳原子。
用于制备碳化硅粉末方法

[发明专利]碳化硅粉末、利用其制造碳化硅晶锭的方法及碳化硅晶片-CN202211665498.4在审
发明人：朴钟辉;具甲烈;金政圭;崔正宇;徐正斗;甄明玉 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅粉末、碳化硅粉末的制备方法及碳化硅晶片。碳化硅粉末包含碳和硅，并且在碳化硅粉末中，通过X射线光电子能谱法测量的表面的O1s/C1s是0.28以下。
碳化硅粉末利用制造方法晶片

[发明专利]碳化硅粉末和其制备方法-CN201380054592.9在审
发明人：金柄淑;申东根;韩姃恩;闵庚皙 -专利权人： LG伊诺特有限公司;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施方案，用于制备碳化硅粉末的方法包括以下步骤：将晶种加入β碳化硅粉末中；并且通过热处理该β碳化硅粉末来形成α碳化硅粉末。
碳化硅粉末制备方法

[发明专利]一种提高固相合成碳化硅出料率的合成方法-CN202310905728.8有效
发明人：周元辉;陈建明;刘春艳 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及一种提高固相合成碳化硅出料率的合成方法，包括使碳化硅产物块体进行破碎、筛分、清洗和干燥后获得碳化硅粉末，所述碳化硅产物块体为固相合成获得的碳化硅产物块体，所述碳化硅粉末的粒度为20目~80目；使碳粉、硅粉和所述碳化硅粉末均匀混合后得到用于所述固相合成的原料，所述原料中，所述碳化硅粉末的质量与碳粉和硅粉的质量之和的比值为0.04~0.2；将所述原料铺设至所述固相合成所用的坩埚内，将所述坩埚放入合成炉中，进行固相合成碳化硅。本发明的方法能够提高碳化硅固相合成出料率。
一种提高相合碳化硅出料率合成方法

[发明专利]碳化硅粉末和其制备方法-CN201380054499.8有效
发明人：韩姃恩;申东根;金柄淑;闵庚皙 -专利权人： LG伊诺特有限公司;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C01B32/97 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施方案，制备碳化硅粉末的方法包括以下步骤通过混合碳源和硅源来收集混合物粉末；通过加热该混合物粉末来合成第一碳化硅粉末；通过对第一碳化硅粉末造粒来形成经造粒的粉末；并且通过加热经造粒的粉末来形成具有比第一碳化硅粉末更大的粒子的第二碳化硅粉末
碳化硅粉末制备方法

[发明专利]碳化硅粉末及其制造方法-CN201280040204.7无效
发明人：增田贤太;一坪幸辉;河野恒平;铃木将和;熊坂惇;田中秀秋 -专利权人：太平洋水泥株式会社
申请日： 2012-08-23 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明提供高纯度碳化硅粉末以及可以廉价、大量且安全地制造高纯度碳化硅粉末的方法。本发明涉及杂质含有率为500ppm以下的碳化硅粉末。该碳化硅粉末为硅酸质原料和碳质原料混合而成的碳化硅制造用原料，通过利用艾奇逊炉4的发热体2对碳质原料与硅酸质原料的混合摩尔比(C/SiO₂)为2.5～4.0且杂质含有率为120ppm以下的碳化硅制造用原料1进行加热，可以得到该碳化硅粉末。
碳化硅粉末及其制造方法

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