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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种碲化铋基热电发电元件及其制备方法-CN201510143511.3有效
发明人：唐新峰;鲁强兵;黎萌;姚振国;鄢永高;苏贤礼 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲化铋基热电发电元件及其制备方法，所述碲化铋基热电发电元件包括电极层、阻挡层和碲化铋基热电材料层，且阻挡层位于电极层和碲化铋基热电材料层之间。其制备方法为：分别称取碲化铋基热电材料层、阻挡层及电极层的粉体材料，先将碲化铋基热电材料层的粉体铺设于模具中，并在所述碲化铋基热电材料层两端依次铺设阻挡层粉体和电极层粉体，然后进行烧结实现电极与碲化铋基热电材料的连接，即得到碲化铋基热电发电元件。本发明所得的碲化铋基热电发电元件各界面结合良好，热电性能优良，结合强度高，热稳定性好，制造成本低，能快速方便地大批量制造碲化铋基热电发电元件。
一种碲化铋基热电发电元件及其制备方法

[发明专利]产生类施主效应的碲化铋基热电材料的回收再处理方法-CN202110823036.X在审
发明人：苏贤礼;陶奇睿;唐新峰;李强;张政楷 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种产生类施主效应的碲化铋基热电材料的回收再处理方法，将产生类施主效应的多晶粉末碲化铋基材料通过区熔法制备碲化铋基热电材料块体，从而得到消除类施主效应的碲化铋基热电材料，从而实现已经产生类施主效应的碲化铋基热电材料的回收再处理本发明提出了回收再处理已产生类施主效应的碲化铋基热电材料的解决方案，有助于碲化铋基热电材料的大规模商业化应用。
产生施主效应碲化铋基热电材料回收处理方法

[发明专利]一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法-CN202010541022.4有效
发明人：高达;王丛;王经纬;刘铭;宁提 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法，本发明在硅基碲化镉的最后阶段，即硅基碲化镉经过高温退火之后，增加一个工艺流程生长预设厚度的碲化镉层，且不经退火，实验证明，该方法能够使得碲化镉表面粗糙度减小至1nm以下，从而能够大大提高硅基碲化镉复合衬底的成品率，进而提高了硅基碲化镉的整体品质。
一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法-CN202011292902.9在审
发明人：王经纬;刘铭;宁提;谭振;王成刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法。碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括：对硅基复合衬底材料件依次进行除气处理和束流校正，硅基复合衬底材料件包括层叠设置的硅基衬底层和碲化镉复合衬底层；在束流校正后的硅基复合衬底材料件的碲化镉复合衬底层上外延生长p型掺杂高电导率碲镉汞导电层；在高电导率碲镉汞导电层上外延生长碲镉汞吸收层。碲镉汞红外探测器芯片，包括：硅基复合衬底材料件，包括层叠设置的硅基衬底层和碲化镉复合衬底层；p型掺杂高电导率碲镉汞导电层，层叠设置于碲化镉复合衬底层上；碲镉汞吸收层，层叠设置于p型掺杂高电导率碲镉汞导电层上
碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法

[发明专利]一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法-CN201610896191.3在审
发明人：王经纬;高达;王丛;刘铭;强宇;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本发明的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.4～0.41；所述碲镉汞阻挡层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.5～0.55；所述碲镉汞中波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.3～0.31。借助于本发明的技术方案，得到了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，填补了现有技术中没有硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白。
一种硅基短中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法

[实用新型]一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料-CN201621124857.5有效
发明人：王经纬;高达;王丛;刘铭;强宇;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本实用新型的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.4～0.41；所述碲镉汞阻挡层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.5～0.55；所述碲镉汞中波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.3～0.31。借助于本实用新型的技术方案，得到了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，填补了现有技术中没有硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白。
一种硅基短中波叠层双色碲镉汞材料

[发明专利]计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法及设备-CN202110891080.4有效
发明人：申晨;周朋;杨海燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法及设备。计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法，包括：获取多个温度下碲锌镉基碲镉汞材料件的光致发光信号谱图；通过分析多个光致发光信号谱图，获取三种能级跃迁随温度变化直线；基于三种能级跃迁随温度变化直线，根据波束与能量对应关系，确定能带间距随温度变化情况和不同温度下主导的能级跃迁情况，从而得到碲锌镉基碲镉汞材料件在不同温度的能级结构及变化情况。采用本发明，在不损伤样品的情况下，能够快速计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法，且测试结果较精确。
计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级方法设备

[发明专利]一种通过铁电极化提升碲化铋基热电薄膜功率因子及其器件输出功率的方法-CN202310839061.6在审
发明人：杨君友;罗裕波;李承骏;杨博宇;孙成伟 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N10/852 文献下载
摘要：本发明属于热电薄膜材料制备技术领域，公开了一种通过铁电极化提升碲化铋基热电薄膜功率因子及其器件输出功率的方法，能够得到一种极化促进碲化铋基薄膜热电性能提升的铁电‑热电复合材料，自下而上包括铁电衬底和碲化铋基热电薄膜，该铁电‑热电复合材料经过了极化处理，极化所采用的电场方向垂直于所述碲化铋基热电薄膜的表面。本发明首次将铁电材料与碲化铋基热电材料组合，得到位于铁电衬底上的碲化铋基热电复合材料，通过对铁电衬底施加不同方向和大小的极化，实现对碲化铋基热电薄膜电学性能的调控，优化碲化铋基薄膜热电性能，提升其实际应用价值
一种通过极化提升碲化铋基热电薄膜功率因子及其器件输出功率方法

[发明专利]一种p型碲化铋基合金材料及其制备方法-CN202110490905.1有效
发明人：苏紫珊;蔡新志;朱刘;童培云;肖惠云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种p型碲化铋基合金材料及其制备方法，属于热电材料技术领域。本发明所述择优取向的p型碲化铋基合金材料的制备方法，包括如下步骤：(1)将p型碲化铋基合金前驱体进行区域熔炼，得到p型碲化铋基合金晶棒；(2)将步骤(1)得到的p型碲化铋基合金晶棒投入锤磨筛分机中进行锤击、筛分，即得p型碲化铋基合金材料。本发明采用区域熔炼和锤击筛分相结合的制备方法，所制备的p型碲化铋基合金材料在(00l)晶面方向具有高取向性，可以为应用粉末冶金工艺研究提高p型碲化铋基热电材料提供高取向性原料进行实验开发，易于提升材料的热电性能和机械性能
一种型碲化铋基合金材料及其制备方法

[发明专利]碲基半导体器件的制造方法、由此制造的碲基半导体器件以及薄膜晶体管-CN202180049892.2在审
发明人：郑在景;金兑圭 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲基半导体器件的制造方法，本发明的制造方法，包括：准备基板的步骤；在所述基板上沉积包括碲和氧化碲的碲基半导体材料，来形成碲基半导体层的步骤；以及在所述碲基半导体层上形成钝化层的步骤。此外，由于在制造过程中，碲基半导体层的结晶度得以提高，因此，可以提供电场迁移率和开关电流比等的电特性优异的p型半导体器件。
半导体器件制造方法由此以及薄膜晶体管

[发明专利]一种碲化铋基热电材料的制备方法-CN202111053722.X在审
发明人：李如松;孔栋;况志祥;徐晨辉 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明涉及热电材料制备技术领域，具体涉及一种碲化铋基热电材料的制备方法；包括以下步骤：将Sb、Bi和Te三种单质原料混合后经真空熔融得到合金铸锭后破碎、球磨得到碲化铋基粉末；碲化铋基粉末经过放电等离子烧结得到碲化铋基块体材料；碲化铋基块体材料置于等径角挤压模具中挤压得到碲化铋基热电材料；本发明利用真空熔融、球磨和放电等离子烧结法制得碲化铋基材料，之后通过等径角挤压工艺对其进行二次加工，通过进行多道次的挤压操作，使材料产生大量形变
一种碲化铋基热电材料制备方法

[发明专利]一种提高n型碲化铋基热电材料电性能的方法-CN202210604945.9有效
发明人：苏紫珊;蔡新志;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N10/852 文献下载
摘要：本发明属于碲化铋基热电材料技术领域，公开了一种提高n型碲化铋基热电材料电性能的方法。本发明提供一种提高n型碲化铋基热电材料电性能的方法包括以下步骤：以名义组分为Bi2Te3‑xSex的晶棒为原料，打磨表面，清洗干燥得洁净晶棒；所述x＝0.2～0.5；取所得洁净晶棒，破碎，投入熔炼坩埚底部，进行磁悬浮熔炼至破碎晶棒完全熔化；精炼，快速浇铸，冷却得n型碲化铋基合金；取所得n型碲化铋基合金，粉碎，筛分得n型碲化铋基合金粉体；取所得n型碲化铋基合金粉体，置于模具中烧结，即得。本发明的方法可制得到沿(00l)方向择优取向的n型碲化铋基热电材料，其电性能得到较大的提升。
一种提高型碲化铋基热电材料性能方法

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法-CN202011292895.2在审
发明人：王经纬;刘铭;宁提;谭振;王成刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法。碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括：对硅基衬底层依次进行除气处理和束流校正；在束流校正后的硅基衬底层上外延生长碲化镉复合衬底层；在碲化镉复合衬底层上外延生长p型掺杂高电导率碲化镉导电层；在p型掺杂高电导率碲化镉导电层上外延生长碲镉汞吸收层碲镉汞红外探测器芯片，包括：硅基衬底层；碲化镉复合衬底层，层叠设置于硅基衬底层上；p型掺杂高电导率碲化镉导电层，层叠设置于碲化镉复合衬底层上；碲镉汞吸收层，层叠设置于p型掺杂高电导率碲化镉导电层上。
碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法

[发明专利]基于超薄纳米线和基于纳米级异质结构的热电转换结构及其制备方法-CN201180020572.0无效
发明人：吴越;张根强 -专利权人：普度研究基金会
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：公开包含碲的杆状结晶结构的超薄碲纳米线结构，其中结晶结构由5-6nm之间的直径限定。此外，公开包含碲化铅和碲化铋之一的杆状结晶结构的超薄碲基纳米线结构，其中超薄碲纳米线结构用作前体以产生杆状结晶结构。而且，公开包含哑铃状结晶异质结构的纳米级异质结构碲基纳米线结构，该哑铃状结晶异质结构具有中心杆状部分和连接至各中心杆状部分的各端的一个八面体结构，其中中心杆状部分是碲基纳米线结构并且八面体结构是碲化铅、碲化镉和碲化铋之一。
基于超薄纳米级异质结构热电转换及其制备方法

[发明专利]一种纳米颗粒复合碲化铋基热电材料及其制备方法-CN201010291236.7有效
发明人：蒋俊;张婷;陈建敏;熊震;李炜;张秋实;许高杰 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2010-09-22 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米颗粒复合碲化铋基热电材料及其制备方法，该纳米颗粒复合碲化铋基热电材料以碲化铋热电材料为基体，在基体中掺杂纳米颗粒，所述的纳米颗粒是导电氧化物纳米颗粒。与现有的技术相比，本发明采用导电氧化物纳米颗粒作为第二相与碲化铋基合金基体进行复合，该导电氧化物纳米颗粒一方面能够增强对低频声子的选择性散射，从而有效降低碲化铋基热电材料的晶格热导率，另一方能够提高材料的电导率，因此，整体调控效果使碲化铋基热电材料的热电优值ZT得到了提高，从而优化了碲化铋基热电材料的热电性能。
一种纳米颗粒复合碲化铋基热电材料及其制备方法

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