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[发明专利]感应和电子束熔炼去除多晶硅中杂质磷和硼的方法及装置-CN201010128923.7有效
发明人：战丽姝;李国斌;谭毅;董伟;姜大川 -专利权人：大连隆田科技有限公司
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及感应和电子束熔炼去除多晶硅中杂质磷和硼的方法及装置，所述方法包括：用电子束熔炼方式去除硅中的杂质磷获得低磷多晶硅的步骤，再用感应线圈对低磷多晶硅进行熔炼，通过蒸发的方式去除多晶硅中的杂质硼从而获得低磷低硼多晶硅的步骤它应用电子束和感应加热的方式去除多晶硅中杂质磷和硼，产量大，实现连续熔炼，磷硼杂质去除效果良好，去除效率高，同时有效应用了感应线圈加热温度高的特点，方法简单易行，集成了除磷和除硼的双重效果，提纯效果稳定
感应电子束熔炼去除多晶杂质方法装置

[发明专利]一种湿法刻蚀方法、双面太阳电池及其制作方法-CN201710651965.0有效
发明人：徐冠群;包健;金浩;张昕宇;廖晖;李宏伟;陈周;王金艺 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法刻蚀方法、双面太阳能电池及其制作方法，控制衬底结构的磷硅玻璃层浸入第一刻蚀液，裸露硼扩散层和硼硅玻璃层，去除磷硅玻璃层，不会对硼扩散层和硼硅玻璃层造成影响；将衬底结构两表面反转，控制衬底结构的边缘磷扩散层、硼扩散层和硼硅玻璃层浸入第二刻蚀液，裸露磷扩散层，去除边缘磷扩散层，由于硼硅玻璃层对硼扩散层的保护作用而并不对硼扩散层造成影响；控制衬底结构的硼硅玻璃层浸入第三刻蚀液，且裸露磷扩散层，去除硼硅玻璃层，不会对磷扩散层造成影响，最终达到刻蚀的目的。通过湿法刻蚀及控制衬底结构漂浮在刻蚀液中条件，逐渐将磷硅玻璃层、边缘磷扩散层及硼硅玻璃层去除，保证双面太阳能电池的光电转换效率高。
一种湿法刻蚀方法双面太阳电池及其制作方法

[实用新型]测定多晶硅中磷、硼的含量的系统-CN200920156146.X有效
发明人：张瑞云;迈克·杰尼根 -专利权人：重庆大全新能源有限公司
申请日： 2009-06-15 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种测定多晶硅硼和磷含量的系统，包括：用于制造样品单晶硅的样品单晶硅棒制成装置；用于测定所述单晶硅棒头部和所述单晶硅棒中设定位置的导电类型的导电类型测定装置；用于测定所述单晶硅棒头部和所述单晶硅棒中设定位置的电阻率的电阻率测定装置；与所述导电类型测定装置和电阻率测定装置相连的硼磷含量计算器，用于根据测定的导电类型和电阻率计算所述多晶硅中硼和磷的含量。本实用新型通过测得样品单晶硅棒的头部和样品单晶硅棒中设定位置的导电类型和电阻率，利用硼磷的分凝系数与硼磷含量差量计算关系式，使得通过硼磷含量计算器即可得出单晶硅中硼和磷的含量。从而节约了多晶硅中的硼磷含量的测定设备和时间。
测定多晶硅中磷含量系统

[发明专利]一种Ｐ型硅母合金的制作方法-CN201710711370.X在审
发明人：彭瑶;苏勇;邱建峰;王义斌;周慧敏 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种P型硅母合金的制作方法，包括根据目标硅母合金中硼元素浓度和磷元素浓度选择相应的硅料；根据所述硅料的硼元素浓度和磷元素浓度以及目标硅母合金中的硼元素浓度和磷元素浓度，计算需要添加的硼料和磷料的用量；将所述硅料、所述用量的硼料和磷料同时放入单晶炉中，利用直拉法拉制P型硅母合金。上述P型硅母合金的制作方法，能够改善P型母合金电阻率的均匀性，且减少硼掺杂剂的用量、电阻率分档少，从而降低生产成本。
一种型硅母合金制作方法

[发明专利]制备定向凝固硅锭的方法-CN200580045089.2有效
发明人： C·德思洛夫;K·弗里斯塔德 -专利权人：埃尔凯姆太阳能公司
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备定向凝固切克劳斯基、浮区或多晶硅锭或者薄片或者条的方法，它们用于从初始含有0.2ppma至10ppma硼和0.1ppma至10ppma磷的硅原料生产用于太阳能电池的晶片。如果硅原料中的硼含量高于磷含量，那么通过在定向凝固工艺期间向熔融硅添加硼保持熔融硅中的硼含量高于磷含量，以便延伸作为p型材料凝固的定向凝固锭或者薄片或者条的部分。如果在硅原料中磷含量高于硼含量，那么通过在定向凝固工艺期间向熔融硅添加磷保持熔融硅中的磷含量高于硼含量，以便延伸作为n型材料凝固的锭或者薄片或者条的部分。
制备定向凝固方法

[发明专利]气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法-CN01109415.X无效
发明人：黄大定;李建平;高斐;林燕霞;孙殿照;刘金平;朱世荣;孔梅影 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2001-03-08 - 公布日： 2002-10-16 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：一种气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法,其是用乙硼烷磷烷为掺杂剂生长N－P－N双极晶体管材料时,将乙硼烷、磷烷加热使其裂解为低分子量的原子团束流,降低残余硼、磷杂质的本底浓度,并减少氢对硅生长速率的影响;掺硼结束时,速关断乙硼烷气流并降低乙硼烷裂解炉温度,可将硼严格限制在基区内;生长硅发射区时,将磷炉温度升高,可提高磷掺杂浓度并减少磷烷对硅生长速率的影响。
分子外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法

[发明专利]多晶硅还原工艺尾气的净化方法及净化系统-CN201910574662.2在审
发明人：武珠峰;刘兴平;银波;范协诚;宋高杰 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： B01D53/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原工艺尾气的净化方法及净化系统，该方法包括以下步骤：将多晶硅还原工艺尾气与氧化剂氯气混合，多晶硅还原工艺尾气包括氢气、氯硅烷、磷烷、硼烷，其中，磷烷、硼烷与氯气反应，磷烷、硼烷分别被氧化，生成单质磷和/或磷的氯化物、单质硼和/或硼的氯化物，得到反应后的混合气，将混合气降温进行气液分离，得到分离开的液体、分离开的气体，分离开的液体包括：氯硅烷、单质磷和/或磷的氯化物、单质硼和/或硼的氯化物本发明中的多晶硅还原工艺尾气的净化方法及净化系统，通过将还原尾气中的低价态的硼磷杂质氧化为单质或高价态的硼磷杂质，大大降低了回收氢气中硼磷杂质的分离难度，提高了回收氢气的品质。
多晶还原工艺尾气净化方法净化系统

[发明专利]一种低硼磷高纯硅的制备工艺-CN201811088653.4在审
发明人：章宇斌;杨少敏 -专利权人：南京合创工程设计有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供一种低硼磷高纯硅的制备工艺，涉及低硼磷高纯硅生产技术领域。包括以下步骤：制备原料、酸洗除金属杂质、氧化精炼除磷、改进型热交换法除硼、还原提纯。本发明采用酸洗的方式除去工业硅内的金属杂质，再通过氧化精炼和改进型热交换法除去工业硅内的磷和硼，使得磷和硼均被氧化形成易挥发物质，使得硅的纯度达到99.9％以上，除杂效果好，除杂效率高。
一种低硼磷高纯制备工艺

[发明专利]一种透明反应型磷硼硅阻燃不饱和聚酯及其制备方法-CN201110121554.3有效
发明人：刘述梅;赵建青 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C08F283/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明反应型磷硼硅阻燃不饱和聚酯及其制备方法，以质量份数计，透明反应型磷硼硅阻燃不饱和聚酯由含磷硼硅元素的不饱和聚酯预聚物58.5～69.85份、交联单体30～40份、对苯二酚0.05～0.5份、引发剂0.1～1份组成，制备时，在含磷硼硅元素的不饱和聚酯预聚物降温至100～120℃时，加入交联单体，进一步降温至再加入对苯二酚、引发剂，即得透明反应型磷硅硼阻燃不饱和聚酯。透明反应型磷硅硼阻燃不饱和聚酯阻燃性强，固化产物极限氧指数可从19％提高到30％，并且3.2mm样条垂直燃烧通过UL94V-0级，三种阻燃元素磷、硅、硼直接引入到不饱和聚酯分子链上，固化产物热态粘结强度好
一种透明反应型磷硼硅阻燃不饱和聚酯及其制备方法

[发明专利]一种铝硅磷锶硼镧钛中间合金及制备方法-CN201710908583.1有效
发明人：樊振中;熊艳才;宫玉辉;孙刚;陆政 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C22C21/04 文献下载
摘要：本发明属于金属材料领域，涉及一种铸造铝硅合金用铝硅磷锶硼镧钛复合细化与变质中间合金及其制备方法。本发明的铝硅磷锶硼镧钛中间合金中各成分的质量百分数为：硅，12％～15％；磷，0.5％～1.5％；锶，3％～5％；硼，0.2％～0.4％；镧，1.5％～2.5％；钛，0.6％～1.0％；余量为铝。本发明铝硅磷锶硼镧钛中间合金的制备步骤如下：备料；粉碎；熔化；添加硼元素；添加锶镧钛元素；浇注。本发明提出了一种铸造铝硅合金用铝硅磷锶硼镧钛复合细化与变质中间合金及其制备方法，大大提高了中间合金在复杂合金成分条件下，其晶粒细化与硅相变质的效果和稳定性，满足了工程应用的需要。
中间合金铝硅镧钛制备铸造铝硅合金变质细化熔化金属材料领域质量百分数复合成分条件复杂合金工程应用晶粒细化硼元素钛元素备料浇注锶镧

[发明专利]一种低温去除硅中硼磷的方法-CN201310637020.5无效
发明人：李京伟;陈健;张涛涛;白枭龙;李彦磊;班伯源 -专利权人：中国科学院等离子体物理研究所
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明是一种低温去除硅中硼磷的方法，属于高纯硅的生产技术领域。该方法利用硅在镓基合金液中的重结晶净化硅中的硼磷杂质。该方法将工业硅与镓基合金加热完全共熔，冷却使硅重结晶析出，酸洗将重结晶硅分离，可得硼磷浓度低的高纯硅。该方法的重结晶温度为100-1400℃，硅损失量小于5%。与目前冶金法净化硅相比，可实现硼、磷杂质同步快速去除，操作温度降低600-1900℃。
一种低温去除硅中硼磷方法

[发明专利]一种去除工业硅中硼、磷及其它杂质的综合利用方法-CN201010581857.9有效
发明人：李柏榆;汪云华;李海艳;张济祥;许金泉;周金民;王钟钰;王春琴;陈小番;方来鹏;付刚 -专利权人：云南乾元光能产业有限公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除工业硅中硼、磷及其它杂质的综合利用方法，本发明涉及采用湿法冶金、氧化造渣和电子束熔炼去除多晶硅中硼、磷及其它杂质。包括：用湿法冶金酸洗方式去除硅中的杂质获得低杂质多晶硅，再用中频感应加热对低杂质多晶硅进行氧化造渣熔炼，通过造渣剂的氧化方式去除多晶硅中的杂质硼，从而获得低硼多晶硅，再次用电子束熔炼去除低硼多晶硅中的磷杂质获得低金属低硼低磷多晶硅其特点是：低投入、低成本、环境污染小、工艺简单、回收率高，形成了一整套适合于工业化生产太阳能级多晶硅中间产品的可实施工艺。
一种去除工业硅中硼其它杂质综合利用方法

[发明专利]一种背接触电池的制备方法及背接触电池-CN202210737855.7有效
发明人：王子谦;孟庆超;翟金叶;张伟;郎芳;徐卓;王红芳;马红娜;赵学玲;潘明翠;王平;张文辉;吝占胜;张雷;吴萌萌;王钰蕾;张任远;张莉沫;李英叶;张丽娜;李锋;史金超 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种背接触电池的制备方法及背接触电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和硼硅玻璃层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼硅玻璃层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。
一种接触电池制备方法

[发明专利]一种电热冶金法制备低硼磷高纯硅的方法-CN201110142290.X有效
发明人：邢鹏飞;庄艳歆;任存治;涂赣峰 -专利权人：东北大学
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：一种电热冶金法制备低硼磷高纯硅的方法，属于冶金技术领域，按以下步骤进行：采用硼和磷的重量含量≤10ppm的二氧化硅基础原料和碳质还原剂；混合后加入粘结剂，制成粘结物料，压制成团块，置于矿热炉中进行电热冶炼，制备出低硼磷高纯硅。本发明通过控制原料中硼和磷杂质的含量，来控制硅产品中关键杂质硼磷的含量，利用电热冶金法制备出的低硼磷高纯硅，为下一步将其提纯为太阳能级多晶硅提供了高品质的原料，这就进一步降低了太阳能多晶硅的生产能耗和成本
一种电热冶金法制备低硼磷高纯方法

[发明专利]一种基于笼型倍半硅氧烷的磷硅硼阻燃剂及其制备方法-CN201510883096.5在审
发明人：熊磊;王秋萍;梁红波;黄圣梅 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： C08K5/55 文献下载
摘要：本发明属于材料技术领域，具体涉及一种基于笼型倍半硅氧烷的磷硅硼阻燃剂及其制备方法，具体步骤为：1）利用硅烷偶联剂与含磷活性物质反应得到含磷硅中间体；2）使用强酸催化使含磷硅中间体在高温条件下进行水解缩合得到侧基含磷的笼型倍半硅氧烷；3）利用含硼物质与侧基含磷的笼型倍半硅氧烷进行酯化反应得到集磷硅硼三种元素于一体的新型磷硅硼阻燃剂。本发明得到一种新型磷硅硼阻燃剂，可用于改善环氧、酚醛等树脂的阻燃性能，同时还可提高树脂的力学性能。另外，与传统的阻燃剂相比，本发明具有无卤、低烟、低毒、环保等特点，适用于塑料、橡胶、纤维等高分子材料。
一种基于笼型倍半硅氧烷磷硅硼阻燃及其制备方法

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