“硼氮杂”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果319867个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种制备环硼氮烷的方法-CN201910673591.1有效
发明人：彭喆;李松;高龙飞;肖沅渝;张雪梅;路秋勉;万业强;安楠 -专利权人：北京玻钢院复合材料有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C01B35/14 文献下载
摘要：本发明提供一种制备环硼氮烷的方法，包括：第一步、将铵盐和硼氢化物溶于溶剂中，然后加入液氨，在惰性气氛保护中，于不高于0℃的温度下反应0.5‑3h；第二步、将第一步得到的混合物升温至20‑30℃反应0.5‑5h；第三步、将第二步得到的混合物升温至60‑100℃，同时对反应体系抽真空，然后于60‑100℃下反应1‑3h，得到环硼氮烷。该制备环硼氮烷的方法，可实现环硼氮烷的高产率、高产量生产，可用于环硼氮烷的工业化生产，可满足环硼氮烷作为前驱体制备连续纤维增强氮化硼陶瓷基复合材料的工程化需求。
一种制备环硼氮烷方法

[发明专利]一种新型四配位双硼氮芴荧光化合物的制备方法-CN202210442729.9在审
发明人：敬冰;崔春明;张建颖 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：本发明涉及化合物制备技术领域，尤其涉及一种新型四配位双硼氮芴荧光化合物的制备方法，以硼氮吡啶化合物为基本骨架，首先与三溴化硼发生C‑H硼氢化反应，再与烷基铝或芳基锌试剂进行金属交换制得目标产物。本发明以硼氮吡啶化合物为基本骨架，合成一种新型四配位双硼氮芴荧光化合物，该化合物结构新颖，目前尚未报道，且该化合物合成方法简单方便、原料廉价易得。合成的四配位双硼氮芴荧光化合物具有较好的光学特性，发射荧光的波长范围为440nm‑580nm，通过调节四配位硼原子或硼氮吡啶芳环上的取代基，可有效调节该类化合物的光学性能，从而拓展其应用范围。
一种新型四配位双硼氮芴荧光化合物制备方法

[发明专利]一种改性SiBCN陶瓷材料及其制备方法-CN202310072275.5在审
发明人：石皓帆;李金平;孟松鹤;易法军;解维华;许承海;方国东;杨强 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种改性SiBCN陶瓷材料及其制备方法，属于陶瓷基复合材料技术领域，该陶瓷材料的制备方法包括：S1.将液态聚硼硅氮烷进行交联固化、粉碎，得到聚硼硅氮烷粉末；S2.将聚硼硅氮烷粉末与活性填料进行球磨混合、筛分，得到改性聚硼硅氮烷粉末；S3.将所述改性聚硼硅氮烷粉末与液态聚硼硅氮烷混合，经热压成型，得到素坯；S4.将所述素坯进行热解处理，得到所述改性SiBCN陶瓷材料。
一种改性 sibcn 陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种无机氮化硼粉体改性聚硅氮烷及其制备方法-CN202310767368.X在审
发明人：彭喆;柴笑笑;李松;董和谦;安楠 -专利权人：北京玻钢院复合材料有限公司;中国建材集团有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C08L83/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种无机氮化硼粉体改性聚硅氮烷及其制备方法；包括如下步骤：制备低活性无机氮化硼，将低活性无机氮化硼研磨，获得微米级粒径的低活性无机氮化硼粉末；将聚硅氮烷和低活性无机氮化硼粉末加入反应溶剂中，在惰性气氛下搅拌后，获得混合液；对混合液进行加温、升至设定温度后，保温一定时间，冷却至室温，经减压蒸馏处理后，去除混合液中的溶剂，获得改性聚硅氮烷；通过无机氮化硼粉体改性聚硅氮烷方法的提出以解决现有的聚硅氮烷改性方法繁琐，并且没有针对提高聚硅氮烷耐高温方面提高的方法的技术问题。
一种无机氮化体改性聚硅氮烷及其制备方法

[发明专利]一种高选择性合成莫西沙星的方法-CN201110280847.6有效
发明人：洪华斌;颜剑波;林义;蒋成君 -专利权人：浙江新东港药业股份有限公司
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：6,7-二氟-8-甲氧基-4-氧代-1,4-二氢-3-喹啉羧酸乙酯与螯合剂反应，冷却至室温，加冰水，抽滤，滤饼水洗至中性，得到1-乙基-7-氯-6-氟-1,4-二氢-4-氧代喹啉-3-羧酸甲酯三氟醋酸酐硼化螯合物；1-乙基-7-氯-6-氟-1,4-二氢-4-氧代喹啉-3-羧酸甲酯三氟醋酸酐硼化螯合物与（S,S）-2,8-二氮杂双环[4.3.0]壬烷反应，得到1-环丙基-6-氟-7-（[S,S]-2,8-二氮杂双环[4.3.0]壬-8-甲氧基-4-氧代-1,4-二氢-3-喹啉羧酸乙酯三氟醋酸酐硼化螯合物，减压回收溶剂，加碱，回流，脱色，过滤，冷冻，抽滤，滤饼烘干。
一种选择性合成西沙方法

[发明专利]一种组分可控的硼碳氮薄膜的制备方法-CN201510195661.9有效
发明人：章嵩;吴俊;涂溶;王传彬;沈强;张联盟 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用物理气相沉积方法控制硼碳氮薄膜成分以及化学计量比的硼碳氮薄膜的制备方法。本发明在传统脉冲激光沉积的基础上，通过使用石墨‑硼二元拼合靶材在氨气气氛下制备组成与化学计量比均可控的硼碳氮薄膜，克服了传统制备技术中由于靶材成分限制难以在较大范围内控制硼碳氮薄膜组成的不足，通过设计二元靶材、控制靶基距、沉积温度、沉积气氛等沉积条件，得到一种可以在大范围内连续控制材料组成的硼碳氮薄膜制备方法。
一种组分可控硼碳氮薄膜制备方法

[发明专利]一种可自交联且硼含量可调的聚硅硼氮烷的制备方法-CN202310630916.4在审
发明人：宋育杰;党炎培;赵泱中;段连泰;李天昊;何流;黄庆;黄政仁 -专利权人：宁波杭州湾新材料研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明属于高分子材料技术领域，涉及一种可自交联且硼含量可调的聚硅硼氮烷的制备方法。本发明公开了一种可自交联且硼含量可调的聚硅硼氮烷的制备方法，所述制备方法包括：S1、在装有碳硼烷的反应瓶中充入惰性气体，然后在冰浴环境下往反应瓶内加入反应溶剂并滴加正丁基锂，滴加完毕后进行第一反应；S2、‑40～‑100℃下，将氯硅烷滴入上述充满惰性气体的装有步骤S1的反应产物的反应瓶中，滴加完毕后进行第二反应；S3、去除锂盐，得聚硼硅氮烷的单体；S4、将聚硼硅氮烷的单体氯硅烷，胺类化合物混合，并加入反应溶剂进行三阶段升温反应，得聚硼硅氮烷；S5、将聚硼硅氮烷溶于溶剂中，与催化剂在60～300℃反应2～12小时。
一种交联含量可调聚硅硼氮烷制备方法

[发明专利]硼氮掺杂石墨烯量子点的制备及其在硼中子俘获治疗药物中的应用-CN202111231001.3有效
发明人：邢更妹;李嘉程;李娟;崔荣丽;陈奎;常亚男 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼氮掺杂石墨烯量子点的制备及其在硼中子俘获治疗药物中的应用，涉及化学和生物医学肿瘤诊疗领域。其以石墨烯量子点和10B硼酸水溶液作为原料合成硼氮掺杂石墨烯量子点，该硼氮掺杂石墨烯量子点含硼量高，具有优异的光学性质、良好的生物相容性和低毒性，实现了体内荧光成像，还可以靶向乳腺癌肿瘤并在乳腺癌肿瘤部位富集，但在健康组织中硼氮掺杂石墨烯量子点能够被快速代谢排出，这些性质使得硼氮掺杂石墨烯量子点可以作为一种适用于BNCT治疗的新型硼输送剂，实现对乳腺癌肿瘤的诊断和
掺杂石墨量子制备及其中子俘获治疗药物中的应用

[发明专利]一种聚乙烯基硅硼氮烷及其制备方法-CN202010378281.X有效
发明人：王国辉;张兵;陈红波;付继伟;刘金峰;廖锡广;岳勇;赵继亮 -专利权人：北京宇航系统工程研究所;中国运载火箭技术研究院
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C08F130/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚乙烯基硅硼氮烷及其制备方法，属于硅橡胶制造技术领域，也属于高温热防护技术领域。本发明相对于乙烯基硅橡胶，聚乙烯基硅硼氮烷的拉伸强度和撕裂强度分别提高了35％和47％，硅硼氮橡胶的抗老化性能提高了29％，高温防热性能，乙烯基硅橡胶辐照后背面温升为480℃，聚乙烯基硅硼氮烷辐照后背面温升为87℃，这说明本发明的聚乙烯基硅硼氮烷防热性能显著提高。
一种聚乙烯基硅硼氮烷及其制备方法

[发明专利]一种耐高温杂化邻苯二甲腈树脂及其制备方法与应用-CN202010108975.1有效
发明人：周恒;郭颖;王子龙;赵彤;丁江楠;刘翔;罗振华;韩伟健;叶丽 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C08L79/04 文献下载
摘要：本发明属于热固性树脂及其制备技术领域，具体涉及一种耐高温杂化邻苯二甲腈树脂及其制备方法与应用。所述杂化邻苯二甲腈树脂通过下述组合物的混合并搅拌后获得，所述组合物包括以下重量份的组分：邻苯二甲腈类化合物100份，聚硅硼氮烷树脂5‑30份，固化促进剂0.5‑5份。本发明公开的杂化邻苯二甲腈树脂及其固化树脂具有优异的耐热性能和工艺性能，所述杂化邻苯二甲腈树脂适合作为高性能耐热复合材料树脂基体，所述杂化邻苯二甲腈树脂及其固化树脂在军工装备和航空航天等领域具有应用价值
一种耐高温杂化邻苯二甲树脂及其制备方法应用

[发明专利]一种硼氮共掺杂石墨烯及其制备方法-CN201210206950.0无效
发明人：周明杰;钟辉;王要兵 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种硼氮共掺杂石墨烯的制备方法，包括：按质量比为1∶1～4∶1～4的比例取氧化石墨、尿素和三氧化二硼混合均匀置于反应器中；往反应器中通入保护性气体；以15～20℃/min的升温速度将反应器中的温度升温至800～900℃，并保持30min～2h；在流速为150～300ml/min的保护性气体中降温至室温，制得硼氮共掺杂石墨烯。该制备方法以尿素和三氧化二硼分别作为氮源和硼源，硼元素和氮元素各自的最高掺杂量均可接近10％，因此氮和硼各自含量的可调范围宽，工艺简单，便于操作，对设备无特殊要求，易于实现大规模工业化生产。本发明还提供了通过该制备方法制得的硼氮共掺杂石墨烯。
一种硼氮共掺杂石墨及其制备方法

[发明专利]一种杂原子掺杂的多孔碳材料的制备方法-CN201610455589.3在审
发明人：蒙延双;朱福良;王磊;张定军;王功瑞;夏军 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：一种杂原子掺杂的多孔碳材料的制备方法，其中杂原子为氮、氧、硫、硼、磷中的一种或多种。首先，将离子液体单体与有机小分子单体共聚形成聚合物前驱体，聚合物前驱体在空气中250℃~400℃下预处理后再在氮气保护下800~1500℃碳化，得到杂原子掺杂的多孔碳材料。通过控制聚合物前驱体的组成结构及其碳化工艺参数，可以对杂原子掺杂多孔碳材料的杂原子类型、杂原子含量、比表面积等进行调控。这种多孔的、含有杂原子的碳材料具有大的比表面积、良好的电解液润湿性和导电性，有利于锂离子的脱嵌和电子的转移，因此作为锂离子负极材料时具有良好的储锂容量和循环性能。
一种原子掺杂多孔材料制备方法

[发明专利]一种硅硼氮碳铍陶瓷纤维的制备方法-CN201810148504.6有效
发明人：刘勇;陈康壮;陆建晓;彭帅;崔永杰;张晨宇;韩克清;张辉;余木火 -专利权人：东华大学
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅硼氮碳铍陶瓷纤维的制备方法，包括：含铍元素的硅硼氮碳前驱体制备，前驱体初生纤维制备，硅硼氮碳铍陶瓷纤维制备。本发明简单，反应条件温和，成本低；制备得到的硅硼氮碳铍陶瓷纤维表面光滑，组织均匀，结构致密，具有良好的力学性能、热稳定性能、抗氧化性能和吸波性能。
一种硅硼氮碳铍陶瓷纤维制备方法

[发明专利]C-5位硼化咪唑并吡啶衍生物、制备方法及其应用-CN202210740547.X在审
发明人：刘想;曹华;郑辉涛;张心怡;肖钰燕;曾如意 -专利权人：广东药科大学
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：本发明公开了C‑5位硼化咪唑并吡啶衍生物、制备方法及其应用，所述制备方法为以4CzIPN或3CzClIPN为光敏剂，氮杂环卡宾硼烷为硼源，在室温可见光光照下，通过区域选择性C‑H硼化获得了一系列C‑5位硼代的咪唑并[1,2‑a]吡啶类化合物，且制备方法简单易于操作，反应底物适用范围广，区域选择性好，收率高，环境友好，同时，制备得到的C‑5位硼化咪唑并吡啶衍生物具有一定的荧光活性，是一种潜在的荧光活性分子。
位硼化咪唑吡啶衍生物制备方法及其应用

[发明专利]等离子体增强化学气相沉积制备六方氮化硼及其杂化结构的方法-CN201610635718.7有效
发明人：孙正宗;巴坤 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明属于六方氮化硼（h‑BN）及其杂化结构制备技术领域，具体为一种等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备六方氮化硼及其杂化结构的方法。本发明以铜箔为基底，以固态硼烷氨络合物为硼源和氮源，利用等离子体增强化学气相沉积法制备六方氮化硼杂化结构，具体步骤包括：将基底和硼烷氨络合物置于石英舟中，然后置入等离子体增强化学气相沉积系统中，抽真空；将反应炉加热到相应温度，通入气体，然后将基底移动到炉子中心；调节系统压力，进行热处理；生长六方氮化硼及其杂化结构；冷却到室温。本发明工艺简单，操作简便，可控性强，并且能够实现对六方氮化硼及其杂化结构带隙的连续调控。
等离子体增强化学沉积制备氮化及其结构方法