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[发明专利]固态图像器件及其制造方法和图像摄取设备-CN201010003341.6无效
发明人：户田淳 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-21 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：该固态图像器件包括硅衬底以及光电转换层，所述光电转换层被布置在硅衬底上并且与硅衬底晶格匹配，所述光电转换层由铜-铝-镓-铟-硫-硒系混合晶体或铜-铝-镓-铟-锌-硫-硒系混合晶体的黄铜矿系化合物半导体组成
固态图像器件及其制造方法摄取设备

[发明专利]非易失性可调电阻器件和可编程存储单元的制造-CN02817020.2有效
发明人： K·A·坎贝尔;J·T·穆尔 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2002-08-28 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：在其上形成含硫族化物材料(22)。该硫族化物材料包括A_xSe_y，A优选的是Ge和Si。在该硫族化物材料上形成含银层(24)。照射银以有效断开在含银层和硫族化物材料的界面处的硫族化物材料的硫族化物键，并且将至少一些银扩散进入该硫族化物材料。在该照射之后，将该硫族化物材料外表面暴露于含碘的流体以有效降低在该暴露之前的硫族化物材料外表面的粗糙度。在该暴露之后，在该硫族化物材料上淀积第二导电电极材料(26)，其连续并且至少完全覆盖在硫族化物材料上，将该第二导电电极材料形成为该器件的电极。
非易失性可调电阻器件可编程存储单元制造

[发明专利]一种基于水性银铟锌硫荧光量子点选择性检测镉离子的方法-CN201711325105.4有效
发明人：朱涛;刘永风;唐孝生;臧志刚;白永忠;屈定荣;邱枫;黄贤滨 -专利权人：重庆大学;中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于水性银铟锌硫荧光量子点选择性检测镉离子的方法，该方法通过改变反应前驱液中银/银以及锌/银的摩尔比，银铟锌硫量子点的发光颜色在522～640nm范围内调节，当前驱液中Ag:Zn:S:In的摩尔比为0.2:1:4:2,且反应液的pH为9.5时，反应4.5个小时，可以获得量子效率为41.2％的银铟锌硫量子点，银铟锌硫量子点用于检测二价镉离子，可以实现大的探测范围(0–290μmol/L)以及低的探测极限
锌硫银铟量子点选择性检测荧光量子点摩尔比镉离子探测二价镉离子反应前驱液发光颜色量子效率检测

[实用新型]一种柔性薄膜太阳能电池-CN201820800786.9有效
发明人：乔秀梅 -专利权人：东泰高科装备科技（北京）有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种柔性薄膜太阳能电池，包括前面电极，减反射膜，石墨烯薄膜层，n型二维过渡金属硫族化合物薄膜，p型砷化镓薄膜层，背场层，背面电极，柔性支撑衬底；从柔性支撑衬底向上，依次设置背面电极、背场层、p型砷化镓薄膜层、n型二维过渡金属硫族化合物薄膜、石墨烯薄膜层、减反射膜和前面电极；所述n型二维过渡金属硫族化合物薄膜具有单层或多层结构。本实用新型提出的柔性薄膜太阳能电池，采用二维过渡金属硫族化合物薄膜和砷化镓薄膜形成异质结，有利于展宽太阳能光谱的吸收，提高效率，且单层的二维过渡金属硫族化合物薄膜和GaAs均为直接带隙材料，相比间接带隙更利于光的吸收
过渡金属硫族化合物二维薄膜柔性薄膜太阳能电池砷化镓薄膜石墨烯薄膜层本实用新型背面电极减反射膜柔性支撑背场层电极衬底单层直接带隙材料太阳能光谱多层结构间接带隙依次设置异质结吸收

[发明专利]一种锡银共生多金属矿中回收银、铜、硫和锡的选矿方法-CN201611110249.3有效
发明人：王学军;王成行;侯占侠;胡真;何秀龙;牛耀辉;邹坚坚;赵海东;汪泰;李汉文;李沛伦;汤玉和;付华 -专利权人：西乌珠穆沁旗银漫矿业有限责任公司;广东省资源综合利用研究所
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：一种锡银共生多金属矿中回收银、铜、硫和锡的选矿方法，由以下步骤组成：原矿石加药磨矿调浆，在弱碱性介质中优先浮选银，获得高品位的银精矿，再调浆后在弱酸性介质中浮选硫，获得硫精矿，然后进行分级，粗粒部分重选回收锡石，细粒部分脱泥浮硫后再进行锡石浮选，获得锡精矿。本发明的优点在于实现了锡银共生多金属矿中有价元素的综合回收，分选工艺流程简单合理，成本低，指标高，而且占地面积小，利于工业化。本发明获得的银精矿银品位大于9800g/t，银回收率大于86%，银富集比高达62~63。
一种共生金属回收选矿方法

[发明专利]一种高纯低损耗硫系玻璃的制备方法-CN201310219609.3有效
发明人：张斌;杨志勇;任和;张鸣杰;章健;唐定远 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： C03B5/16 文献下载
摘要：一种高纯低损耗硫系玻璃的制备方法，属于硫系玻璃的制备方法。以超干氯化镓为纯化剂消除玻璃中的碳氢杂质，配合传统除氧剂铝、镁或锆金属，对玻璃蒸馏提纯。以超干氯化镓为纯化剂可高效消除玻璃中的碳氢杂质，不易在最终获得的高纯硫系玻璃中形成Mie散射缺陷，可获得低损耗的均质玻璃。本发明合成的高纯硫系玻璃在红外透过波段的最低损耗小于0.3dB/m，残余杂质吸收峰对应损耗小于8dB/m，可用于红外玻璃光学元件和红外光纤领域。其超干氯化镓纯化剂容易获得，且价格较低；高效消除硫系玻璃中碳、氢、氧杂质；制备的硫系玻璃均匀性更好、光散射更小。
一种高纯损耗玻璃制备方法

[发明专利]用于烯烃环氧化生产环氧化合物的银催化剂及其制备方法-CN201610344387.1有效
发明人：王辉;魏会娟;蒋军;李金兵;曹淑媛;梁汝军;李秀聪;任冬梅;崔宝林 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司北京化工研究院
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： B01J23/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于烯烃环氧化生产环氧化合物的银催化剂及其制备方法。该银催化剂中镓元素质量含量为10‑5000ppm，银元素质量含量为10％‑50％。其制备方法为：用含有机胺、含银化合物、含镓化合物助剂、碱金属化合物助剂、碱土金属化合物助剂、ⅦB族金属化合物助剂及ⅥB族金属化合物助剂溶液浸渍α‑氧化铝载体，再经过沥滤、活化，即得到所述银催化剂。本发明还涉及该银催化剂在烯烃环氧化生产环氧化合物反应中的应用，特别是该银催化剂在应用于乙烯环氧化生产环氧乙烷的反应中表现了很好的选择性、活性及稳定性。
用于烯烃氧化生产催化剂及其制备方法

[发明专利]具有倍频功能的透红外硫系卤化物玻璃陶瓷及其制备方法-CN200810046671.6无效
发明人：陶海征;郑小林;董国平;赵修建;赵子强;陈军波;牟晓锋 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2008-01-10 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： C03C10/02 文献下载
摘要：具有倍频功能的透红外硫系卤化物玻璃陶瓷，其特征在于它的组成按化学式表示为：xGeS₂·yGa₂S₃·zAgX，其中，x表示GeS镓、硫、卤化银为主要成分经真空熔制合成的硫系卤化物玻璃为基础玻璃，而后在接近于玻璃转变温度和远低于玻璃晶化温度的范围内进行热处理，有效控制玻璃的核化和晶化过程，析出大量亚微米量级尺寸的红外倍频晶体
具有倍频功能红外卤化物玻璃陶瓷及其制备方法

[发明专利]铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂及其制备方法-CN201811042883.7有效
发明人：刘智峰;蒋艺林;邵彬彬;刘小娟;梁清华;刘玉杰;张魏;何青云;曾光明 -专利权人：湖南大学
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂，该铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂包括氮化碳，氮化碳中掺杂硫元素形成硫掺氮化碳，硫掺氮化碳表面修饰有铬酸银。其制备方法包括以下步骤：将三聚氰胺、三聚硫氰酸与超纯水混合均匀，烘干，得到混合物；将混合物进行煅烧，研磨，得到硫掺氮化碳；将硫掺氮化碳、银离子溶液和重铬酸盐溶液混合进行反应，得到铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂本发明铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂，具有吸光能力强、光生电子‑空穴复合率低、光催化性能好、稳定性好等优点，是一种新型的光催化材料，其制备方法具有工艺简单、条件易控制、成本低等优点，适合于大规模制备，有利于工业生产
铬酸银氮化光催化剂及其制备方法

[发明专利]一种高纯硫系玻璃的制备方法-CN201510993666.6在审
发明人：赵浙明;王训四;戴世勋;聂秋华;江岭;吴波;潘章豪;孙礼红;刘硕;密楠 -专利权人：宁波大学
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： C03C3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯硫系玻璃的制备方法，制备过程中向硫系玻璃系统中引入200~300ppm质量百分比的高纯镁和2000~3000ppm质量百分比的高纯镓作为除氧剂，所述的高纯镁和所述的高纯镓的纯度均≥99.999%，然后通过封闭式蒸馏法进行提纯和高温熔制，获得均匀的高纯硫系玻璃；本发明制备方法以足量的高纯镓和少量的高纯镁作为除氧剂，使硫系玻璃中的氧杂质得到高效率去除，纯度得到大幅提高，使硫系玻璃中的微晶散射大幅减少，既有效地完成了除氧目标又解决了石英管的腐蚀和金属镁或铝形成的异质包裹体引起的散射问题，最终获得品质均匀的高纯硫系玻璃，该高纯硫系玻璃在红外波段透过均匀，光散射小，无明显氧化物吸收峰，可广泛应用于中远红外光纤领域
一种高纯玻璃制备方法

[发明专利]一种低界面热阻氮化镓/金刚石材料的制备方法-CN202310858349.8在审
发明人：黄亚博;王旭磊;孙逸翔;任文慧;黄宝柱;高阳;武晓歌;郭晓琴 -专利权人：郑州航空工业管理学院
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体制备技术领域，公开一种低界面热阻氮化镓/金刚石材料的制备方法。S1、制备多晶金刚石膜，随后对其切割、研磨、抛光；S2、将氮化镓晶圆和步骤S1制备的金刚石膜分别清洗后，采用磁控溅射技术在氮化镓的氮面和金刚石膜单面分别镀制银铜钛合金介质层；S3、ICP刻蚀步骤S2所得氮化镓和金刚石膜的银铜钛合金介质层，得到刻蚀层；刻蚀结束后，清洗，真空烘干备用；S4、将步骤S3所得氮化镓和金刚石膜的刻蚀层上下面对面堆叠放置作为键合试样，然后直流电弧等离子体加热，得到目标产品。本发明通过介质层设计和独特的键合加热方式，能够在很大程度上提升氮化镓和金刚石的键合强度以及减低界面热阻。
一种界面氮化金刚石材料制备方法

[发明专利]一种发光二极管的芯片及其制作方法-CN201710082016.5有效
发明人：丁涛;郭炳磊;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：所述芯片包括衬底、未掺杂氮化铝缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层、氧化铟锡电流扩展层、N型电极、P型电极、多个二氧化钛纳米棒和多个银纳米颗粒，氧化铟锡电流扩展层、P型氮化镓层、P型电子阻挡层、多量子阱层中设有从氧化铟锡电流扩展层延伸至N型氮化镓层的凹槽，N型电极设置在凹槽内的N型氮化镓层上，P型电极设置在氧化铟锡电流扩展层上，多个二氧化钛纳米棒以阵列方式布置在氧化铟锡电流扩展层上，每个二氧化钛纳米棒的外壁均设置有多个银纳米颗粒。
一种发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]利用铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂去除染料污染物的方法-CN201811042920.4有效
发明人：邵彬彬;蒋艺林;刘智峰;刘小娟;梁清华;刘玉杰;张魏;何青云;曾光明 -专利权人：湖南大学
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂去除染料污染物的方法，该方法采用铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂对染料污染物进行催化处理，其中铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂包括氮化碳，氮化碳中掺杂硫元素形成硫掺氮化碳，硫掺氮化碳表面修饰有铬酸银。本发明采用铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂对染料污染物进行催化处理，即可实现将染料污染物降解为二氧化碳和水，从而实现对染料污染物的有效去除。
利用铬酸银氮化光催化剂去除染料污染物方法

[发明专利]一种铜铟镓硫硒纳米晶的合成方法-CN201510290298.9有效
发明人：江智渊;徐璐;谢兆雄 -专利权人：厦门大学
申请日： 2015-05-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种铜铟镓硫硒纳米晶的合成方法，涉及一种太阳能电池材料。提供一种工艺步骤简单、禁带宽度可调的铜铟镓硫硒纳米晶的合成方法。1)将氯化亚铜，氯化铟，氯化鎵，硫粉，硒粉与油胺混合，加入乙二硫醇调控硫元素比例，得混合溶液；2)将步骤1)所得混合溶液加热搅拌，抽真空，充氮气，在氮气氛围反应，得深棕色溶液；3)将步骤2)中所得深棕色溶液离心，所得沉淀分别用三氯甲烷和乙醇清洗，即得铜铟镓硫硒纳米晶。
一种铜铟镓硫硒纳米合成方法

[发明专利]非真空制作铜铟镓硒浆料的方法-CN201010111485.3无效
发明人：陈文仁;林群福 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法，包括混合不同平均粒径且具有IB、IIIA及VIA族元素的二个成份、三个成份或四个成份的粉末，形成原始混合粉末，额外添加VIA族元素粉末并混合以形成最后混合粉末其中IB族元素包括铜，IIIA族元素包括铟或镓或铟镓混合材料，而VIA族元素包括硒或硫或硒硫混合材料，额外添加的VIA族元素粉末包括硒或硫或硒硫混合材料。
真空制作铜铟镓硒浆料方法

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