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- [发明专利]用拜尔法赤泥制备单质铁、单质铝和单质硅的方法-CN201010615457.5无效
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谢善情
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谢善情
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2010-12-31
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2011-07-06
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C22B7/00
- 本发明提供了用拜尔法赤泥制备单质铁、单质铝和单质硅的方法,将拜尔法赤泥粉碎为至80-100目细粉,与水充分混合后,过滤,得到含三氧化二铁,三氧化二铝和二氧化硅的滤渣和滤液;所得的滤渣与炭在200-400℃高温下反应,生成铁、铝和硅的混合物及二氧化碳气体,二氧化碳气体通入所得滤液中吸收;所得铁、铝和硅的混合物加热至660.4℃,此时铝融化为液态,而铁和硅不熔化,待铝完全融化后,固液分离,得到铝液以及铁和硅的混合物,铝液冷却后即为单质铝产品;所得铁和硅的混合物经磁选装置磁选分离,得到单质铁产品和单质硅产品。
- 用拜尔法赤泥制备单质方法
- [发明专利]一种炼钢用的低硅硅钙钡铁合金-CN200510080365.0无效
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李春德;李毅
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李春德;李毅
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2005-07-04
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2005-11-16
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C21C7/04
- 本发明公开了一种用于炼钢作脱氧剂、脱硫剂的低硅硅钙钡铁合金。它是将硅铁、石灰、钡矿石、碳质还原剂、碳素废钢、萤石按一定比例混合后,加入到镁砂打结炉衬的中频感应炉中放置的石墨坩埚中,通电加热,待物料全部熔化后,再精炼10~18分钟,就得到液态的低硅硅钙钡铁合金,将它倒入锭模中其合金成分(重量)为Si 20~40%,Ca 5~18%,Ba 5~20%,余量为铁及杂质。该合金硅含量,比采用矿热炉生产的硅钙钡铁合金低1/3,也比重熔法生产的硅钙钡铁合金低1/3,满足了低硅钢生产的需要,提高了钢的质量及产品合格率。由于该合金硅及杂质含量低,需求量越来越大,有较好经济效益。
- 一种炼钢低硅硅钙钡铁合金
- [发明专利]一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控其应变的方法-CN201010022077.0有效
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周益春;杨锋
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湘潭大学
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2010-01-19
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2010-07-28
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G11C11/22
- 本发明公开了一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控应变的方法,主要应用于铁电存储器技术领域。即首先准备硅衬底或覆有绝缘层的硅衬底;然后在衬底上覆盖一层具有合理晶格常数的钛酸锶钡(BST)合金层(晶格常数范围在3.905~4.0 angstrom);其次在合金层上外延生长铁电(FE)薄膜(AB03钙钛矿铁电、铋层状铁电或多重铁电氧化物);最后形成BST/FE(10-30nm)/BST(10-30nm)/FE(10-30nm)…/BST多层膜结构。该结构实现了对外延铁电薄膜的应变调控作用;底层钛酸锶钡合金层生长在硅衬底或者覆有一层约5~20nm绝缘层(如HfO2)的硅衬底上;最终完成铁电薄膜存储器件。
- 一种存储器用外延应变薄膜调控方法
- [发明专利]铝、钡活化磷酸铁锂正极材料制备方法-CN201110337687.4有效
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张健;张新球;吴润秀;王晶;张雅静;李杰;李安平;李先兰
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李先兰
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2011-10-26
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2012-03-14
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H01M4/58
- 本发明的铝、钡活化磷酸铁锂正极材料制备方法,其锂源、铁源、磷酸根源、铝源、钡源的原料,按照1mol Li∶0.002-0.005mol Al∶0.0003-0.003molBa∶1mol Fe∶1mol比例混合后,在无水乙醇介质中,转速200r/mimn高速球磨20h,用105-120℃烘干,得到前驱体,将烘干得到的前驱体置于高温炉内,在普通纯氮气氛中,经500-750℃高温煅烧24h,即得本发明的铝、钡活化磷酸铁锂正极材料;所得材料由于掺杂少量取代铝、钡,有利于控制产物的形貌和粒径,获得稳定的磷酸铁锂化合物,其晶格得到了活化,提高了锂离子扩散系数,其首次放电容量达155.52mAh/g;其充放电平台相对锂电极电位为3.5V左右,初始放电容量超过164mAh/g,100次充放电循环后容量约衰减3.0%左右;与未掺杂的LiFePO4对照实施例相比,比容量和循环稳定性有较大的提高;由于钡的价格要比锂价格低百倍以上,生产成本可降十倍以上
- 活化磷酸正极材料制备方法
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