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[发明专利]一种聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样及其制备方法和测试方法-CN202111417188.6在审
发明人：韩耀;张冰清;张剑;董衡;吕毅;赵英民;张昊 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样及其制备方法和测试方法。所述制备方法为：将聚硅硼氮烷进行固化和裂解，得到聚硅硼氮烷裂解产物；将聚硅硼氮烷裂解产物进行处理，得到聚硅硼氮烷裂解产物粉体；将聚硅硼氮烷裂解产物粉体放入干压模具中，然后往干压模具中加入聚硅硼氮烷液体胶液并使聚硅硼氮烷液体胶液与聚硅硼氮烷裂解产物粉体混合均匀后进行压制成型，得到由聚硅硼氮烷裂解产物和聚硅硼氮烷液体胶液组成的混合物；将所述混合物进行固化、裂解和机加，得到聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样。本发明有效解决了聚硅硼氮烷裂解产物难以制备出介电性能测试试样，从而无法测试出不同裂解条件下材料的介电性能的技术难题。
一种聚硅硼氮烷裂解产物性能测试试样及其制备方法

[发明专利]一种聚硅氮烷裂解产物的介电性能测试试样及其制备方法和测试方法-CN202111417291.0在审
发明人：韩耀;张冰清;张剑;董衡;吕毅;赵英民;张昊 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚硅氮烷裂解产物的介电性能测试试样及其制备方法和测试方法。所述制备方法包括：将聚硅氮烷依次进行固化和裂解，得到聚硅氮烷裂解产物；将聚硅氮烷裂解产物进行处理，得到聚硅氮烷裂解产物粉体；将聚硅氮烷裂解产物粉体放入干压模具中，然后往干压模具中加入聚硅氮烷液体胶液并使聚硅氮烷液体胶液与聚硅氮烷裂解产物粉体混合均匀后进行压制成型，得到由聚硅氮烷裂解产物和聚硅氮烷液体胶液组成的混合物；将所述混合物依次进行固化、裂解和机加，得到聚硅氮烷裂解产物的介电性能测试试样。本发明有效解决了聚硅氮烷裂解产物难以制备出介电性能测试试样，从而无法测试出不同裂解条件下材料的介电性能的技术难题。
一种聚硅氮烷裂解产物性能测试试样及其制备方法

[发明专利]聚硅氮烷涂覆方法和装置-CN202180046826.X在审
发明人：阿瓦尔·利勒博;金斯利·奥迪纳卡·伊乌 -专利权人：纳尼泽公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及硅氮烷涂料的形成。本发明提供了用于限制聚硅氮烷断裂的聚硅氮烷涂覆方法及用于实施限制聚硅氮烷断裂的所述聚硅氮烷涂覆方法的组件。
聚硅氮烷涂覆方法装置

[发明专利]用于制造氮掺杂的单晶硅的方法-CN202111155528.2在审
发明人：徐鹏;文英熙;倚娜 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于制造氮掺杂的单晶硅的方法，所述方法包括：利用氮化硅坩埚以及氮化硅掺杂剂通过直拉法拉制高掺氮单晶硅；利用石英坩埚以及以所述高掺氮单晶硅作为掺杂剂通过直拉法拉制低掺氮单晶硅。根据本发明的用于制造氮掺杂的单晶硅的方法，利用氮化硅坩埚制备高含氮量、低含氧量的高掺氮单晶硅，然后进一步利用该高掺氮单晶硅来制备低掺氮单晶硅，从而实现硅片的机械强度提升、单晶硅内部的BMD含量提高。
用于制造掺杂单晶硅方法

[发明专利]一种聚硅氮烷材料的制备方法及应用-CN201910097510.8有效
发明人：康文兵 -专利权人：大晶信息化学品（徐州）有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及高分子材料领域，具体涉及一种聚硅氮烷材料的制备方法及应用。具体步骤为：通过预定的合成方法获得第一聚硅氮烷溶液；将所述第一聚硅氮烷吡啶溶液加入有机溶剂进行稀释，获得第二聚硅氮烷溶液；向所述第二聚硅氮烷吡啶溶液中加入引发剂，搅拌反应获得聚硅氮烷材料。该制备方法通过在聚硅氮烷溶液中加入可以产生自由基的引发剂，促进了小分子聚硅氮烷之间的交联反应，反应条件温和，且进一步提高了聚硅氮烷材料的分子量。
一种聚硅氮烷材料制备方法应用

[发明专利]氮掺杂碳硅复合材料及其制造方法-CN201810415520.7在审
发明人：刘伟仁;谢政哲;叶鉴毅;刘信利 -专利权人：光宇材料股份有限公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种氮掺杂碳硅复合材料及其制造方法。氮掺杂碳硅复合材料包括：多个碳硅粒子。多个碳硅粒子的每一个碳硅粒子包括一个或多个硅粒子与包覆一个或多个硅粒子的碳包覆层，其中多个第一氮原子经由氮‑硅键分布于每一个碳硅粒子的一个或多个硅粒子中，多个第二氮原子经由氮‑碳键分布于每一个碳硅粒子的碳包覆层中
碳硅粒子碳硅复合材料氮掺杂硅粒子碳包覆层氮原子包覆硅键碳键制造

[发明专利]一种镁合金表面涂层材料、涂层及其制备方法-CN202310296224.0在审
发明人：孙小英;王艳;施利毅;郝永强;冉超阳;邓亮;杭建忠 -专利权人：上海大学;上海大学（浙江·嘉兴）新兴产业研究院
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：所述涂层材料的组分包括：聚硅氮烷树脂以及溶剂；其中，所述溶剂的含量为19重量％～98.8重量％，并根据所述聚硅氮烷树脂的类别以设定所述聚硅氮烷树脂的含量。若所述聚硅氮烷树脂为有机聚硅氮烷，则所述有机聚硅氮烷的含量为2重量％～80重量％。若所述聚硅氮烷树脂为无机聚硅氮烷，则所述无机聚硅氮烷的含量为1重量％～20重量％。
一种镁合金表面涂层材料及其制备方法

[发明专利]聚硅硼氮烷的浸渍-固化处理方法、复合材料及制备方法-CN202211434710.6在审
发明人：韩耀;张冰清;张剑;吕毅 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了聚硅硼氮烷的浸渍‑固化处理方法、复合材料及制备方法，属于复合材料制备技术领域。对纤维增强氮化硅复合材料传统的PIP工艺中，浸渍‑固化所用的聚硅硼氮烷先驱物具有一定粘度，采用新型聚硅硼氮烷固化处理方法，通过对先驱物进行高压作用，能够使得聚硅硼氮烷充分浸入硅硼氮纤维预制体中，保证硅硼氮纤维预制体在聚硅硼氮烷先驱物浸渍固化后，能够获得高致密状态，对于固化工艺的改进，从而确保在后续的多次浸渍‑固化‑裂解复合过程中能够获得低气孔率、高性能的硅硼氮纤维增强硅硼氮复合材料。
聚硅硼氮烷浸渍固化处理方法复合材料制备

[发明专利]制造硅质膜的方法和用于该方法的聚硅氮烷膜处理液-CN201080039326.5有效
发明人：尾崎祐树;林昌伸 -专利权人： AZ电子材料(日本)株式会社
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成硅质膜的方法。根据该方法，在低温下可以由聚硅氮烷化合物形成具有亲水性表面的硅质膜。在该方法中，在基板表面上涂布含有聚硅氮烷化合物和二氧化硅转化反应加速剂的组合物以形成聚硅氮烷膜，然后在其上涂布聚硅氮烷膜处理液以使聚硅氮烷化合物在300℃以下转化为硅质膜。该聚硅氮烷膜处理液含有溶剂、过氧化氢和醇。
制造质膜方法用于聚硅氮烷膜处理

[发明专利]一种硅氧氮烷聚合物的制备方法-CN201910164853.1有效
发明人：罗永明;艾丽青;徐彩虹;李永明;张宗波 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C08G77/48 文献下载
摘要：本发明属于聚合物技术领域，具体涉及一种硅氧氮烷聚合物的制备方法。将含烷氧基二硅氮烷或含烷氧基环二硅氮烷与含氢硅氧烷或含氢硅烷进行反应、或者含氢二硅氮烷与含烷氧基硅氧烷或含烷氧基硅烷进行反应，即可得到硅氧氮烷聚合物。本发明采用分别含有烷氧基和硅氢基团的反应单体聚合反应生成特定结构的硅氧氮烷聚合物，反应条件温和，反应时间短，得到的硅氧氮烷聚合物结构较易控制，产物容易分离。
一种硅氧氮烷聚合物制备方法

[发明专利]在氮气下融化多晶硅制备掺氮铸造单晶硅的方法-CN200910099992.7有效
发明人：余学功;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了在氮气下融化多晶硅制备掺氮铸造单晶硅的方法，通过在多晶硅融化阶段通入氮气与融硅反应的方式掺入氮，通过控制融硅时间来控制掺氮浓度，以未融化的部分无位错的单晶硅块作为籽晶，定向凝固铸造单晶硅，得到氮浓度可控的掺氮铸造单晶硅本发明还公开了上述方法制得的掺氮铸造单晶硅，含有浓度为1×10¹⁵～1×10¹⁷/cm³的硼、镓和磷，还含有浓度为1×10¹³～5×10¹⁵/cm³的氮。
氮气融化多晶制备铸造单晶硅方法

[发明专利]一种硅-氮掺杂碳-氮掺杂石墨烯复合材料及其制备和应用-CN201510046686.2有效
发明人：万怡灶;季德惠;罗红林;熊光耀 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01M4/583 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅‑氮掺杂碳‑氮掺杂石墨烯复合材料，由氧化石墨烯、含氮碳源和硅构成，其中，氧化石墨烯：含氮碳源：硅的质量比为1～4：2：2～6；通过溶液混合法和高温炭化法得到核壳结构的氮掺杂碳包覆硅颗粒，且该氮掺杂碳包覆硅颗粒均匀地镶嵌在氮掺杂石墨烯层间。其制备过程是：将含氮碳源溶液加入到硅的分散液中，搅拌超声；向在超声过程中的上述混合液中加入氧化石墨烯分散液；再经搅拌加热，蒸发制浆，冷冻干燥，以及高温炭化过程得到硅‑氮掺杂碳‑氮掺杂石墨烯复合材料。本发明利用含氮碳源，既在硅颗粒表面形成碳层，又对碳层及石墨烯进行了氮掺杂，制备过程简单可控、无污染，且此复合材料在很大程度上提高了整体的电化学性能。
一种掺杂石墨复合材料及其制备应用

[发明专利]耐温度变化的光导模制体及其制法-CN91110737.1无效
发明人：托马斯·思特林;约根·泰斯;逖劳·瓦斯;马丁·布柳克;安德里思·伯劳克麦尔 -专利权人：赫彻斯特股份公司
申请日： 1991-11-15 - 公布日： 1992-05-27 - 主分类号： C08J5/00 文献下载
摘要：由聚硅氮烷或聚氢氯硅氮烷制造光导模制体的方法。在此方法中将聚硅氮烷或聚氢氯硅氮烷挤压成模制体，或者将其溶于一种溶剂中并挤压成模制体，接着暴露在温度为10至200℃，相对湿度为20至100％的气体环境中0.1至24小时。此模制体具有皮层/芯结构，其中皮层由1至3重量％氧，20至25重量％氮和30至40重量％硅组成，芯100重量％由聚硅氮烷或聚氢氯硅氮烷组成。
耐温变化光导模制体及其制法

[发明专利]在半导体晶圆上制备聚硅氮烷的方法和装置-CN201210549608.0有效
发明人：周友华;李志聪;洪敏皓;连明惠;吴志仁;黄振铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种在半导体晶圆上沉积聚硅氮烷的方法。方法包括以下步骤：将硅氮烷设置在半导体晶圆上以及加热硅氮烷以在半导体晶圆上形成聚硅氮烷。本发明还提供了一种在半导体晶圆上制备聚硅氮烷的装置。
半导体晶圆上制备聚硅氮烷方法装置

[发明专利]基于硅氮烷及其改性聚合物室温固化粘结剂及其制备方法-CN201510587603.0有效
发明人：罗永明;王林;曾凡;徐彩虹 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： C09J183/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅氮烷及其改性聚合物粘结剂及其制备方法。本发明所提供的硅氮烷及其改性聚合物是指聚硅氮烷、聚硼硅氮烷、聚碳硅氮烷、聚硅氧硅氮烷及含硅氮键的陶瓷前驱体聚合物中的一种或几种。该硅氮烷基陶瓷前驱体聚合物可以在异氰酸酯作用下实现室温固化，通过复配相应的填料制备出室温固化耐高温有机硅粘结剂。该类粘结剂具有耐温性能高，在1000℃仍然具有相当的剪切强度。
基于硅氮烷及其改性聚合物室温固化粘结制备方法

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