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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种智能温度探测器-CN202321113595.2有效
发明人：殷楠;张宏;杨晨;王帅;张玲玲;冯宪周;张慧祥 -专利权人：中国船舶集团有限公司第七一三研究所
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01K1/024 文献下载
摘要：本实用新型中的温度探测器包括探测模块和信号处理模块，探测模块包括温度敏感元件和处理电路模块，温度敏感元件采用全硅结构，包括硅薄膜、聚合物薄膜和硅微桥内阻，硅薄膜贴附在硅微桥内阻表面，聚合物薄膜贴附在硅薄膜上方
一种智能温度探测器

[实用新型]一种硅堆极性转换装置-CN200920236200.1无效
发明人：张炳生;汤爱平 -专利权人：扬州市鑫源电气有限公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H02M7/12 文献下载
摘要：本实用新型硅堆极性转换装置，包括定轴、硅粒子圆盘，在旋转轴上沿轴向设置若干半绝缘开关，半绝缘开关与硅粒子圆盘间隔布置，相邻的半绝缘开关按照半边绝缘、半边导通交替安装，旋转轴下端部带有S形螺纹导向槽，旋转轴通过带有轴销的导向套与油缸推杆相连，在油缸推杆的推动下，旋转轴在导向套里可以实现180°旋转，实现硅堆正负极性的转换。本实用新型解决了硅粒子圆盘只使用一半的问题，减少了圆盘的数量，提高了利用率，缩短了硅堆串的总长度。
一种极性转换装置

[实用新型]具有保护电路的日光灯电子启动器-CN94227996.4无效
发明人：曾繁国 -专利权人：曾繁国
申请日： 1994-04-07 - 公布日： 1995-04-12 - 主分类号： H05B41/29 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有保护电路的日光灯电子启动器，在原启动器振荡线圈的基础上，增加一组供控制保护电路用的次级绕组，该绕组的两端并联一只双向可控硅，该管的控制极经电阻接到电源的正极，它的第二电极接到可控硅的阳极，可控硅的阴极接地，可控硅的阳极经另一电阻接双向可控硅的控制极，可控硅的控制极接到振荡单元的输出端，输出端经电阻二极管分别接入平衡电路和负极。
具有保护电路日光灯电子启动器

[实用新型]自激式硅整流发电机-CN00213881.6无效
发明人：梁新建 -专利权人：梁新建
申请日： 2000-03-09 - 公布日： 2001-01-03 - 主分类号： H02K19/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自激式硅整流发电机,在硅整流发电机的后部固定一个其转子与硅整流发电机转子轴连接的永磁交流发电机,永磁交流发电机的线圈接整流电路,整流电路的正负极输出端分别接硅整流发电机的同性端,这样将硅整流发电机和永磁发电机合二为一,不再需要外部电源对硅整流发电机激磁启动,配合外用电压调节器,实现发电机良好的低速和高速特性,适合于没有安装蓄电池的机动三轮车、小四轮车上应用。
激式硅整流发电机

[实用新型]即热式热水器进水接头-CN200920121201.1无效
发明人：徐来喜;宋建新 -专利权人：浙江瑞琦仕科技股份有限公司
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： F24H9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种即热式热水器进水接头，包括管体，管体一端设有带螺纹的接头，另一端设有连接螺母，所述的管体外表面上设有若干个可控硅安装底座。该即热式热水器进水接头的管体外表面设有可控硅安装底座，在可控硅工作时将可控硅的热量传递给进水接头中的进水，可有效地降低可控硅的温度，避免可控硅被烧坏，同时增加了进水的温度，节省能源；进水接头的一端设有带有螺纹的接头
即热式热水器进水接头

[实用新型]一种晶体硅太阳能电池板-CN200820118683.0无效
发明人：韩月林 -专利权人：韩月林
申请日： 2008-06-02 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池板，包括板体(1)、晶体硅电池片(2)、封装板(3)、边框(5)，其特征在于所述单晶硅电池片(2)通过涂锡焊带焊接与所述边框(5)连接，焊接前在所述单晶硅电池片(2)上略微沾涂助焊剂，在所述板体(1)与所述单晶硅电池片(2)之间、所述单晶硅电池片(2)与所述封装板(3)之间设置有由乙烯－醋酸乙烯共聚物组成的密封层。
一种晶体太阳能电池板

[实用新型]桥全可控硅整流装置-CN87213835.6无效
发明人：龚秋声 -专利权人：龚秋声
申请日： 1987-09-25 - 公布日： 1989-01-18 - 主分类号： H02M7/162 文献下载
摘要：桥全可控硅整流装置属于音相电力变换设备。它由单相全波可控整流和单相桥式可控整流通过整流二极管或可控硅有机地结合在一起的一种新的单相可控硅整流装置。其造价略高于现有的单相全波或桥式可控硅整流装置。它可广泛用于直流电机无级调速，电瓶充电和发电机励磁调节等，代替现有的单相全波可控硅整流装置和单相桥式可控硅整流装置。
可控硅整流装置

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201580060359.0在审
发明人：大塚宽之;渡部武纪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池，其具备P型硅基板，所述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在所述背面上具备电介质膜，并且，所述P型硅基板在所述受光面的至少一部分具有N型导电型层，所述太阳能电池的特征在于，所述P型硅基板为掺有镓的硅基板，在所述P型硅基板的所述背面含有扩散的第III族元素。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]电极材料及其制备方法-CN201680067005.3在审
发明人：宣良国;李柱衡 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明可提供一种电极材料的制备方法，上述电极材料的制备方法包括：准备硅氧化物的步骤；还原上述硅氧化物的至少一部分，来制备包含由硅氧化物粒子及硅粒子凝聚而成的凝聚体的第一复合体(first composite)的步骤；选择性地去除上述第一复合体的上述硅氧化物粒子，来制备包含由上述硅粒子凝聚而成的凝聚体的第二复合体(second composite)的步骤；以及对上述第二复合体及碳材料(carbon material
制备复合体电极材料硅氧化物粒子硅氧化物硅粒子凝聚体碳材料干混合体冷焊凝聚去除还原

[发明专利]用于制造太阳能电池、特别是硅薄层太阳能电池的方法-CN201480041492.7有效
发明人： V·利索特申克 -专利权人：利拉茨有限公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造太阳能电池、特别是硅薄层太阳能电池的方法，在其中将TCO层(3)施设到玻璃基底(1)上并且将至少一个硅层(4，5)施设到TCO层(3)上，其中，在施设TCO层(3)之前给玻璃基底(作为替换或补充可以规定将第一硅层(4)施设到TCO层(3)上，给第一硅层(4)施加激光辐射或电子辐射，并且将第二硅层(5)施设到经照射的第一硅层(4)上。
用于制造太阳能电池特别是薄层方法

[发明专利]多晶硅棒的选择方法及单晶硅的制造方法-CN201280025081.X有效
发明人：宫尾秀一;冈田淳一;祢津茂义 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2012-04-04 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：采集以与通过基于化学气相沉积法的析出进行生长而得到的多晶硅棒的长轴方向垂直的截面作为主面的板状试样，对采集的全部板状试样的面内的全部方向进行X射线衍射测定，选择<111>、<220>、<311>及<400>中任意一个的密勒指数均未观察到具有偏离于平均值±2标准偏差(μ±2σ)的衍射强度的X射线衍射峰的多晶硅棒作为无取向性的多晶硅棒，将其作为单晶硅制造用原料使用。使用这样的多晶硅原料时，能够抑制在局部发生部分熔融残留，有助于单晶硅的稳定的制造。
多晶选择方法单晶硅制造

[发明专利]MEMS麦克风及其封装方法-CN201080062318.2有效
发明人：王喆;宋青林;庞胜利;谷芳辉 -专利权人：歌尔声学股份有限公司
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS麦克风及其制造方法，所述MEMS麦克风包括：包含声学传感元件以及一个或多个调节CMOS集成电路的单片硅芯片；具有声腔的硅基载体芯片；用于在其上表面安装单片芯片和硅基载体芯片的组件的基底；附着并电连接到基底上以容纳单片芯片和硅基载体芯片的组件的导电盖子；以及形成在导电盖子上或基底上以使外部声波抵达所述声学传感元件的声孔，其中，所述单片硅芯片、所述硅基载体芯片和所述声孔设置为使外部声波从所述声学传感元件的振膜的一侧来振动该振膜
mems 麦克风及其封装方法

[发明专利]具有改性表面组成、晶体结构、晶体大小和/或孔隙率的沸石材料、其制造方法和通过由其催化的反应将含氧物转化成烯烃的方法-CN201580028747.0有效
发明人： N·J·舍恩费尔特;D·斯蒂克利;J·G·莫斯科索;詹登阳;B·D·尤哈斯 -专利权人：环球油品公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： B01J29/00 文献下载
摘要：在本文中提供具有改性表面组成、晶体结构、晶体或粒子大小和/或孔隙率的沸石材料，其制造方法和使用其将含氧物转化成烯烃的方法.在一个示例性实施方案中，提供一种降低含硅沸石材料的表面硅含量的方法，其包括提供含硅沸石材料；和使所述含硅沸石材料与包含胺、醇胺和氨基酸的一种或多种的改性溶液接触.在这一实施方案中，该接触在适合该改性溶液的条件下进行以降低表面硅含量，提高孔隙率和/或降低含硅沸石材料的平均晶体或粒子大小。
具有改性表面组成晶体结构晶体大小孔隙率石材制造方法通过催化反应将含氧物

[发明专利]单晶生长装置及使用该装置的单晶生长方法-CN201580044303.6有效
发明人：星亮二;镰田洋之 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明为用于通过切克劳斯基法生长单晶硅的单晶生长装置，其特征在于，该单晶生长装置具备：主腔室，其配置容纳原料熔液的石英坩埚和对该石英坩埚进行加热和保温的加热器；以及提拉腔室，其与该主腔室的上部连接，提拉并收纳生长的单晶硅，所述主腔室具备硅细棒插入器，所述硅细棒插入器能够将含有掺杂剂的多个硅细棒分别独立地插入所述原料熔液而使其熔融。由此，提供能够生长高电阻率的单晶硅的单晶生长装置及使用了该装置的单晶生长方法。
生长装置使用方法

[发明专利]半导体压力传感器及其制造方法-CN200680035358.1有效
发明人：出尾晋一;田口元久;山下彰;吉田幸久 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：一种半导体压力传感器，包括：硅支撑衬底(1)、在硅支撑衬底(1)上形成的绝缘层(2)和在绝缘层(2)上形成的硅薄板(3)。在硅支撑衬底(1)中形成沿硅支撑衬底(1)的厚度方向延伸的通孔(1a)。位于通孔(1a)的延长线上的硅薄板(3)用作通过外部压力变形的膜片(23)。绝缘层(2)残留在膜片(23)的整个下表面上。绝缘层(2)的厚度从膜片(23)的外缘部分向中心部分减小。
半导体压力传感器及其制造方法

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