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- [发明专利]应变硅纳米线NMOSFET的制备方法-CN201210135991.5有效
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黄晓橹
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上海华力微电子有限公司
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2012-05-04
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2012-09-19
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H01L21/336
- 本发明提供的一种应变硅纳米线NMOSFET的制备方法,包括提供SOI硅片,包括硅衬底、硅衬底上的埋氧层和埋氧层上的顶层硅;形成硅纳米线场效应晶体管区域,并在顶层硅和埋氧层之间形成空洞层,在空洞层上方的顶层硅上制备出硅纳米线;沉淀无定形碳,并填充顶层硅下方的空洞层;进行栅氧工艺制备栅氧层,并沉积栅极材料;沉积绝缘介质材料,并填充顶层硅下方的空洞层,刻蚀形成栅极侧墙;刻蚀源漏极区域的顶层硅,在源漏极生长碳硅层,同时进行源楼区域原位掺杂;进行金属硅合金工艺,及接触孔工艺,将源、漏、栅极引出。本发明增大了N-SiNWFET中硅纳米线源漏方向的张应力,从而有效增大N-SiNWFET的电流驱动能力。
- 应变纳米nmosfet制备方法
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