专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]石墨烯导电浆料及制备方法和RFID电子标签-CN202011203774.6有效
  • 刘振禹;马有明;陈韶华;亓秀昌;刘进;赵娟;韩鹏 - 山东华冠智能卡有限公司
  • 2020-11-02 - 2021-08-06 - H01B1/24
  • 本申请公开了一种石墨烯导电浆料及其制备方法和RFID电子标签,该石墨烯导电浆料包括按重量份数计算的如下组分:石墨烯4‑8份、改性导电剂3‑5份、改性烷1‑2份、分散剂0.5‑1份和溶剂90‑96份;改性导电剂是导电剂经硅烷偶联剂改性制得,硅烷偶联剂与所述导电剂的重量比为1:(3‑5);改性烷是烷经环氧树脂改性制得,环氧树脂与烷的重量比为(4‑6):9。本申请提供的石墨烯导电浆料通过对导电剂及烷的改性,有效的提高了石墨烯导电浆料中石墨烯的分散性、稳定性及导电性,同时在RFID电子标签的印刷过程中也提高了石墨烯导电浆料与基材的附着强度及耐磨性能,有效的提升了导电浆料的印刷性能
  • 石墨导电浆料制备方法rfid电子标签
  • [发明专利]应变纳米线NMOSFET的制备方法-CN201210135991.5有效
  • 黄晓橹 - 上海华力微电子有限公司
  • 2012-05-04 - 2012-09-19 - H01L21/336
  • 本发明提供的一种应变纳米线NMOSFET的制备方法,包括提供SOI硅片,包括衬底、衬底上的埋层和埋层上的顶层;形成纳米线场效应晶体管区域,并在顶层和埋层之间形成空洞层,在空洞层上方的顶层上制备出纳米线;沉淀无定形,并填充顶层下方的空洞层;进行栅工艺制备栅层,并沉积栅极材料;沉积绝缘介质材料,并填充顶层下方的空洞层,刻蚀形成栅极侧墙;刻蚀源漏极区域的顶层,在源漏极生长层,同时进行源楼区域原位掺杂;进行金属合金工艺,及接触孔工艺,将源、漏、栅极引出。本发明增大了N-SiNWFET中纳米线源漏方向的张应力,从而有效增大N-SiNWFET的电流驱动能力。
  • 应变纳米nmosfet制备方法

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