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[发明专利]同心环芯纳米硅微盘微腔器件及其制备方法-CN201210217253.5无效
发明人：钱波;李永垒;蒋春萍 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种同心环芯纳米硅微盘微腔器件及其制备方法，属于半导体光电子器件技术领域。该同心环芯纳米硅微盘微腔器件包括硅衬底和微盘，所述微盘包括同轴设置的外围微盘和内围微盘，内围微盘直接形成于外围微盘上，外围微盘与内围微盘的边缘部熔合形成环状盘腔结构，其中，内围微盘为含有硅纳米量子点结构的薄膜层本发明将纳米硅量子点结构和微盘微腔结构有机结合，同时又把纳米硅发光区域与微盘环芯结构相分离，既利用了纳米硅良好的光增益特性，又减少了谐振过程中的非辐射自由载流子吸收，实现纳米硅同心环芯微腔的高效率的光发射，同时，该同心环芯纳米硅微盘微腔器件制备工艺简单，参数精确可调，与现行成熟的硅工艺相兼容。
同心纳米硅微盘微腔器件及其制备方法

[发明专利]多孔硅气体检测装置-CN201010553784.2有效
发明人：陈清伟;蔡林涛;李莎 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔硅气体检测装置，包括多孔硅微腔晶体、测试腔、光纤光谱仪和电信号检测系统，测试腔与多孔硅微腔晶体密封配合连接，多孔硅微腔晶体表面露于测试腔的内部，光纤光谱仪用于检测和记录多孔硅微腔晶体的光学信号，电信号检测系统与多孔硅微腔晶体连接用于检测并分析多孔硅微腔晶体的电信号。采用测试腔与单晶硅直接组成测试腔体，无需复杂加工过程，易于实现，价格低廉，便于推广应用；同时，通过多孔硅微腔的表面功能化修饰，并将多孔硅光学信号和电学信号检测结合起来实现对有害气体的同步检测，再进行多参数的集成分析
多孔气体检测装置

[发明专利]一种多孔硅微腔生物传感器及其制备方法、赤霉素的荧光图像检测方法-CN202211518183.7在审
发明人：贾振红;李宏媛 -专利权人：新疆大学
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明为一种多孔硅微腔生物传感器及其制备方法、赤霉素的荧光图像检测方法。一种多孔硅微腔生物传感器的制备方法，包括以下步骤：(1)采用电化学蚀刻法将p型掺硼单晶硅制备成多孔硅微腔；(2)对所述的多孔硅微腔进行功能化处理，使其中心波长蓝移至625nm后，得处理后的多孔硅微腔，即所述的多孔硅微腔生物传感器本发明所述的一种多孔硅微腔生物传感器及其制备方法、赤霉素的荧光图像检测方法，通过采用多孔硅微腔并对其改性，用于赤霉素的荧光图像检测，具有成本低、灵敏度高的优点。
一种多孔硅微腔生物传感器及其制备方法赤霉素荧光图像检测

[发明专利]一种片上集成波导的微盘腔及其制备方法-CN202110357339.7在审
发明人：姜校顺;顾佳新;李知轩 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上集成波导的微盘腔及其制备方法。该微盘腔包括：氧化硅片；氧化硅片包括硅基衬底和氧化硅半导体层；氧化硅半导体层包括功能区和非功能区；功能区包括波导结构、微盘结构及位于微盘结构内的第一开口；非功能区包括第二开口；微盘结构与第一开口构成微盘腔；第一扩展腔和第二扩展腔；第一扩展腔由第一开口沿垂直于硅基衬底所在平面的方向延伸至硅基衬底内；第二扩展腔由第二开口沿垂直于硅基衬底所在平面的方向延伸至硅基衬底内；第一扩展腔与第二扩展腔连通；波导结构和微盘结构在硅基衬底的垂直投影位于第一扩展腔和第二扩展腔组成的连通结构内本发明实施例降低了光在波导结构中的传输损耗以及提高了微盘腔的品质因子。
一种集成波导微盘腔及其制备方法

[实用新型]一种片上集成波导的微盘腔-CN202120675493.4有效
发明人：姜校顺;顾佳新;李知轩 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种片上集成波导的微盘腔。该微盘腔包括：氧化硅片；氧化硅片包括硅基衬底和氧化硅半导体层；氧化硅半导体层包括功能区和非功能区；功能区包括波导结构、微盘结构及位于微盘结构内的第一开口；非功能区包括第二开口；微盘结构与第一开口构成微盘腔；第一扩展腔和第二扩展腔；第一扩展腔由第一开口沿垂直于硅基衬底所在平面的方向延伸至硅基衬底内；第二扩展腔由第二开口沿垂直于硅基衬底所在平面的方向延伸至硅基衬底内；第一扩展腔与第二扩展腔连通；波导结构和微盘结构在硅基衬底的垂直投影位于第一扩展腔和第二扩展腔组成的连通结构内本实用新型降低了光在波导结构中的传输损耗以及提高了微盘腔的品质因子。
一种集成波导微盘腔

[发明专利]一种基于纳米梁结构的光机晶体微腔-CN201310743586.6有效
发明人：崔开宇;李永卓;黄翊东;冯雪;刘仿;张巍 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于纳米梁结构的光机晶体微腔，包括：硅衬底，用于承载整个光机晶体微腔；二氧化硅隔离层，用于隔离硅衬底和硅平板；硅平板，位于二氧化硅隔离层之上，硅平板包括依次设置的输入波导区、光机晶体微腔区、输出波导区；输入波导区用于接收光信号并将光信号传输至光机晶体微腔区；光机晶体微腔区，包括硅波导和空气孔阵列，用于局域光子和声子缺陷模式，实现光子和声子的耦合；输出波导区用于输出光信号；顶层二氧化硅层，位于硅平板之上，其与二氧化硅隔离层配合以保护硅平板；空气隔离区，位于光机晶体微腔区的上方和下方，且位于二氧化硅隔离层和顶层二氧化硅层之间。
一种基于纳米结构晶体

[发明专利]基于硅基微盘谐振腔的光子射频移相器-CN201510390715.7在审
发明人：周换颖;吴佳旸;毛俊明;潘听;苏翼凯 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： G02F1/225 文献下载
摘要：一种基于硅基微盘谐振腔的光子射频移相器，包括：OCS信号发生系统、功率调制系统、硅基微盘谐振腔和信号处理分析系统，其中：OCS信号发生系统产生的OCS信号与功率调制系统产生的泵浦控制光信号耦合后输入硅基微盘谐振腔，硅基微盘谐振腔输出RF信号进入信号处理分析系统进行处理分析；本发明采用的微盘谐振腔几乎不受内壁散射损耗，具有更高的品质因数，可用于实现更大的相移调节范围。
基于硅基微盘谐振腔光子射频移相器

[发明专利]微环激光器阵列及其制作方法-CN202110566858.4在审
发明人：王俊;祝莉娜;陈维荣;杨苑青;武国峰;黄永清;任晓敏 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种微环激光器阵列及其制作方法，所述微环激光器阵列包括：绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括：相对设置的第一层硅材料和第二层硅材料，以及位于两层硅材料之间的第一二氧化硅层；设置在所述绝缘体上硅上的多个激光输出单元；所述激光输出单元包括：微环腔激光器以及波导；所述微环腔激光器具有用于出射激光的有源区；所述微环腔激光器的尺寸不同，以出射不同波长的激光；所述绝缘体上硅具有多个露出第一表面的器件区；所述器件区不交叠，用于设置所述微环腔激光器，所述微环腔激光器与所述器件区一一对应；所述第二层硅材料包括多个相互独立的所述波导。本方案通过径向耦合锥形硅波导结构，可以实现激光的定向输出。
激光器阵列及其制作方法

[发明专利]利用球形玻璃微腔进行气密性封装的方法-CN201010148436.7有效
发明人：尚金堂;张迪;陈波寅;徐超 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种利用球形玻璃微腔进行气密性封装的方法，包括以下步骤：第一步：在玻璃圆片上制备密封芯片用玻璃微腔和引线玻璃微腔；第二步，芯片贴装：在具有薄二氧化硅层的硅衬底圆片上制作引线，将芯片粘贴在与密封芯片用玻璃微腔对应的硅衬底上，并与引线相连，铝引线的两端分别对应于密封芯片用玻璃微腔和引线玻璃微腔，第三步，将上述带有玻璃微腔和引线玻璃微腔的玻璃圆片与所述载有芯片和引线的硅衬底圆片对准，并键合密封；第四步，去除引线玻璃微腔上的玻璃本发明采用微组装的方式将芯片粘贴在设有引线的硅衬底表面，并用正压热成型形成的高度较高的玻璃微腔进行封盖，能够使得封装气密性较好。
利用球形玻璃进行气密性封装方法

[发明专利]基于硅基微环谐振腔的电控宽带光子射频移相器-CN201010138139.4无效
发明人：吴艳志;叶通;张亮;苏翼凯 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： G02F1/225 文献下载
摘要：一种光纤通信技术领域的基于硅基微环谐振腔的电控宽带光子射频移相器，包括：载波抑制光双边带产生系统、硅基微环谐振腔系统、电压源和测量系统，所述的载波抑制光双边带产生系统包括：可调激光器、射频信号发生器、马赫曾德调制器和光放大器；所述的硅基微环谐振腔系统包括：硅基微环谐振腔和微波探针，其中的硅基微环谐振腔包括：电极、半径相等的两个硅基微环和直波导，所述的测量系统包括：光放大器、可调窄带滤波器、光检测器和示波器。
基于硅基微环谐振腔宽带光子射频移相器

[发明专利]多波段硅基微盘混合激光器及其制备方法-CN201010196468.4无效
发明人：钱波;蒋春萍;王亦 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2010-06-10 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明揭示了一种多波段硅基微盘混合激光器及其制备方法，其中激光器的主要结构为形成于硅基底上的微盘微腔集合体，且各微盘表面设有波段可调的增益介质。增益介质为与SiO2微盘基底结合牢固的薄膜介质材料，激光波段由增益介质波段决定；模式位置由SiO2微盘结构尺寸和薄膜自身厚度决定。本发明制作过程基于现代微电子成熟工艺制备而成，该硅基微盘微腔结构，不仅可以作为硅基光源器件，也可以作为硅芯片为基底的光互联通讯、光子计算芯片、硅基传感器、滤波器、探测器的核心元件，拥有高灵敏度、低成本、在腔量子电动力学即微腔限制情况下光与物质相互作用等量子光学和量子信息研究领域也具有重要意义。
波段硅基微盘混合激光器及其制备方法

[发明专利]一种功率可调的窄线宽、宽波长调谐硅基外腔激光器-CN202210578716.4在审
发明人：龚攀;俞本立;汪辉;王瑞 -专利权人：安徽至博光电科技股份有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01S5/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率可调的窄线宽、宽波长调谐硅基外腔激光器，属于光电通信技术领域。包括光源和硅基外腔芯片，所述硅基外腔芯片包括耦合器、相位调制器、等效微环调制器与第三分束器。通过硅基衬底的SOI、SiN、SiON或SiO2材料工艺平台实现硅基外腔芯片的片上集成，达到机械性能佳、抗振性好，同时实现外腔激光器的小型化和低成本的技术效果；通过热调谐使得等效微环调制器结构和硅基微环调制器的自由光谱范围移动来选择波长，达到宽波长调谐范围的技术效果；通过等效微环调制器结构和硅基微环调制器输出高Q值，以达到窄线宽输出的技术效果。
一种功率可调窄线宽波长调谐硅基外腔激光器

[发明专利]一种多孔硅拼装式微腔生物传感器的应用方法-CN202010776987.1有效
发明人：贾振红;孙淼;黄晓辉;吕小毅 -专利权人：新疆大学
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔硅拼装式微腔生物传感器的应用方法是由上下布拉格与微腔构成的一种常用的多孔硅生物传感器，在生物检测过程中，即使尺寸非常小的生物分子也只能进入到多孔硅表层1μm的深度，很难达到微腔层，导致实际多孔硅微腔的生物检测灵敏度低于理论值设计值为解决这一问题，本发明公开了一种多孔硅拼装式微腔生物传感器的应用方法，其上部分布拉格反射镜和下半部分是分离的，上部分布拉格由基于石英玻璃基底的布拉格器件代替，微腔及下部分布拉格由多孔硅制备，于是生物分子可直接进入到微腔层由于生物分子可以容易的进入到孔洞较大的微腔层，能引起较大的反射谱红移或角度谱移动，因而提高了多孔硅的灵敏度。
一种多孔拼装式微生物传感器应用方法

[发明专利]硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构-CN200510086312.X无效
发明人：许兴胜;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：一种硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构，包括：一绝缘体硅材料；一二维光子晶体，该二维光子晶体制作在绝缘体硅材料的上面，位于绝缘体硅材料的中间部分处；一二维光子晶体微腔，该二维光子晶体微腔形成在二维光子晶体的中心处；一P型硅，该P型硅制作在绝缘体硅材料上面的一侧，位于二维光子晶体的一边；一N型硅，该N型硅制作在绝缘体硅材料上面的另一侧，位于二维光子晶体的另一边。本发明二维光子晶体微腔硅基拉曼激光器的结构，该拉曼激光器结构紧凑，模体积小，阈值低，便于与其他器件的集成。
光子晶体微腔拉曼激光器结构

[发明专利]微晶硅的制备方法、薄膜晶体管的制备方法和阵列基板-CN202111149257.X有效
发明人：夏玉明;朱虹玲;袁海江 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种微晶硅的制备方法、薄膜晶体管的制备方法和阵列基板，微晶硅的制备方法包括步骤：将硅前驱体通入至反应腔室内；通入惰性气体至反应腔室内进行吹扫；通入还原气体至反应腔室内；通入惰性气体至反应腔室内进行吹扫；重复上述步骤，重复预设次数得到预设厚度的非晶硅薄膜；在预设温度下，将预设厚度的非晶硅薄膜进行退火处理以形成微晶硅；其中，所述预设温度小于400℃。本申请在较低温度下采用原子层沉积技术制备得到原子连续性好、有序度高、高迁移率的微晶硅，避免在高温情况下制备非晶硅而破坏衬底基板。
微晶硅制备方法薄膜晶体管阵列

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