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[发明专利]一种具有各向异性的硅量子点薄膜的制备方法-CN201310696185.X有效
发明人：畅庚榕;马飞;徐可为 -专利权人：西安文理学院
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有各向异性的硅量子点薄膜的制备方法，公开了一种调整元素成分变化产生不同的应变能诱导各向异性的多形态硅量子点形成，进而调整其吸收光谱范围，并显著提高所用材料光电转换效率的技术方法。主要步骤如下：首先，镀膜前预处理，然后利用Ar离子对不同成分比例的硅锗合金靶和碳靶进行磁控共溅射，调整硅锗和碳靶的溅射功率，在硅和玻璃基体上沉积成分可控的非晶碳化硅锗薄膜；再后，在氮气气氛中分阶段退火处理，形成镶嵌在非晶SiC内部具有各向异性的多形态硅量子点薄膜。此类薄膜拥有多激子效应，同时在1800nm（红外光）至300nm（紫外光）的波长范围内具有多波长光吸收特征，有望大幅提高硅基光伏器件的光吸收和光电转换效率。
一种具有各向异性量子薄膜制备方法

[实用新型]一种偏振无关的波分复用器-CN202321370373.9有效
发明人：方青;高维宇;董润宇;刘世平;陈华;李天文 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本实用新型涉及偏振无关的波分复用器，从下到上依次为衬底层、埋氧层、器件层和上包层，其中上包层含有加热电极和电极引线，所述器件层包括偏振分束旋转器、硅基光开关和阵列波导光栅，偏振分束旋转器与硅基光开关相连，硅基光开关与阵列波导光栅相连。本实用新型使用偏振分束旋转器将输入的TM模式光转换为TE模式光，而输入的TE模式光保持偏振态不变，再通过硅基光开关将偏振分束旋转器的不同输出通道输出的TE模式光从硅基光开关的同一输出通道输出，而后输入至阵列波导光栅
一种偏振无关波分复用器

[实用新型]一种组合式磁芯新型高性能扁平线立绕差模电感-CN202320432995.3有效
发明人：李光荣;孟创园;龚玲 -专利权人：广东联达铭磁科技有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种组合式磁芯新型高性能扁平线立绕差模电感，包括磁芯上下颚和与磁芯上下颚连接的铁硅磁粉中柱，所述铁硅磁粉中柱上立绕设置有扁平线圈形成电感，所述扁平线圈上下端通过环氧树脂板与磁芯上下颚隔离，所述磁芯上下颚包括位于两端的铁硅磁粉芯和位于中间的铁基非晶块，铁硅磁粉芯与铁基非晶块拼接形成磁芯上下颚，较比传统的方案，在电感同样的体积下，使用更少的匝数达到等同性能，实现低铁损、低铜损、高性能，节省电感整个
一种组合式新型性能扁平线立绕差模电感

[发明专利]光半导体密封用固化性组合物和使用其的光半导体装置-CN201310221629.4有效
发明人：越川英纪;塩野巳喜男 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C08L71/00 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种光半导体密封用固化性组合物及光半导体装置，该组合物形成耐冲击性及粘着性优异的固化物，该装置是利用固化该光半导体密封用固化性组合物所获得的固化物来密封光半导体元件而成。该组合物含有(A)直链状聚氟化合物；(B)环状有机聚硅氧烷、及/或有机氢硅氧烷，该环状有机硅氧烷具有SiH基及含氟有机基，该有机氢硅氧烷具有SiH基及含氟有机基；(C)铂族金属系催化剂；(D)环状有机聚硅氧烷，具有SiH基、含氟有机基及环氧基；及(E)环状有机聚硅氧烷，具有一价不饱和烃基及含氟有机基；且，该组合物固化所获得的固化物的利用JIS K6253‑3中规定的A型硬度计所测得的硬度值为30～80。
半导体密封固化组合使用装置

[发明专利]一种硅基集成激光器芯片倒装耦合结构-CN201911146433.7有效
发明人：刘旭;王中武;施晓亭;孙小菡 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基集成激光器芯片倒装耦合结构，该结构的左侧为有源激光器芯片，该结构的右侧为无源硅基芯片，无源硅基芯片的左侧开有沟槽，有源激光器芯片通过倒装在该沟槽内与无源硅基芯片实现键合；无源硅基芯片中设有绝缘体上硅，绝缘体上硅的外延部分作为光的耦合与接收通道；有源激光器芯片的顶层和底层设有与电极相连的金属接触；有源激光器芯片作为激励源发光，光通过倏逝场耦合进入绝缘体上硅的外延通道内形成光场传输。本发明能够实现有源器件与无源器件的高效光耦合，为大规模光子集成技术奠定基础。
一种集成激光器芯片倒装耦合结构

[发明专利]一种基于硅基液晶的光谱分析仪及其实现方法-CN201510162209.2有效
发明人：谢德权;刘子晨;尤全;孟令恒;张晨祥;陈超;杨奇;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅基液晶的光谱分析仪及其实现方法，该实现方法包括以下步骤光束经准直器阵列准直后，由偏振转换单元转换为同一偏振态的偏振光，再经扩束单元扩束后，输出X方向偏振光投射在衍射光栅上产生相应的衍射光；通过控制单元改变硅基液晶的相位，使衍射光投射在硅基液晶的不同位置上；硅基液晶反射回的衍射光经汇聚单元汇聚后再次投射在衍射光栅上；衍射光栅返回的衍射光穿过扩束单元并由准直器阵列输出；利用光电探测器接收由准直器阵列输出的光束并记录光强度本发明，利用硅基液晶进行光谱分析，谱线分布均匀且光谱分析不受外界震动影响。
一种基于液晶光谱分析及其实现方法

[发明专利]光半导体元件密封用有机硅组合物以及光半导体装置-CN201380050249.7有效
发明人：望月纪久夫 -专利权人：迈图高新材料日本合同公司
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明提供将得到的有机硅固化物作为光半导体元件的密封材料时，可兼顾充分的光透射性和机械强度的光半导体元件密封用有机硅组合物以及光半导体装置。光半导体元件密封用有机硅组合物以及利用该组合物的固化物来密封光半导体元件而成的光半导体装置，所述光半导体元件密封用有机硅组合物的特征在于，分别含有合计100质量份的在分子中具有2个以上烯基的直链状聚有机硅氧烷和在分子中具有1个以上烯基的树脂状结构的聚有机硅氧烷；在分子中具有2个以上氢甲硅烷基(Si‑H基)的聚有机氢硅氧烷，其量是使得相对于烯基1摩尔、氢原子为1～3摩尔的量；5～20质量份的二氧化硅粉末；以及催化量的氢化硅烷化反应催化剂，所述光半导体元件密封用有机硅组合物的折射率(25℃、D线)为1.41～1.44。
半导体元件密封有机硅组合以及装置

[发明专利]一种图像传感器像素阵列结构及制作方法-CN202010759946.1有效
发明人：叶果;王兆民 -专利权人：奥比中光科技集团股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器像素阵列结构及制作方法，结构包括像素晶圆和逻辑晶圆，其中，所述像素晶圆包括：硅基感光像素阵列，用于接收入射光以转换成电信号；深隔离结构，位于相邻硅基感光像素之间的，用于所述相邻硅基感光像素之间的光学隔离和电学隔离；硅基微透镜阵列，位于硅基感光像素阵列的上方，与所述硅基感光像素阵列自成一体，用于会聚入射光进入所述硅基感光像素阵列；钝化层，沉积于所述硅基微透镜阵列，用于保护硅基微透镜阵列；所述逻辑晶圆，包括互补金属氧化物半导体器件，用于处理来自所述硅基感光像素阵列的电信号。消除传统有机微透镜和硅基感光像素之间的折射率差，减少微透镜阵列和感光像素阵列界面处的入射光反射损失。
一种图像传感器像素阵列结构制作方法

[发明专利]一种低损耗铁硅铝基复合软磁粉心的制备方法-CN202210363236.6在审
发明人：汤凤林 -专利权人：扬州领创新材料科技有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01F1/147 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损耗铁硅铝基复合软磁粉心的制备方法，通过选用400目气雾化铁硅铝磁粉和200目铁镍磁粉，并且按照合金成分质量百分比55％：45％，制备出低损耗60μ铁硅铝基复合软磁粉心，兼具低损耗和高直流偏置性能的优点
一种损耗铁硅铝基复合软磁粉心制备方法

[发明专利]复合光源数字投影装置和方法-CN201610624238.0在审
发明人：赵首博 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： G03B21/20 文献下载
摘要：所述的复合光源数字投影装置包括第一光源、第一硅基液晶阵列、第二光源、第二硅基液晶阵列、合光镜、投影光组和壳体。所述的复合光源数字投影方法通过调整双硅基液晶阵列的对应关系和控制硅基液晶阵列进行光线调制，使两不同波段光源复合，并经投影光组扩束实现投影功能。本发明采用双硅基液晶阵列结构，实现了将两光源无时间间隔地复合投影，结构紧凑，工作噪音较低，适用于成像设备曝光速度要求高的场合。
复合光源数字投影装置方法

[发明专利]一种基于硅基L形波导结构的集成偏振转换器-CN201310556451.9有效
发明人：肖金标;王嘉源 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅基L形波导结构的集成偏振转换器，该偏振转换器包括用于输入光信号的输入波导、用于输出光信号的输出波导、用于偏振旋转的硅基L形波导，以及包层，输入波导和输出波导分别与硅基L形波导直接端面耦合，在硅基L形波导的纵臂上设有横向狭缝，在硅基L形波导的横臂上设有纵向狭缝，包层包覆在输入波导、输出波导和硅基L形波导的外侧。
一种基于波导结构集成偏振转换器

[发明专利]基于硅基锗光电探测器的光电探测方法和系统及设备-CN201811319994.8有效
发明人：崔积适;刘持标;邱锦明;陈洪敏 -专利权人：三明学院
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅基锗光电探测器的光电探测方法和系统及设备。其中，所述硅基锗光电探测器包括光波导层、硅氧化层、锗氧化层、第一电极、第二电极、第三电极，该第一电极与该第二电极之间形成的电场用于对第一耦合区域的其中一束光进行耦合，该第三电极与该第二电极之间形成的电场用于对第二耦合区域的其中另一束光进行耦合，使该两束光经分别耦合后呈现出强弱相互叠加的态势。通过上述方式，能够实现硅基锗光电探测器能对入射光经功率分束后的两束光进行耦合，使该两束光经分别耦合后呈现出强弱相互叠加的态势，从而使硅基锗光电探测器中的光场分布更加均匀，提高硅基锗光电探测器的带宽、饱和特征以及可靠性
基于硅基锗光电探测器探测方法系统设备

[发明专利]硅基集成光电探测器及其制备方法-CN202210335988.1在审
发明人：刘巧莉;陈年域;胡安琪;郭霞 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本申请提供一种硅基集成光电探测器及其制备方法，包括硅光波导、波长转换波导和硅光电探测器，硅光波导用于接收并传输入射光，入射光其波长大于1100nm；波长转换波导设置于硅光波导的后方，用于波长下转换，将入射光转换为波长小于1100nm的转换光；硅光电探测器设置于波长转换波导的后方，用于将接收到的光信号转换为电信号。该结构可实现通信波段硅基集成光电探测，且由于硅材料晶格完整，探测的灵敏度高。
集成光电探测器及其制备方法

[发明专利]硅基液晶空间光调制器与波长选择开关-CN202010313040.7在审
发明人：李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基液晶空间光调制器及波长选择开关。所述硅基液晶空间光调制器包括：第一基板、与第一基板相对间隔设置的第二基板以及设于第一基板与第二基板之间的液晶层；第一基板包括：硅基背板及设于硅基背板上的辅助层；硅基背板包括阵列排布的多个像素区，辅助层包括多个条状的第一挡墙、多个条状的第二挡墙及多个凸起部；多条第一挡墙与多条第二挡墙纵横交错形成多个网格，每一个网格包围一个像素区，且每一个网格内设有至少一个凸起部；能够提升硅基液晶空间光调制器的对比度，降低边缘场效应。
液晶空间调制器波长选择开关

[实用新型]一种硅基OLED微显示眼镜-CN201921956696.X有效
发明人：吕磊;晋芳铭 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于硅基的OLED微显示眼镜，该眼镜包括：由人眼位置往外依次设置的镜头、透镜一及显示屏，在透镜一的上方设有透镜二，透镜二的两侧分别为硅基micro OLED显示屏及显示屏，透镜二位于硅基micro OLED显示屏发发射光路上，显示屏位于透镜二的透射光路上，透镜一位于显示屏反射光路上，镜头位于透镜一的焦点处；以及控制透镜一、透镜二、显示屏及硅基micro OLED显示屏升降的升降装置。基于硅基的OLED微显示眼镜存在使用模式和非使用模式切换，在非使用模式下，无需取下硅基OLED微显示眼镜即可查看四周的环境。
一种 oled 显示眼镜