专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]红外线传感器-CN01822193.9无效
  • 柴山胜己 - 浜松光子学株式会社
  • 2001-04-10 - 2004-04-07 - G01J1/02
  • 本发明提供一种红外线传感器,具有支承构件、多晶膜、SiO2、铝膜、及热吸收层;该支承构件包含支承膜和具有空心部分并对支承膜进行支承的基板;该多晶膜从空心部分的上部形成到基板的上部;该SiO2形成于多晶膜上,具有空心部分上部的第1接触孔和基板的上部第2接触孔;该铝膜通过第1连接孔与多晶膜连接,与通过第2接触孔邻接的多晶膜连接;该热吸收层覆盖第1接触孔的上部地形成于空心部分的上部;铝膜在空心部分的上部隔着该对应的多晶膜和SiO2层叠。
  • 红外线传感器
  • [发明专利]锭、晶块、衬底和太阳能电池-CN202080053214.9在审
  • 小柏阳平;小栗诚司;竹之下健 - 京瓷株式会社
  • 2020-07-30 - 2022-03-18 - C30B29/06
  • 锭具有第1面、位于与该第1面相反侧的第2面、以连接第1面和第2面的状态沿着从第2面朝向第1面的第1方向设置的第3面。该锭具备在与第1方向垂直的第2方向上依次邻接的第1类单晶区域、包括1个以上类单晶区域的第1中间区域、第2类单晶区域。在第2方向上,第1类单晶区域的宽度和第2类单晶区域的宽度,分别大于第1中间区域的宽度。第1类单晶区域与第1中间区域的第1边界具有重位点阵晶界。第2类单晶区域与第1中间区域的第2边界具有重位点阵晶界。第1边界和第2边界之中的至少一个边界,在与第1方向垂直的假想的截面中弯曲。
  • 硅锭硅晶块衬底太阳能电池
  • [发明专利]新型石墨导热-CN201310154445.0在审
  • 费城 - 费城
  • 2013-04-28 - 2014-10-29 - C09K5/08
  • 本发明公开了一种新型石墨导热脂,由加入了增稠剂的硅油或脂和2000目石墨粉配置而成。加入了增稠剂的硅油或脂与2000目石墨粉重量比例是4.35:1。新型石墨导热脂的制备工艺是:硅油或脂中加入增稠剂,加热加压并研磨后形成一种酯状物,酯状物与2000目石墨粉按4.35:1的重量比例搅拌混合即为成品。
  • 新型石墨导热

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