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[发明专利]高耐热性锐钛矿型氧化钛及其制造方法-CN202080038483.8有效
发明人：千头英明;水江圭;的场宏树 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：本发明提供一种在700℃的温度区域稳定地保持反应性优异的锐钛矿型的晶相，并且为微粒且具有均匀的粒度分布的高耐热性锐钛矿型氧化钛。本发明的高耐热性锐钛矿型氧化钛，其具有全部晶相中的锐钛矿晶相的含有率为85％以上的氧化钛粒子、和前述设置于氧化钛粒子的表面的修饰层，前述修饰层是用酸性溶液修饰而成的层，所述酸性溶液含有1.5×10
耐热性锐钛矿型氧化及其制造方法

[发明专利]一种像素化钙钛矿纳米晶闪烁转换屏、制备方法及应用-CN202210289832.4在审
发明人：张志军;陈轶阳 -专利权人：杭州钛光科技有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明属于医学与工业领域的X‑射线成像技术领域，公开了一种像素化钙钛矿纳米晶闪烁转换屏、制备方法及应用，利用异丙醇(IPA)室温方法或者甲苯(TOL)室温合成方法或者热注射法制备钙钛矿溶液；将钙钛矿溶液进行提纯处理，得到钙钛矿纳米晶；将多孔模板清洗预处理；对多孔模板进行超声喷涂，或者利用负压填充，在多孔模板上形成较为致密的钙钛矿纳米晶阵列。本发明的像素化钙钛矿纳米晶闪烁转换屏，并结合像素化钙钛矿闪烁转换屏结构的光波导效应和封装保护作用，显著提高了钙钛矿纳米晶闪烁屏的空间分辨率和环境稳定性，获得了具有高空间分辨率(1μm)和快衰减时间(10ns)的像素化钙钛矿纳米晶闪烁转换屏。
一种像素化钙钛矿纳米闪烁转换制备方法应用

[发明专利]一种钙钛矿纳米晶试剂盒-CN202111210520.1在审
发明人：苏萌;迟基梅;宋延林 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿纳米晶试剂盒，其包括检测液，所述检测液含有纳米晶探针，所述纳米晶探针为水溶性钙钛矿纳米晶标记的生物材料；所述水溶性钙钛矿纳米晶包括钙钛矿量子点和包覆在所述钙钛矿量子点表面的端羧基聚乳酸本发明的钙钛矿纳米晶试剂盒将抗体抗原特异性结合，可用于脑胶质瘤组织或细胞的高灵敏度快速检测。
一种钙钛矿纳米试剂盒

[发明专利]钝化表面缺陷的CsPbBr3-x-CN202310149656.9在审
发明人：姚宏斌;陈天 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种钝化表面缺陷的CsPbBr3‑xClx钙钛矿纳米晶的制备方法，包括：提供CsPbCl3钙钛矿纳米晶溶液，并得到CsPbCl3钙钛矿纳米晶的甲苯溶液，其中CsPbCl3钙钛矿纳米晶表面附着有碳链长度为18的长烷烃链绝缘配体；在CsPbCl3钙钛矿纳米晶的甲苯溶液中加入包括溴化钙的第一联合配体的溶液，使CsPbCl3钙钛矿纳米晶与第一联合配体之间发生卤素离子交换>x钙钛矿纳米晶的甲苯溶液；在CsPbBr3‑xClx钙钛矿纳米晶的甲苯溶液中加入包括三丁基氧化磷和氟硼酸钙的第二联合配体的溶液>3‑xClx钙钛矿纳米晶。
钝化表面缺陷 cspbbr base sub

[发明专利]一种Cs₂AgBiBr₆双钙钛矿及其制备方法-CN201810293648.0在审
发明人：唐江;牛广达;尹力骁;潘伟程;巫皓迪 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cs2AgBiBr6双钙钛矿及其制备方法，该制备方法引入两步析晶过程，避免Cs2AgBiBr6钙钛矿在有机溶剂中组分偏析现象。主要在于：采用反溶剂滴定前驱体溶液，去除早期析晶副产物，离心分离后获得清液作为Cs2AgBiBr6钙钛矿长晶溶液，再通过反溶剂析晶过程缓慢合成出Cs2AgBiBr6钙钛矿材料。相对于用酸作为溶剂，有机溶剂的溶解度更大，对密封性和容器的抗腐蚀性要求更低，能够显著提高合成效率。
制备析晶双钙钛矿有机溶剂反溶剂溶解度合成钙钛矿材料前驱体溶液组分偏析副产物钙钛矿密封性溶剂滴定钙钛偏析清液去除引入

[发明专利]一种喷涂制备钙钛矿纳米晶薄膜的方法-CN201810023684.5有效
发明人：杨智;汪敏强;李军杰;窦金娟 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：一种喷涂制备钙钛矿纳米晶薄膜的方法，将钙钛矿纳米晶分散到有机溶剂中，获得钙钛矿纳米晶分散液；将钙钛矿纳米晶分散液装入喷瓶中，安装到喷枪上，调节喷枪与基底的距离、喷枪的出液量和气压；然后将基底加热后进行喷涂，退火后，得到钙钛矿纳米晶薄膜。本发明得到的钙钛矿纳米晶薄膜致密性高、表面平整，可应用于制备太阳能电池、光电探测器和发光二极管等光电器件，同时该方法具有材料利用率高、成膜速度快、可大面积制备的优点。
钙钛矿纳米晶薄膜纳米晶喷涂喷枪制备钙钛矿分散液制备退火材料利用率发光二极管光电探测器太阳能电池表面平整光电器件基底加热有机溶剂致密性高出液量成膜基底喷瓶气压装入应用

[发明专利]全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法-CN201410568822.X有效
发明人：田汉民;吴亚美;杨瑞霞;金慧娇;王伟;杨帆;张明兰;杨帆;赵红东 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、氧化物半导体薄膜层、钙钛矿光吸收层、微晶硅空穴传输层和背电极构成；在涂覆了氧化物半导体薄膜的透明导电基底上制备钙钛矿光吸收层，微晶硅空穴传输层沉积在钙钛矿光吸收层上形成全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜；将钙钛矿光吸收层材料和P型微晶硅材料相互匹配复合，所制得的全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜太阳电池同时克服了现有钙钛矿太阳电池因使用有机空穴传输材料而存在的稳定性差和价格昂贵的缺点，以及微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高及光电转换效率低的缺点。
固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种基于铈掺杂玻璃基质的卤化物钙钛矿纳米晶材料及其制备方法-CN202110572692.7有效
发明人：韦玮;苏梦磊;张琦 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铈掺杂玻璃基质的卤化物钙钛矿纳米晶材料及其制备方法，属于发光材料领域，所述卤化物钙钛矿纳米晶材料包括铈掺杂的玻璃基质、以及分布在所述玻璃基质中的卤化物钙钛矿纳米晶；本发明通过在玻璃基质中掺杂三价铈离子，铈离子可以将玻璃基质吸收的X射线能量有效的传递给卤化物钙钛矿纳米晶，增强钙钛矿纳米晶的发光强度，掺杂铈离子后，钙钛矿纳米晶的发射光谱积分面积提高约90％；本发明制备的基于铈掺杂玻璃基质卤化物钙钛矿纳米晶闪烁材料
一种基于掺杂玻璃基质卤化物钙钛矿纳米材料及其制备方法

[发明专利]一种低维自解体晶种调控的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202311059284.7在审
发明人：马柱;刘千羽;杜卓维;张倩;李炎林 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种低维自解体晶种调控的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该钙钛矿太阳能电池从下至上依次包括导电玻璃衬底、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层和金属电极层，所述钙钛矿光吸收层采用两步法旋涂制备，并在第一部分碘化铅前驱体溶液中添加低维自解体晶种，调控钙钛矿晶粒生长，同时晶种自解体释放阳离子钝化钙钛矿薄膜缺陷。本发明可以提供低维自解体晶种调控的高质量钙钛矿晶体，提升钙钛矿晶粒尺寸，同时晶种自解体释放有机阳离子钝化钙钛矿薄膜内部缺陷，可以显著提升钙钛矿太阳能电池的光电转换效率和稳定性。
一种解体调控钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]硅/钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法-CN202110864717.0在审
发明人：薛建锋;朱茂礼;王永洁;余义;苏世杰 -专利权人：通威太阳能(安徽)有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本申请涉及一种硅/钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法，属于钙钛矿叠层电池技术领域。该硅/钙钛矿叠层太阳能电池包括硅底电池和钙钛矿顶电池，硅底电池的表面和钙钛矿顶电池的底面之间依次设置有种子晶硅层和隧穿层，种子晶硅层靠近硅底电池，隧穿层靠近钙钛矿顶电池。其中，种子晶硅层为非晶硅层，隧穿层为掺杂的微晶硅氧层。该电池使硅底电池和钙钛矿顶电池之间的隧穿更加容易，以提高电池的开路电压和转化效率。
钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种喷涂制备钙钛矿纳米晶薄膜的方法-CN201910164198.X在审
发明人：孙立辉;陈立胜 -专利权人：莱芜职业技术学院
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿纳米晶薄膜领域，公开了一种喷涂制备钙钛矿纳米晶薄膜的方法，将前驱体溶液喷涂在基板上，形成液膜；所述前驱体溶液包括溶剂、以及溶解在所述溶剂中的钙钛矿材料；加热所述基板，以使液膜形成半干膜；将反溶剂喷涂在所述半干膜上以使所述半干膜晶化；钙钛矿纳米晶薄膜的制备采取喷涂的方法：将钙钛矿纳米晶分散液装入喷瓶中，安装到喷枪上，调节喷枪与基底的距离、喷枪的出液量和气压；然后将基底加热后进行喷涂，退火后，得到钙钛矿纳米晶薄膜。本发明制备的纳米晶薄膜均匀致密，基底稳定，光催化性能好，且步骤简单，厚度可控，适合大规模、工业化生产。
纳米晶薄膜喷涂钙钛矿半干喷枪前驱体溶液制备钙钛矿溶剂基板基底液膜制备退火钙钛矿材料光催化性能厚度可控基底加热均匀致密出液量反溶剂分散液纳米晶晶化喷瓶加热气压装入溶解

[发明专利]一种低晶界钙钛矿晶体薄膜、电池及其制备方法-CN202110055316.0有效
发明人：高锋;张影;程汝舟;刘可 -专利权人：邵阳学院
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料及器件技术领域，特别涉及一种低晶界钙钛矿晶体薄膜、低晶界钙钛矿电池及其制备方法。一种低晶界钙钛矿晶体薄膜的制备方法，包括步骤：S1，制备TiO2纳米阵列薄膜；S2，制备前驱体溶液；S3，制备低晶界钙钛矿晶体薄膜，在步骤S3中首次创造性地采用碘化铵辅助合成，能够简化传统的制备工艺，且制得的低晶界钙钛矿晶体薄膜为三维结构，薄膜表面光滑、均匀，整个晶体呈大块状，晶界较少；在此基础上制得的低晶界钙钛矿电池具有优异的光电转换性能和空气稳定性。
一种低晶界钙钛矿晶体薄膜电池及其制备方法

[发明专利]一种基于离子液体调控的高效钙钛矿材料及太阳电池-CN201910085440.4在审
发明人：张锁江;苗青青;杜燕燕 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于离子液体调控的高效钙钛矿材料及太阳电池，其特征在于用两步法通过离子液体调控钙钛矿材料的生长过程从而改善其光电性能。通过控制离子液体的结构、官能团、阴阳离子、亲疏水等因素可有效调控钙钛矿材料的晶体生长过程、控制晶型、尺寸、形貌等从而获得高效的钙钛矿材料及钙钛矿太阳电池。所述调控方法具有方法简单、条件温和、成本低、绿色环保、适于大规模生产等特点，可获得尺寸均匀、高纯度、覆盖率高、光学性能良好的钙钛矿材料，显著改善现有工艺中钙钛矿薄膜覆盖率、连续度、粗糙度、晶型等，大幅提高钙钛矿太阳电池的光电转换效率
钙钛矿材料离子液体调控钙钛矿晶型形貌光电转换效率晶体生长过程钙钛矿薄膜覆盖率光电性能光学性能绿色环保生长过程阴阳离子有效调控粗糙度高纯度两步法亲疏水

[发明专利]双溴季铵盐配体及用于铅卤钙钛矿纳米晶溶液的合成方法-CN202111105261.6有效
发明人：解荣军;蔡宇廷 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C07C211/09 文献下载
摘要：双溴季铵盐配体及用于铅卤钙钛矿纳米晶溶液的合成方法，涉及纳米晶合成。使用所述双溴季铵盐配体作为合成用的配体，1)将卤化铯、卤化甲脒和卤化甲胺中的至少一种与卤化铅、N,N‑二甲基甲酰胺按比例混合，随后超声分散，放于室温下备用；2)在步骤1)所得溶液中加入双溴季铵盐配体，超声分散：3)取步骤2)所得溶液注射至甲苯溶液中，即合成铅卤钙钛矿纳米晶溶液。制备得到的铅卤钙钛矿纳米晶拥有高的荧光量子效率(90％以上)和优良的稳定性，有助于未来的显示和照明应用。具有操作简单，无惰性氛围保护和加热处理，且原料易得，易于大规模推广应用。
双溴季铵盐用于铅卤钙钛矿纳米溶液合成方法

[发明专利]薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法-CN201510785094.2在审
发明人：田汉民;金慧娇;毕文刚;花中秋;杨瑞霞;戎小莹;张天;王伟 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2015-11-15 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、P型薄膜晶硅空穴传输层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层具备相匹配的能级；组成方式是：P型薄膜晶硅空穴传输层置于透明导电基底上面，钙钛矿光吸收层置于P型薄膜晶硅空穴传输层的上面，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层形成薄膜晶硅钙钛矿异质结，由致密二氧化钛构成的电子传输层置于钙钛矿光吸收层上面，背电极置于由致密二氧化钛构成的电子传输层上面。克服了现有钙钛矿太阳电池稳定性不足、制备成本高或硅材料使用量大的缺陷。
薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法