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[发明专利]一种表面铁氧化物石墨烯共负载零价铁颗粒材料的制备方法及其应用-CN202210932844.4在审
发明人：徐胜台;韩陆超;宫明;王红艳 -专利权人：北京智农谷科技有限公司;北京大北农科技集团股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C02F1/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种表面铁氧化物石墨烯共负载零价铁颗粒材料的制备方法及其应用，属于环境修复和材料制备技术领域。该材料的制备方法是首先制备表面清洁的零价铁颗粒材料，然后用化学氧化法制备具有大量含氧官能团的氧化石墨烯，最后通过还原反应将铁氧化物和石墨烯共负载在零价铁表面，得到表面铁氧化物石墨烯共负载零价铁颗粒材料。本发明使用的还原负载法将石墨烯与铁氧化物通过共价作用牢牢结合在零价铁表面，大大提高了材料表面电化学活性和稳定性，可实现特异性诱导具有高导电性和磁性的铁氧化物在材料表面形成，提高了材料活性，延长了材料使用寿命
一种表面氧化物石墨负载零价铁颗粒材料制备方法及其应用

[发明专利]钴基复杂氧化物/石墨烯复合材料及其制备方法和应用-CN201310032042.9有效
发明人：谢健;宋文涛;屠芳芳;刘双宇;朱铁军;曹高劭;赵新兵 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种钴基复杂氧化物/石墨烯复合材料及其制备方法和应用。所述的钴基复杂氧化物/石墨烯复合材料为层状结构，由纳米级钴基复杂氧化物和石墨烯组成，所述的钴基复杂氧化物的通式为MCo2O4，其中M为Fe、Cu或Mg。该复合材料中钴基复杂氧化物由于石墨烯的分散和承载作用能够均匀分布且粒度小，并形成层状结构，可有效提高钴基复杂氧化物在充放电过程中的稳定性和循环稳定性，可用作锂离子电池负极材料。
复杂氧化物石墨复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种金属氧化物/氮掺杂石墨烯复合材料的制备方法-CN201410759602.5有效
发明人：王坤;蒋鼎;杜晓娇;钱静 -专利权人：江苏大学
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： C01G49/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种过渡金属氧化物/氮掺杂石墨烯纳米复合材料的制备方法，属于纳米材料技术领域。本发明首先利用氧化石墨作为碳源，甘氨酸作为氮源，通过引入金属硝酸盐在高温条件下制得过渡金属氧化物/氮掺杂石墨烯纳米复合材料。本发明提供的过渡金属氧化物/氮掺杂石墨烯纳米复合材料的合成方法合成工艺简单，所需原料均为市场上便宜易得的原料，制得的过渡金属氧化物/氮掺杂石墨烯纳米复合材料粒度较小且尺寸均一，在锂电池、微型超级电容器、
一种金属氧化物掺杂石墨复合材料制备方法

[发明专利]一种具有石墨烯界面层的太阳电池及其制备方法-CN201110008566.5无效
发明人：王立群;李德军;刘思鹏;王琳 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01G9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有石墨烯界面层的太阳电池及其制备方法，由导电玻璃、氧化物薄膜、电解质和对电极组成，所述导电玻璃与氧化物薄膜之间设置有石墨烯界面层。利用氧化石墨悬浮液喷涂到导电玻璃上，在还原性或者惰性气氛下，将喷涂在导电玻璃上的氧化石墨于高温还原成石墨烯即可。利用石墨烯的高导电性、合适的能带结构，在导电玻璃和氧化物薄膜间引入石墨烯界面层，可以有效地阻止电解质和导电玻璃接触，降低光生电子与电解质的复合几率，抑制背反应过程，从而提高电池的光电性能。
一种具有石墨界面太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种硼掺杂石墨烯及其制备方法-CN201410361616.1有效
发明人：马建民;毛玉华 -专利权人：深圳新宙邦科技股份有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种硼掺杂石墨烯及其制备方法，所述制备方法包括：将硼源与有机盐或与有机酸和盐类的混合物在非氧化性气氛下加热至300-1600℃，得到硼掺杂石墨烯与金属氧化物的混合物；去除混合物中的金属氧化物，得到硼掺杂石墨烯。本发明通过在非氧化性气氛中加热硼源与有机盐或与有机酸与盐类的混合物，利用有机盐碳化石墨烯、无机氧化物成核和硼源热解产生活性硼的理念，来制备得到硼掺杂石墨烯。该方法具有工艺简单、生产周期短、可原位掺杂等优点，且制备得到的硼掺杂石墨烯具有多孔性、比表面积大的特点，可广泛应用于锂离子电池、超级电容器、纳米器件等各个领域。
一种掺杂石墨及其制备方法

[发明专利]一种叠层透明导电氧化物薄膜、其制法和应用-CN201310005521.1有效
发明人：汤洋;陈颉 -专利权人：神华集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究所
申请日： 2013-01-07 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种叠层透明导电氧化物薄膜，其包括一层透明导电氧化物基底层、以及从基底层上生长的一层单晶氧化物纳米结构阵列层，所述单晶氧化物纳米结构排布成紧密的阵列。在所述单晶氧化物纳米结构阵列层之上还可任选地存在一层顶层，所述顶层的材料可以为透明导电氧化物、石墨烯、掺杂石墨烯、金属纳米线。
一种透明导电氧化物薄膜制法应用

[发明专利]一种多孔石墨烯及其制备方法-CN201410361303.6无效
发明人：马建民;毛玉华 -专利权人：深圳新宙邦科技股份有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔石墨烯及其制备方法，所述制备方法包括：将有机酸与盐类的混合物或有机盐在非氧化性气氛下加热至300-1600℃，得到多孔石墨烯与金属氧化物的混合物；去除混合物中的金属氧化物，得到多孔石墨烯本发明通过在非氧化性气氛中加热有机酸与盐类的混合物或有机盐，利用有机盐碳化和无机氧化物成核理念，来制备得到多孔石墨烯。该方法具有工艺简单、生产周期短、可宏量化等优点，该方法制备得到的石墨烯具有多孔性、比表面积大的特点，可应用于锂离子电池负极、超级电容器电极、光催化剂载体、吸附剂等各个领域。
一种多孔石墨及其制备方法

[发明专利]基于石墨烯沟道的器件及其制造方法-CN201180024337.0有效
发明人： K·陈;Y-M·林;P·阿沃里斯;D·B·法默 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：提供基于石墨烯沟道的器件及其制造技术。在一方面，一种半导体器件包括：第一晶片，其具有形成于第一衬底上的至少一个石墨烯沟道、包围所述石墨烯沟道的第一氧化物层、以及接到所述石墨烯沟道并延伸穿过所述第一氧化物层的源极接触和漏极接触；以及第二晶片，其具有形成于第二衬底中的CMOS器件层、包围所述CMOS器件层的第二氧化物层、以及接到所述CMOS器件层并延伸穿过所述第二氧化物层的多个接触，所述晶片通过所述氧化物层之间的氧化物与氧化物接合而被接合在一起接到所述CMOS器件层的所述多个接触中的一个或多个另外的接触为用于所述石墨烯沟道的栅极接触。
基于石墨沟道器件及其制造方法

[发明专利]钴基氧化物负载双掺杂石墨烯催化剂及其制备方法和应用-CN202011474824.4有效
发明人：蔡松韬;黄莹秀;曾盛渠;李文军;吴智;杨霆宇;何周颖;熊湘;杨绍轩 -专利权人：湖南工学院
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：钴基氧化物负载双掺杂石墨烯催化剂及其制备方法和应用，涉及负载型催化材料技术领域。其中，前述钴基氧化物负载双掺杂石墨烯催化剂由N,S双掺杂的石墨烯作为载体负载四氧化三钴纳米颗粒构成，其中包含有Co‑S和Co‑N两种配位结构。上述钴基氧化物负载双掺杂石墨烯催化剂具有非常优异的一氧化碳氧化催化性能，在汽车尾气处理、传感器、石油化工等领域会有广泛的应用前景。
氧化物负载掺杂石墨催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种原位氮掺杂多孔石墨烯及其制备方法-CN201410362351.7有效
发明人：马建民;毛玉华 -专利权人：深圳新宙邦科技股份有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位氮掺杂多孔石墨烯及其制备方法，所述制备方法包括：将一种泛酸盐或两种以上泛酸盐的混合物在非氧化性气氛下加热至400～2500℃，得到原位氮掺杂多孔石墨烯与金属氧化物的混合物；去除混合物中的金属氧化物，得到原位氮掺杂多孔石墨烯。本发明通过在非氧化性气氛中加热泛酸盐或其混合物，利用泛酸盐碳化成为石墨烯、无机氧化物成核和泛酸根含有氮原子提供原位掺杂石墨烯的理念，来制备得到具有多孔性、比表面积大等优点的原位氮掺杂多孔石墨烯，该制备方法工艺简单、可规模化生产且周期短，制备得到的氮掺杂多孔石墨烯可应用于锂离子电池、超级电容器、生物应用等各个领域。
一种原位掺杂多孔石墨及其制备方法

[发明专利]一种钛/石墨烯/氧化物复合电极-CN201310471909.0有效
发明人：竺培显;张瑾;周生刚;韩朝辉;姬颖杰;王福 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C25C7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛/石墨烯/氧化物复合电极，属于电镀技术领域。复合电极的结构是在基体上依次涂覆石墨烯和氧化物涂层，氧化物涂层为Mn、Pb或La的氧化物，基体是钛或钛合金的板或网板。基体上涂覆的石墨烯有多层，每层的厚度为0.4～1.0mm。氧化物涂层的厚度为150µm～700µm。钛或钛合金的板厚度为0.5～10mm、网板网丝直径为0.1～5mm。本发明利用了石墨烯稳定的晶格结构和极高的载流子迁移率提升电极的综合性能，同时发挥各层优势，使该电极具有强度高、导电性好、耐蚀性能强、使用寿命长等优点。
一种石墨氧化物复合电极

[发明专利]一种二维金属氧化物纳米片及其制备方法-CN201811018977.0有效
发明人：卢红斌;阮英波;李梦雄;张佳佳;赵则栋;王灿灿;马建华;孙敏强 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C01B13/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维金属氧化物纳米片及其制备方法。该方法包括如下步骤：将层状石墨烯框架材料颗粒浸入金属盐溶液中并过滤得到包含金属盐溶液的湿态层状石墨烯框架材料颗粒；所述湿态层状石墨烯框架材料颗粒在沉淀剂溶液中沉淀并过滤干燥获得层状石墨烯框架材料/金属氧化物前驱体复合物；所述层状石墨烯框架材料/金属氧化物前驱体复合物经空气中煅烧得到二维金属氧化物纳米片。本发明制备的二维金属氧化物纳米片的平均厚度为0.5‑30纳米，宽度为0.1‑1000微米，比表面积为20‑500平方米/克，可用于能源存储与转换、化学催化、环境保护、生物医学等多个领域。
一种二维金属氧化物纳米及其制备方法

[发明专利]两种氧化钛/石墨烯纳米复合材料-CN201610350459.3有效
发明人：付明来;陈建炜;杨佳诚;苑宝玲 -专利权人：中国科学院城市环境研究所
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： B01J21/18 文献下载
摘要：本发明涉及两种氧化钛/石墨烯纳米复合材料。两种氧化钛分别为一维纳米管和二维纳米页，通过化学法制备石墨烯氧化物与氧化钛复合后再还原得到氧化钛/石墨烯纳米复合材料。一维纳米管用水热法合成，二维纳米页经有机大分子溶液振荡剥离合成，两种氧化钛与石墨烯氧化物的复合通过电荷改性、静电自组装及后续的还原步骤完成。长度在80‑100 nm、管径为8‑10 nm的管状氧化钛和横向尺寸在亚微米的层状氧化钛平铺在微米级的如薄纱一样的石墨烯片上，石墨烯氧化物的还原程度高，氧化钛/石墨烯纳米复合材料性能好。
氧化石墨纳米复合材料

[发明专利]一种溶液制备石墨烯三维多孔材料的方法-CN201210139523.5有效
发明人：王帅;张哲野;戴军 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种溶液制备石墨烯三维多孔材料的方法，将三维多孔模板浸入石墨烯氧化物溶液，然后使石墨烯氧化物沉积在模板上，实现石墨烯氧化物在模板上的三维组装，然后通过还原制备出含模板的石墨烯三维多孔材料；再将含模板的石墨烯三维多孔材料中的模板去除，清洗后得到石墨烯的三维多孔材料。石墨烯三维多孔材料的孔径可通过使用不同孔径的模板来调控。本发明所制备的材料具有低密度、高比表面、高导热、耐高温、耐腐蚀等优点，制备方法经济、简单，可用于大规模生产。
一种溶液制备石墨三维多孔材料方法

[发明专利]具有复合孔结构的石墨烯、其制备方法及在超级电容器中的应用-CN201210448833.5有效
发明人：周明;陈友虎;田天;秦禄昌;崔平 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有复合孔结构的石墨烯及其制备方法。该石墨烯片层结构上既包含孔径为0.1nm～10nm的微孔，又包含孔径为50nm以上的大孔。采用半导体氧化物纳米粒子结合氧化石墨烯，在其混合分散液中通过紫外光照的方法，使氧化石墨烯共轭微区吸收光子产生电子和空穴，与非共轭区域的含氧基团反应，生成大孔；半导体氧化物纳米粒子吸收光子产生电子和空穴，氧化与半导体氧化物纳米粒子直接接触的微小区域的氧化石墨烯，产生微孔。该石墨烯作为电极材料时，不仅具有高比表面积，同时还能够使电解液进入石墨烯片层间的狭小空间形成有效的双电层，以提高石墨烯的有效比表面积，从而能够得到具有高比电容值的器件。
具有复合结构石墨制备方法超级电容器中的应用