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- [发明专利]LED制造方法及LED、显示屏和电子设备-CN201711090555.X有效
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谢荣华;曲爽;刘康仲
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华为技术有限公司
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2017-11-08
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2020-09-11
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H01L21/84
- 本申请提供了一种LED制造方法及LED、显示屏和电子设备,其中,LED制造方法包括:在350~500度下生长GaN层,气压五到七百mBar,V/III为两千到五千,生长速率为3~15nm/分,在450~500度下生长N型GaN层,气压两百到四百mBar,V/III为六千到一万,生长速率0.5~8um/h;在四百到五百度下生长多量子阱层,气压200~400mBar,V/III为一万二到三万,生长速率0.5~3um/h;在四百到五百度条件下生长AlGaN层,气压为50~300mBar,V/III为两千到五千,生长速率0.5~2um/h;在四百到五百度下生长P型GaN层,气压两百到四百mBar,V/III为六千到一万
- led制造方法显示屏电子设备
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