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[实用新型]S型电阻器-CN200820130227.8有效
发明人：屠方魁;刘明清 -专利权人：深圳市华力特电气股份有限公司
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01C3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种S型电阻器，包括：若干个S型电阻片，所述若干个S型电阻片以可导电方式首尾连接。由于S型结构电阻片的宽度比W型结构的电阻片小，相同宽度下S型电阻片的个数比W型结构的电阻片多，从而使得电阻器的通流截面大，在相等功率下S型电阻器的温升比W型结构的短时间大电流电阻器的温升低。
电阻器

[发明专利]一种S型接地电阻器-CN201210478039.5无效
发明人：马生平 -专利权人：马生平
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01C13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种S型接地电阻器，包括支架、绝缘子、支撑连杆和组合电阻，组合电阻包括多组电阻器，电阻器包含多片首尾焊接的电阻片，电阻片的截面呈S型，支撑连杆设置在支架上，组合电阻设置在支撑连杆上，绝缘子安装在支撑连杆的两端本发明的S型电阻器采用若干个S型电阻片首尾以可导电方式连接。由于S型结构电阻片的宽度比W型结构的电阻片小，相同宽度下S型电阻片的个数比W型结构的电阻片多，从而使得电阻器的通流截面大，在相同功率下S型电阻器的温升比W型结构的短时间大电流电阻器的温升低。此外多组电阻片首尾焊接并相互平行排列，结构设计合理，散热效果好，而且不会造成积灰，在大电流运行过程中耐高压、耐高温。
一种接地电阻器

[实用新型]一种S型接地电阻器-CN201220622994.7有效
发明人：马生平 -专利权人：马生平
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01C13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种S型接地电阻器，包括支架、绝缘子、支撑连杆和组合电阻，组合电阻包括多组电阻器，电阻器包含多片首尾焊接的电阻片，电阻片的截面呈S型，支撑连杆设置在支架上，组合电阻设置在支撑连杆上，绝缘子安装在支撑连杆的两端本实用新型的S型电阻器采用若干个S型电阻片首尾以可导电方式连接。由于S型结构电阻片的宽度比W型结构的电阻片小，相同宽度下S型电阻片的个数比W型结构的电阻片多，从而使得电阻器的通流截面大，在相同功率下S型电阻器的温升比W型结构的短时间大电流电阻器的温升低。此外多组电阻片首尾焊接并相互平行排列，结构设计合理，散热效果好，而且不会造成积灰，在大电流运行过程中耐高压、耐高温。
一种接地电阻器

[实用新型]一种分立式耳机放大系统-CN201420591105.4有效
发明人：周燕 -专利权人：天津市企商科技发展有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H04R1/10 文献下载
摘要：本实用新型属于耳机放大系统技术领域，尤其涉及一种分立式耳机放大系统，包括输入单元和放大单元，所述输入单元包括电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，电阻R9，电阻R10，电容C1，电容C2，电容C3，电容C4，NPN型三极管Q1，NPN型三极管Q2，NPN型三极管Q3，NPN型三极管Q4，NPN型三极管Q5，NPN型三极管Q6，所述放大单元包括电阻R11，电阻R12，电阻R13，电阻R14，电阻R15，电阻R16，电阻R17，电阻R18，电阻R19，电阻R20，电阻R21，电阻R22，电阻R23，电阻R24，电阻R25，电阻R26，电容C5，电容C6，电容C7，电容C8，电容C9，电容C10，NPN型三极管Q7，NPN型三极管Q8，NPN型三极管Q9，NPN型三极管Q10，NPN型三极管Q11，NPN型三极管Q12。
一种立式耳机放大系统

[实用新型]一种W-U型金属电阻带-CN201220524515.8有效
发明人：李本德;周向辉;林钢;杨旭;王博冉;张昆;刘龙;张丽丽;张铃;马利媛;曹鹏;谈军;刘小会;李瑞;吴雪娇 -专利权人：北京七一八友晟电子有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01C17/00 文献下载
摘要：一种W-U型金属电阻带，根据电阻器的设计要求完成W-U型金属电阻带的参数设计，在绕线板上绕制成特定阻值的W型金属电阻带，将W型金属带通过模具压制成U型，最后用夹具将电阻带的波峰向内侧弯特定角度，完成W-U型金属电阻带。本实用新型的有益效果是：W-U型金属电阻带的参数可调控性好，按照产品需求可以将金属直带加工成特定参数的W-U型金属电阻带，摆脱了骨架的约束，能够充分合理的利用电阻器空间，实现电阻器的小型化；同时可以有效的减少水阻，增加散热，实现水冷电阻器的大功率；W-U型金属带为不闭合金属带，能够极大的减少电感，实现电阻器的超低电感要求；W-U型金属电阻带具有一定的横向弹性，非常便于安装。
一种金属电阻

[发明专利]电阻变化型元件、电阻变化型存储装置和电阻变化型装置-CN200780048350.3无效
发明人：村冈俊作;小佐野浩一;藤井觉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：提供电阻变化型元件(10)、电阻变化型存储装置以及电阻变化型装置，其包括第一电极(2)、第二电极(4)、和配置在第一电极(2)与第二电极(4)之间并与第一电极(2)和第二电极(4)电连接的电阻变化层(3)，其具有如下性质，即，电阻变化层(3)包含具有用(Ni_XFe_1-X)Fe₂O₄的化学式表示的尖晶石结构的材料，X大于等于0.35小于等于0.9，通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加具有第一电压的第一电压脉冲，使第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻降低，通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加具有极性与第一电压不同的第二电压的第二电压脉冲，使第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻上升。
电阻变化元件存储装置

[发明专利]多晶硅电阻及其制作方法-CN201610424755.3有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅电阻，由P型多晶硅电阻和N型多晶硅电阻互连形成，所述N型多晶硅电阻的N型掺杂浓度要求满足使所述N型多晶硅电阻具有正的温度系数，通过互连使所述N型多晶硅电阻的正的温度系数和和P型多晶硅电阻所具有的负的温度系数相抵消并使互连后的所述多晶硅电阻的温度系数降低并趋于本发明还公开了一种多晶硅电阻的制作方法。本发明能降低多晶硅电阻的温度系数，满足低温度系数的多晶硅电阻的应用要求。
多晶电阻及其制作方法

[实用新型]一种改善电阻高频噪声的调阻结构-CN202021000962.4有效
发明人：白华 -专利权人：武汉奇克微电子技术有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01C17/242 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善电阻高频噪声的调阻结构，包括电阻膜，电阻膜开设有L型切口、U型切口和J型切口，电阻膜靠近L型切口中部开设有第一弧度，电阻膜靠近L型切口一端开设有第二弧度，电阻膜靠近U型切口底部两侧开设有第三弧度和第四弧度，电阻膜靠近J型切口底部开设有第五弧度，电阻膜靠近J型切口一端开设有第六弧度，第三弧度和第四弧度设计相同，且对称分布在电阻膜上的U型切口两侧。该改善电阻高频噪声的调阻结构，通过设置的第一弧度、第二弧度、第三弧度等，通过控制激光切口在电阻膜上的转角以一定的弧度转角，而非90直角转角，同时保持切口边缘光滑，刻痕底部干净，能够以达到最大程度的降低电阻的高频噪声
一种改善电阻高频噪声结构

[实用新型]一种O型压敏电阻焊接装置-CN201120368263.X有效
发明人：李青松;李立 -专利权人：安徽金力电气技术有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种O型压敏电阻焊接装置，本实用新型所述的O型压敏电阻之间设置有弹片，弹片将压敏电阻固定在一起，所述底座设置有型腔，型腔的数量不少于压敏电阻的数量，所述型腔的旁边设置有凹槽，凹槽用于容纳压敏电阻上的电极所述压敏电阻引出有电极，电极放置在凹槽内。本实用新型所述的O型压敏电阻焊接装置，有效解决O型压敏电阻焊接问题，不仅降低了劳动强度，提高了生产效率，简化了生产程序，还有效消除安全事故隐患，使压敏电阻的生产更加方便、快捷、安全。
一种压敏电阻焊接装置

[发明专利]基于静态补偿的空间电源控制器功率正线端电流采样电路-CN201610833041.8在审
发明人：马力君 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G05F1/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于静态补偿的空间电源控制器功率正线端电流采样电路，包括：电流采样电阻、电流采样电路、偏置电路；电流采样电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、第三PNP型三极管；偏置电路包括第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、稳压二极管；电源负极通过第七电阻、稳压二极管与电源正极连接；电源负极通过第七电阻、第三电阻与第一PNP型三极管的基极和集电极电连接；电源负极通过第五电阻与第三PNP型三极管的集电极电连接；第二PNP型三极管的集电极与第三PNP型三极管的基极电连接；第三PNP型三极管的发射极通过第八电阻与电源正极电连接。
基于静态补偿空间电源控制器功率正线端电流采样电路

[实用新型]基于静态补偿的空间电源控制器功率正线端电流采样电路-CN201621067745.0有效
发明人：马力君 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G05F1/565 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于静态补偿的空间电源控制器功率正线端电流采样电路，包括电流采样电阻、电流采样电路、偏置电路；电流采样电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、第三PNP型三极管；偏置电路包括第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、稳压二极管；电源负极通过第七电阻、稳压二极管与电源正极连接；电源负极通过第七电阻、第三电阻与第一PNP型三极管的基极和集电极电连接；电源负极通过第五电阻与第三PNP型三极管的集电极电连接；第二PNP型三极管的集电极与第三PNP型三极管的基极电连接；第三PNP型三极管的发射极通过第八电阻与电源正极电连接。
基于静态补偿空间电源控制器功率正线端电流采样电路

[发明专利]A型负电阻-CN201510216674.X在审
发明人：詹承镇 -专利权人：詹承镇
申请日： 2015-04-25 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01C13/02 文献下载
摘要：A型负电阻，属于新能源领域。它克服了火力发电机产生二氧化碳污染的缺点。其主要技术特征是：将整流器的正极、负极都反接1个A型负电阻；2个A型负电阻连接60瓦特灯。A型负电阻用于空气能量发电。
电阻

[实用新型]薄型电阻-CN201020229149.4有效
发明人：廖进忠 -专利权人：台湾双羽电机股份有限公司;双羽电子(深圳)有限公司;双羽电子(苏州)有限公司
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01C3/00 文献下载
摘要：本实用新型为一种薄型电阻。该薄型电阻包括金属薄片、陶瓷基体以及至少两金属导线。该金属薄片包括多个导电通路。该陶瓷基体具有凹槽，金属薄片嵌入于凹槽，并利用硅树脂进行绝缘封装。
电阻

[发明专利]自适应过流保护电路-CN201610833043.7有效
发明人：陈洪涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种自适应过流保护电路，包括：跟踪电路和偏置电路；跟踪电路包括：电流采样电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第五PNP型三极管、第六PNP型三极管、第七NPN型三极管；偏置电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十五电阻、第十六电阻、第一限压二极管、第二限压二极管、第三限压二极管、第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、第三NPN型三极管、第四NPN型三极管、场效应管；该专利能够解决宽范围工作电压工作的装置而过流保护点固定的缺陷，使其过流保护点根据其工作电压的变化自动调节其保护点电压。
自适应保护电路

[实用新型]自适应过流保护电路-CN201621067744.6有效
发明人：陈洪涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自适应过流保护电路，包括跟踪电路和偏置电路；跟踪电路包括电流采样电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第五PNP型三极管、第六PNP型三极管、第七NPN型三极管；偏置电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十五电阻、第十六电阻、第一限压二极管、第二限压二极管、第三限压二极管、第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、第三NPN型三极管、第四NPN型三极管、场效应管；该专利能够解决宽范围工作电压工作的装置而过流保护点固定的缺陷，使其过流保护点根据其工作电压的变化自动调节其保护点电压。
自适应保护电路

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