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- [发明专利]薄膜晶体管及其制造-CN01802066.6无效
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A·J·弗莱维特
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皇家菲利浦电子有限公司
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2001-07-04
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2002-12-18
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H01L21/336
- 制造底栅晶体管的一种方法,包括在栅绝缘体层(22a)上沉积第一微晶硅层(40),并且将微晶硅层暴露于氮等离子体(42),从而形成具有结晶结构的氮化硅。以此方式制成微晶氮化硅多层。在暴露层上再沉积一层微晶硅层,用来构成晶体管的半导体本体(14)。本方法使得晶体管本体的底部具有微晶结构,改善了半导体层的迁移率,甚至在与栅绝缘体层的界面。暴露的氮化硅层成为栅绝缘体层的部件,并且栅绝缘体层与半导体晶体管本体之间的结构性匹配得到了改善,因为这些层是从相同的微晶硅结构延伸来的。
- 薄膜晶体管及其制造
- [发明专利]安全元件-CN200880021645.6有效
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威蒂克·考尔;米夏埃尔·拉姆
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德国捷德有限公司
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2008-06-25
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2010-05-26
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B42D15/00
- 有价文件等的安全元件(16)，所述安全元件具有微光学摩尔放大装置，用于示出具有一个或多个摩尔图像元素(86)的摩尔图像(84)，所述安全元件包括：图形图像，所述图形图像包括周期或至少局部周期地设置的多个栅元(24)，所述栅元具有微图形图像部分(28，28′，28″)；为所述图形图像的摩尔放大视图设置的聚焦元素格栅(22)，所述聚焦元素格栅被设置为与所述图形图像隔开，并包括周期或至少局部周期地设置的多个栅元，其中，每个所述栅元具有一个微聚焦元素(22)；其中，所述微图形图像在空间上隔开的多个栅元(24)的微图形图像部分(28，28′，28″)中的每一个形成一个微图形元件(50)，所形成的一个微图形元件与所述放大的摩尔图像(84)中的一个摩尔图像元素(86)相对应，并且尺寸大于所述图形图像的一个栅元(24)。
- 安全元件
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