“电学连通”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果2103392个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于晶圆键合的电学测试结构及其形成方法-CN201911165890.0在审
发明人：张智侃;李杰;杨瑞坤 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种用于晶圆键合的电学测试结构及其形成方法，所述晶圆包括正面相对彼此键合的第一晶圆和第二晶圆；所述电学测试结构包括位于第一晶圆正面的第一测试焊盘，以及位于第一晶圆背面的表面焊盘，所述第一测试焊盘与表面焊盘电学连通本发明通过在第一晶圆正面设置第一测试焊盘，在第一晶圆背面设置表面焊盘，第一测试焊盘与表面焊盘电学连通，既能保证晶圆正面表面平整，便于键合时晶圆之间的紧密贴合，又能方便地通过位于晶圆背面的表面焊盘进行电学测试，监控晶圆状态下的电学水平，提高产品良率和性能。
用于晶圆键合电学测试结构及其形成方法

[实用新型]用于晶圆键合的电学测试结构-CN201922053024.4有效
发明人：张智侃;李杰;杨瑞坤 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于晶圆键合的电学测试结构，所述晶圆包括正面相对彼此键合的第一晶圆和第二晶圆；所述电学测试结构包括位于第一晶圆正面的第一测试焊盘，以及位于第一晶圆背面的表面焊盘，所述第一测试焊盘与表面焊盘电学连通本实用新型通过在第一晶圆正面设置第一测试焊盘，在第一晶圆背面设置表面焊盘，第一测试焊盘与表面焊盘电学连通，既能保证晶圆正面表面平整，便于键合时晶圆之间的紧密贴合，又能方便地通过位于晶圆背面的表面焊盘进行电学测试，监控晶圆状态下的电学水平，提高产品良率和性能。
用于晶圆键合电学测试结构

[发明专利]倒装结构发光二极管-CN201510284575.5在审
发明人：谈宁 -专利权人：谈宁
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：该发光二极管包括：半导体发光层；设置于所述半导体发光层一侧的P型电学连接部、N型电学连接部、以及用于电隔离所述P型电学连接部和N型电学连接部的第一绝缘层；与所述P型电学连接部电接触的第一电极；以及与所述N型电学连接部电接触的第二电极。本申请中的第一电极和第二电极相当于现有的倒装结构发光二极管中电学连接部以及设置在陶瓷基板中用于连通电学连接部的通孔，从而避免使用陶瓷基板，可有效提高热导率，并且简化了工艺，降低了制作成本。
倒装结构发光二极管

[实用新型]倒装结构发光二极管-CN201420613834.5有效
发明人：郭德博;徐正毅 -专利权人：北京中科天顺信息技术有限公司
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：该发光二极管包括：半导体发光层；设置于所述半导体发光层一侧的P型电学连接部、N型电学连接部、以及用于电隔离所述P型电学连接部和N型电学连接部的第一绝缘层；与所述P型电学连接部电接触的第一电极；以及与所述N型电学连接部电接触的第二电极。本实用新型中的第一电极和第二电极相当于现有的倒装结构发光二极管中电学连接部以及设置在陶瓷基板中用于连通电学连接部的通孔，从而避免使用陶瓷基板，可有效提高热导率，并且简化了工艺，降低了制作成本。
倒装结构发光二极管

[发明专利]一种同时测量流变学参量和电学参量的装置和方法-CN201610200524.4有效
发明人：朱丹;沈健;戴尔晗 -专利权人：南京师范大学
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： G01N11/14 文献下载
摘要：一种同时测量流变学参量和电学参量的装置，该装置在测量流变学参数的同时提供电学参数测量通路。所述的装置中流变学参量测量采用旋转流变仪的通用结构，包含流变参量测量模块、测量用转子和圆筒等，绝缘联轴器将转轴电绝缘，并通过转动连接模块将转子与转轴连接，转子与转动连接模块外层电连通，将电学参量测量模块两端分别连接圆筒和转动连接模块外层，为电学测量提供通路。本发明还公开了采用所述装置同时测量流变学参量和电学参量的方法，首先获取流变测量模块和电学参量测量模块的初始参数；再将测量用转子装入导入被测液体的圆筒内，在流变测量模块获得稳定测量结果时获取电学测量数据，
一种同时测量流变学参量电学装置方法

[发明专利]封装集成无源件-CN201810697190.5在审
发明人： A.阿莱克索夫;K.达马维卡塔;R.A.梅;S.甘 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：可以在衬底的层内一体形成无源电学组件。无源电学组件可以是电阻器或电容器。一个或多个导体可以配置成允许无源电学组件与管芯之间的电学连通。所述一个或多个导体可以在衬底的所述多个层内一体形成。
无源衬底电学组件导体封装集成一体形成管芯电容器半导体器件电学连通电阻器耦合到配置申请

[发明专利]一种动力装置-CN201911292199.9在审
发明人：靳北彪 -专利权人：熵零技术逻辑工程院集团股份有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种动力装置，包括电化学区域A、区域B和非电子带电粒子传导物，所述电化学区域A经所述非电子带电粒子传导物与所述区域B具有非电子导通电学关系，所述电化学区域A包括电学连接区A，所述区域B包括电学连接区B，所述电化学区域A与高压气体导入通道连通设置，所述区域B与低压气体导出通道连通设置。
一种动力装置

[实用新型]一种动力装置-CN201922226764.3有效
发明人：靳北彪 -专利权人：熵零技术逻辑工程院集团股份有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种动力装置，包括电化学区域A、区域B和非电子带电粒子传导物，所述电化学区域A经所述非电子带电粒子传导物与所述区域B具有非电子导通电学关系，所述电化学区域A包括电学连接区A，所述区域B包括电学连接区B，所述电化学区域A与高压气体导入通道连通设置，所述区域B与低压气体导出通道连通设置。
一种动力装置

[发明专利]有机发光二极管器件及其制作方法-CN201510084650.3在审
发明人：何志江;高衍品 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机发光二极管器件及其制作方法，该有机发光二极管器件包括光学结构和电学结构，所述光学结构包括光反射层和设于所述光反射层之上的腔长调节层，所述电学结构包括位于所述腔长调节层之上依次设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、以及阴极层，所述阳极层电性连通所述光反射层。采用分离的光学结构和电学结构设计，只需调节光学结构上的腔长调节层的厚度就可以调节器件的光程，同时还不会影响电学结构的性能，解决了现有技术中调节光程时导致电学性能变化，引起器件效率下降的问题。
有机发光二极管器件及其制作方法

[发明专利]红外焦平面探测器的可靠性筛选方法-CN200510030794.7无效
发明人：叶振华;胡晓宁;廖清君 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外焦平面探测器的可靠性筛选方法，特别是指器件In凸点电学连通的可靠性筛选方法，该方法采用在光敏感列阵芯片的四周添加数个电学互连的In凸点，同时在读出电路的四周也相应添加数个电学互连的In当光敏感列阵芯片和读出电路倒焊互连构成一个焦平面探测器后，添加的数个In凸点就构成数个单个连通电阻，而光敏感列阵芯片和读出电路的公共连通焊接点可看作为公共连通电阻，再将单个连通电阻和N个公共连通焊接点并联构成一个测试回路
红外平面探测器可靠性筛选方法

[发明专利]一种扫描激光显微镜-CN201410694312.7在审
发明人：王华兵;袁洁;周宪靖;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种扫描激光显微镜，包括恒温器、三维位移平台、光学系统和电学系统；在所述的恒温器内设有恒温源，所述的恒温源与氮流或氦流连通；在所述的恒温器内底座上设三维位移平台，光学系统的末端设在三维位移平台上，样品安装在恒温源上；电学系统通过设在恒温器上的电学接口为恒温器内提供工作所需的电学条件。该扫描激光显微镜，能够用于研究尺寸小、工作温度有一定要求的器件内部发生的热学和电学相关的物理现象，满足使用需求。将位移平台集成在恒温器内部，减少了设备的体积。通过恒温器上的各窗口，可在测量样品内存电学参量分布的同时，测量外部的电磁辐射，具有很好的实用性。
一种扫描激光显微镜

[发明专利]三维集成电路芯片的贯孔修复方法及修复系统-CN201710275907.2在审
发明人：赵立新;俞大立;黄泽 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种三维集成电路芯片的贯孔修复方法及修复系统，包括：提供彼此连通的至少两层芯片；芯片之间采用贯孔传输电学信号，同一电学信号对应于至少一贯孔，提供至少一性能良好的冗余贯孔；于出厂前，通过测试模块测试贯孔的连接性能，存储对应的修复信息于存储器；于芯片工作时，存储器基于所述修复信息产生控制信号，并通过逻辑运算，将无传输电学信号并且连接性能良好的冗余贯孔替代连接性能不良的贯孔，传输原电学信号，以实现贯孔修复、降低冗余
贯孔电学信号芯片修复连接性能冗余三维集成电路存储器修复系统传输测试模块控制信号逻辑运算信息产生两层连通出厂存储测试替代

[实用新型]一种等离子体净化工业废气的装置-CN201420726904.8有效
发明人：张卫 -专利权人：上海译琅环保科技有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：一种等离子体净化工业废气的装置，包括等离子体反应室，所述等离子体反应室包含多个发射板和接收板，发射板与装置电源的正极电学连接，接收板与装置电源的负极电学连接，发射板和接收板相间排列，组成等离子平行阵；接收板连接梁，所述接收板连接梁机械并电学连接每个接收板；发射板连接杆与发射板连接梁，所述发射板连接杆机械并电学连接每个发射板，发射板连接杆进一步机械并电学连接发射板连接梁；多个绝缘装置，所述绝缘装置一端连接至接收板连接梁本实用新型的设备，可以根据处理工业废气的特点进行串联或并联连通使用，且净化效果明显，非常适合工业应用。
一种等离子体净化工业废气装置

[发明专利]转接板结构及其制造方法-CN201210345771.5有效
发明人：张静;宋崇申;曹立强 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种转接板结构，包括衬底、贯穿所述衬底的电学互连通孔和热电制冷单元。其中热电制冷单元包括交替串联连接的至少一个N型热电元件和至少一个P型热电元件。N型热电元件和P型热电元件分别为N型热电材料和P型热电材料构成的电学互连通孔，其由衬底的相对的第一表面和第二表面上的图形化的导电材料层串联。电学互连通孔也由N型热电材料构成或者由P型热电材料构成。
转接板结及其制造方法

[发明专利]三维集成电路芯片的贯孔修复方法及修复系统-CN201811629386.7在审
发明人：赵立新;俞大立;黄泽 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种三维集成电路芯片的贯孔修复方法及修复系统，包括：提供彼此连通的至少两层芯片；芯片之间采用贯孔传输电学信号，同一电学信号对应于至少一贯孔，提供至少一性能良好的冗余贯孔，贯孔、冗余贯孔为硅穿孔、非硅穿孔或采用混合键接方式形成；通过测试模块测试贯孔的连接性能，存储对应的修复信息于存储器；于芯片工作时，存储器基于所述修复信息产生控制信号，并通过逻辑运算，将无传输电学信号并且连接性能良好的冗余贯孔替代连接性能不良的贯孔，传输原电学信号，以实现贯孔修复、降低冗余。
三维集成电路芯片修复方法系统

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top