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[发明专利]铌酸银基无铅反铁电储能陶瓷及其制备方法-CN201610844668.3有效
发明人：李敬锋;赵磊;刘庆 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提出了铌酸银基无铅反铁电储能陶瓷及其制备方法。其中，铌酸银基无铅反铁电储能陶瓷由下列通式所示的化学组成(AgNbO₃)(M_aO_b)_x，其中，M_a2O₃、Cu的氧化物为CuO及Fe的氧化物为Fe₃O₄，x表示M_aO_b占铌酸银无铅反铁电储能陶瓷的质量百分比该铌酸银基无铅反铁电储能陶瓷具有较高的储能性能，其中，AgNbO₃陶瓷的可释放能量密度可以达到1.50～1.70J/cm³，M_aO
铌酸银基无铅反铁电储能陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种钽铌矿清洁转化方法-CN200310100023.1无效
发明人：周宏明;郑诗礼;张懿 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2003-10-08 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： C22B3/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种钽铌矿清洁转化方法，该方法包括KOH亚熔盐分解钽铌矿，分解产物经稀释分离得到高浓KOH碱液和含钽(铌)酸钾的固相，经热水浸出分离得到六钽(铌)酸钾溶液和含不溶性偏钽(铌)酸钾的铁锰渣沉淀。六钽(铌)钾溶液经调碱结晶得到六钽(铌)酸钾结晶和结晶母液，结晶母液返回亚熔盐分解步骤，偏钽(铌)酸钾和铁锰渣经HCl分解沉淀出偏钽(铌)酸钾结晶。本方法与现有的高浓高毒性HF酸(＞60％)分解法相比，能实现从源头削减F^－的污染，并使难分解钽铌矿的分解率提高15％以上，达到接近100％的矿石分解率，具有良好的经济效益和环境效益，并可制得钽(铌)酸钾，作为制备系列钽、铌产品的中间体。
一种钽铌矿清洁转化方法

[发明专利]一种钇和铪共掺杂的铌酸银无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法-CN202110990105.6有效
发明人：薛人中;朱祥;赵承周;李涛;代海洋;刘德伟;陈思源;陈红炫;崔梦茹;白新涛 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明所公开了一种铌酸银基反铁电陶瓷材料，所述铌酸银基反铁电陶瓷材料的化学式为Ag1‑3xYxO3，0≤x≤0.10，优选为0.03≤x≤0.05，具有电场诱导反铁电‑铁电相变特征。该工艺减少了铌酸银陶瓷材料高温烧结时间，能耗下降23%，提高了材料的致密度并减小晶粒尺寸，储能密度和储能效率分别提高了22.2%和13.5%。
一种掺杂铌酸银无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种超低介电损耗的铌锰酸铅-铌镍酸铅-锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法-CN202110347455.0有效
发明人：边浪;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法。本发明属于压铁电材料领域。本发明是为了解决现有软性陶瓷高介电损耗的技术问题。本发明的一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷的化学通式为x Pb(Mn1/3Nb银和极化后得到超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷。本发明的方法预烧温度低，通过配方与工艺的优化烧结出铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅弛豫铁电陶瓷，准静态d33测试仪测量压电常数达760pC/N的同时，介电损耗低于0.5
一种超低介电损耗铌锰酸铅铌镍酸铅锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种Na、Ta共掺杂的硼铌酸钾反铁电晶体材料及其制备、加工方法-CN202211589982.3在审
发明人：吕宪顺;王旭平;刘冰;张锐;禹化健;邱程程;毛新国;李顺 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明属于功能材料制备领域，尤其涉及一种Na、Ta共掺杂的硼铌酸钾反铁电晶体材料及其制备、加工方法。所述反铁电晶体材料的化学通式为K3‑xNaxNb3‑yTayB2O12，其中，x＝0.05～0.45，y＝0.05～0.5，该Na、Ta共掺杂的硼铌酸钾反铁电晶体材料，在γ→β相变时介电系数由9.85K上升到11K，Pmax增加到原来的3倍；通过晶体生长及加工工艺的优化，硼铌酸钾反铁电晶体的解理现象明显改善，温度上升到600℃无明显解理现象。
一种 na ta 掺杂硼铌酸钾反铁电晶体材料及其制备加工方法

[发明专利]一种高储能特性铌酸银基反铁电储能陶瓷及其低温烧结方法-CN202111194580.9在审
发明人：徐永豪;杨振东;田晶晶;田恒 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及高储能特性铌酸银基反铁电储能陶瓷及其低温烧结方法，可有效解决现有技术击穿场强低、制备工艺复杂、反铁电相不稳定的问题，其解决的技术方案是，本发明以组分(1‑x2O7)作为烧结助剂制备而成，本发明在保证高储能特性的前提下，简化铌酸银基反铁电储能陶瓷的制备工艺，制备出高储能密度，高储能效率并具有良好温度稳定性的铌酸银基反铁电储能陶瓷，是铌酸银基反铁电储能陶瓷制备方法上的创新。
一种高储能特性铌酸银基反铁电储能陶瓷及其低温烧结方法

[发明专利]一种高纯氧化铌或氧化钽中锆含量的测定方法-CN201310157954.9无效
发明人：高玉峰;朱玲梅;马步洋;王浩冰 -专利权人：江苏美特林科特殊合金有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： G01N21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯氧化铌或氧化钽中锆含量的测定方法，该方法包括以下步骤：熔样、浸取微量锆与铁共沉淀、洗涤沉淀、掩蔽干扰元素、显色、测定吸光度。本测定方法利用氧化铌和或氧化钽的氢氧化钾和碳酸钾熔融物，用水浸取时，得到可溶性的铌酸钾或钽酸钾，在碱性溶液中，再以少量的铁为载体，使锆沉淀与铌酸钾或钽酸钾溶液完全分离，锆铁沉淀再用盐酸溶解，利用偶氮胂Ⅲ本测定方法操作简单，能使得金属锆不受铌、钽等金属离子的干扰而分离出来，锆含量的测定结果准确度高。
一种高纯氧化钽中锆含量测定方法

[发明专利]铌酸钾钠基无铅透明铁电陶瓷材料及其制备方法-CN201610143380.3有效
发明人：杨祖培;张小帅;晁小练;魏灵灵 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钾钠基无铅透明铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xSr(Mg1/3Nb2/3)O3，式中x表示Sr(Mg1/3Nb2/3)O3的摩尔数本发明通过配料、预烧、球磨、造粒、压片、无压密闭烧结、抛光及烧银等工艺步骤，制备成透光性高、光学上各向同性、实用性强、易于生产的铌酸钾钠基无铅透明铁电陶瓷材料，制备该方法简单、重复性好、成品率高。实验结果表明，x的取值为0.05时制备的陶瓷材料的光学透射率在近红外区达60％～75％，并且具有较好的电学性能，其剩余极化强度为4.8μC/cm2，矫顽场为7.4kV/cm，最大介电常数为2104，介电损耗为
铌酸钾钠基无铅透明陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]基于顺电相钽铌酸钾晶体电控偏转特性的二维光学扫描系统及方法-CN201310579886.5无效
发明人：宫德维;周忠祥 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：基于顺电相钽铌酸钾晶体电控偏转特性的二维光学扫描系统及方法，属于非线性光学领域。二维光学扫描系统由第一顺电相钽铌酸钾晶体、第二顺电相钽铌酸钾晶体和二分之一玻片组成，第一顺电相钽铌酸钾晶体和第二顺电相钽铌酸钾晶体的[100]、[010]和[001]方向与直角坐标系的x、y、z轴相对应，z轴为光学对称轴，沿z值增大方向依次为第一顺电相钽铌酸钾晶体、二分之一玻片和第二顺电相钽铌酸钾晶体。本发明以顺电相钽铌酸钾晶体为基础，利用其电控二次电光效应实现入射光的偏转，并其通过调节施加在晶体表面的外加电压直接控制激光束的偏转方向，从而实现二维空间扫描。
基于顺电相钽铌酸钾晶体偏转特性二维光学扫描系统方法

[发明专利]一种具有三维周期极化结构的钽铌酸钾晶体的制备方法-CN202211580340.7在审
发明人：刘冰;范松滔;王东周;王旭平;邱程程;张园园;乔攀雨 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明属于非线性光学晶体材料制备领域，尤其涉及一种具有三维周期极化结构的钽铌酸钾晶体的制备方法。包括将原料在混料机上混合均匀，用压料机压制成块，用马弗炉烧结得到钽铌酸钾多晶料，所述钽铌酸钾多晶料采用顶部籽晶溶液法进行晶体生长，籽晶放置于偏离熔体温场中心r/2～r/3位置处，所述籽晶提拉速度v随时间t呈周期性变化，完成晶体生长，然后对所得晶体进行热退火处理，制备出具有三维周期性极化结构的钽铌酸钾晶体；本发明直接通过晶体生长工艺参数的调控，依赖晶体的自发极化即可实现周期性极化晶体的制备，既不需要外加高电压，也不需要光刻复杂的电极，而且热退火工艺的加入，进一步提高了周期性极化翻转铁电畴的完整性和均匀性。
一种具有三维周期极化结构钽铌酸钾晶体制备方法

[发明专利]一种钐钽共掺的铌酸银基多层介电储能材料及其制备方法-CN202210734518.2有效
发明人：朱立峰;林玮;李林海;冶佳羽;曾嘉滢 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本发明属于功能材料领域，具体涉及一种钐钽共掺的铌酸银基材料的多层介电储能材料及制备方法，可用作脉冲电容器的电源。base:Sub>1‑yTayO3，0.02≤x≤0.10，0.2≤y≤0.7，具有电场诱导反铁电‑铁电相变特征。通过流延工艺手段，获得了薄介质层厚度(1～50微米)、高致密度和小晶粒尺寸的多层介电陶瓷，有效的提升了铌酸银基陶瓷的击穿场强；同时借助Sm元素的小离子半径和异价离子掺杂引入氧空位稳定反铁电的特性及Ta元素掺杂使反铁电相Sup>‑1～1550kV·cm‑1，储能密度为10～16J·cm‑3，储能效率高达60～95％的铌酸银基多层介电储能材料
一种钐钽共掺铌酸银基多层介电储能材料及其制备方法

[发明专利]富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法-CN201310636441.6无效
发明人：李均;李杨;周忠祥 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法，它涉及钽铌酸钾晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的低铌钽铌酸钾晶体居里温度低，而用现有晶体生长方法无法得到富铌钽铌酸钾单晶的技术问题。本发明的富铌掺锂钽铌酸钾单晶的表示式为K0.95Li0.05Ta1-xNbxO3，其中x=0.50～0.90。方法：将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽和氧化铌粉末并混合均匀和球磨后，压片，然后预烧得到多晶片，再将多晶片捣碎、湿磨得到生长单晶的原料，在晶体提拉生长炉内经籽晶接种、提拉、等径生长后，得到富铌掺锂钽铌酸钾单晶。该单晶的相变温度为310～500K，可用在无铅压电铁电器件中。
富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法

[发明专利]钽铌酸银纳米粉体的制备方法-CN200810153558.8有效
发明人：李玲霞;曹丽凤;张平;吴海涛;王洪儒 -专利权人：天津大学
申请日： 2008-11-27 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： C01G35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以碳酸钾作为共融剂为基础来制备钽铌酸银纳米粉体的溶胶凝胶制备方法，步骤为：(1)配制铌的柠檬酸水溶液，(2)配制钽的柠檬酸水溶液，(3)配制银的柠檬酸水溶液，(4)配制钽铌酸银(Ag(Nb，Ta)O₃)溶胶、制备纳米粉体；本发明克服了目前由于使用强腐蚀性的氢氟酸等对于制备过程带来的不足，制备出平均粒径为20～50nm的钽铌酸银(Ag(Nb，Ta)O₃
钽铌酸银纳米制备方法

[发明专利]一种锆酸铋钠锶掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷材料及其制备方法-CN201910373628.9在审
发明人：朱建国;程原;邢洁;谢李旭;陈强 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种锆酸铋钠锶掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷材料及其制备方法，其特点是该方法是采用固相法制备锆酸铋钠锶掺杂铌酸钾钠（KNN）基陶瓷粉体材料；再通过造粒压片、排胶、烧结和被银测试等电子陶瓷制备工艺制备锆酸铋钠锶掺杂通过组元Sr(BiNa)ZrO3掺杂大大提高了KNN压电及介电性能，并具有较好的温度稳定性，可望制备压电器件。
一种锆酸铋钠锶掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种多功能铌酸银陶瓷在电卡效应致冷技术中的应用-CN202010103241.4在审
发明人：杜金花;赵烨;郝喜红 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种多功能铌酸银陶瓷在电卡效应致冷技术中的应用，所述铌酸银陶瓷的化学式为AgxNbO2.5+x/2，其中，本发明提供了一种能够用于电卡效应致冷的铌酸银陶瓷材料，该铌酸银陶瓷材料在特定的温度区间内同时具有电卡效应与正电卡效应，正负电卡效应协同工作，可有效提高电卡效应的致冷效率；而且，本发明的铌酸银陶瓷材料的制备方法具有工艺简单、稳定性好、对环境友好的特点，适用于开发高致冷效率微型致冷器，具有重大的实用价值，将铌酸银材料的应用从压电、储能和光催化等领域拓展到电卡效应致冷领域，拓宽了铌酸银材料的应用范围。
一种多功能铌酸银陶瓷效应致冷技术中的应用