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[发明专利]一种集成保护台面晶闸管及其制作方法-CN201610207115.7在审
发明人：何春海 -专利权人：江苏东晨电子科技有限公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成保护台面晶闸管及其制作方法，它在玻璃钝化层上面形成一定厚度的PI胶钝化层，该PI胶钝化层在高纯氮气保护下，以280～320℃温度，经过100～150分钟加热，使PI胶钝化层亚胺化并和玻璃钝化层融合，形成集成保护层。所述台面晶闸管的玻璃钝化层表面覆盖有PI胶钝化层，玻璃钝化层和PI胶钝化层形成集合保护层。通过本发明的上述技术方案，采用玻璃钝化+PI胶钝化工艺，形成集成保护层。有效改善了钝化层的电荷分布，从而有效的降低了晶闸管的漏电流，提高了晶闸管的可靠性。
一种集成保护台面晶闸管及其制作方法

[实用新型]一种集成保护台面晶闸管-CN201620276025.9有效
发明人：何春海 -专利权人：江苏东晨电子科技有限公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成保护台面晶闸管，它在玻璃钝化层上面形成一定厚度的PI胶钝化层，该PI胶钝化层在高纯氮气保护下，以280～320℃温度，经过100～150分钟加热，使PI胶钝化层亚胺化并和玻璃钝化层融合，形成集成保护层。所述台面晶闸管的玻璃钝化层表面覆盖有PI胶钝化层，玻璃钝化层和PI胶钝化层形成集合保护层。通过本实用新型的上述技术方案，采用玻璃钝化+PI胶钝化工艺，形成集成保护层。有效改善了钝化层的电荷分布，从而有效的降低了晶闸管的漏电流，提高了晶闸管的可靠性。
一种集成保护台面晶闸管

[发明专利]一种耐高压钝化保护二极管芯片及其加工方法-CN201110308126.1有效
发明人：汪良恩;裘立强;喻慧丹 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种耐高压钝化保护二极管芯片及其加工方法。涉及一种具有钝化保护结构的二极管芯片及其加工方法。提供一种在确保封装温度下能可靠地保护芯片，解决封装隐患，且制作工艺更简单的耐高压钝化保护二极管芯片及其加工方法。所述芯片包括片状本体和钝化保护层，在片状本体的上部设有一圈倒角。本发明固化沟槽内的所有填充料；然后，采用热压模压制、加热固化成型；制得产品能保留底部的玻璃材料，在裂片后，确保整个弧面覆盖有钝化保护层，玻璃层厚度更大，因此钝化保护层的强度相应也更大，从而无需在钝化保护层（玻璃层）外再设置缓冲保护层。由于模压口沟槽最低部的玻璃最薄，在裂片时，能形成理想的断裂面。
一种高压钝化保护二极管芯片及其加工方法

[实用新型]耐高压钝化保护二极管芯片-CN201120386728.4有效
发明人：汪良恩;裘立强;喻慧丹 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：耐高压钝化保护二极管芯片。涉及一种具有钝化保护结构的二极管芯片。提供一种在确保封装温度下能可靠地保护芯片，解决封装隐患，且制作工艺更简单的耐高压钝化保护二极管芯片。本实用新型相对于现有工艺在掩膜时，固化沟槽内的所有填充料（现有技术中为防止裂片时钝化保护层碎裂，必须将沟槽中间的玻璃去除）；然后，采用热压模压制、加热固化成型；制得产品能保留底部的玻璃材料，在裂片后，确保整个弧面覆盖有钝化保护层，且与现有技术相比，玻璃层厚度更大，因此钝化保护层的强度相应也更大，从而无需在钝化保护层（玻璃层）外再设置缓冲保护层。由于模压口沟槽最低部的玻璃最薄，在裂片时，能形成理想的断裂面（与芯片的轴线平行）。
高压钝化保护二极管芯片

[实用新型]多层保护的玻璃钝化芯片-CN201120562663.4有效
发明人：邓华鲜;孙晓家 -专利权人：乐山嘉洋科技发展有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多层保护的玻璃钝化芯片，包括半导体基片、半导体基片上的P+层、N+层和玻璃钝化层，所述半导体基片的腐蚀沟槽内设置有含氧多晶硅保护层和氮化硅保护层，所述含氧多晶硅保护层位于腐蚀沟槽表面上，氮化硅保护层位于含氧多晶硅保护层与玻璃钝化层之间。
多层保护玻璃钝化芯片

[发明专利]太阳能电池元件-CN201880077215.X在审
发明人：松岛德彦;吉田贵信;川岛义生 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：太阳能电池元件具备半导体基板、钝化层、保护层以及电极层。钝化层位于半导体基板的第1面之上。保护层位于钝化层之上。电极层位于保护层之上，包括玻璃成分。保护层具有位于电极层侧的面的多个凸状部。该多个凸状部分别在电极层侧具有凹状部分。玻璃成分位于该凹状部分的内部空间。
太阳能电池元件

[发明专利]晶闸管及其制造方法-CN201911210684.7在审
发明人：张环;朱迺茜;周继峰 -专利权人：力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：公开了一种晶闸管及其制造方法，该晶闸管包括N型衬底，所述N型衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；P型掺杂层，所述P型掺杂层形成于所述N型衬底的所述第一表面和/或第二表面上；沟槽，所述沟槽从所述P型掺杂层的远离所述N型衬底的表面贯穿所述P型掺杂层并延伸到所述衬底内；以及玻璃钝化保护层，所述玻璃钝化保护层形成在所述沟槽内；其中，所述P型掺杂层、所述N型衬底和所述玻璃钝化保护层之间形成有薄氧层，所述薄氧层和所述玻璃钝化保护层之间形成有半绝缘多晶硅层
晶闸管及其制造方法

[实用新型]晶闸管-CN201922117414.3有效
发明人：张环;朱迺茜;周继峰 -专利权人：力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：公开了一种晶闸管，该晶闸管包括N型衬底，所述N型衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；P型掺杂层，所述P型掺杂层形成于所述N型衬底的所述第一表面和/或第二表面上；沟槽，所述沟槽从所述P型掺杂层的远离所述N型衬底的表面贯穿所述P型掺杂层并延伸到所述衬底内；以及玻璃钝化保护层，所述玻璃钝化保护层形成在所述沟槽内；其中，所述P型掺杂层、所述N型衬底和所述玻璃钝化保护层之间形成有薄氧层，所述薄氧层和所述玻璃钝化保护层之间形成有半绝缘多晶硅层
晶闸管

[发明专利]一种高可靠高压二极管及其制作工艺-CN201711402690.3在审
发明人：黄小锋 -专利权人：常州星海电子股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种高可靠高压二极管，包括晶圆本体，所述晶圆本体从上至下依次包括P+区、N区以及N+区，所述P+区的四周设有上沟槽，所述N+区的四周设有下沟槽，所述上沟槽从P+区延伸至N区，所述P+区的上表面设有第一镍层，所述N+区的下表面设有第二镍层，所述上沟槽与下沟槽的表面均设有SIPOS钝化保护层，所述SIPOS钝化保护层的表面设有玻璃钝化保护层，所述上沟槽的深度大于下沟槽的深度，本发明通过双沟槽、双面SIPOS钝化保护层以及双面玻璃钝化保护层的方式，提高了产品的可靠性，避免了产品在玻璃钝化后发生单向卷曲的情况，提高了反向电压均值以及反向电压的一致性。
钝化保护层上沟槽下沟槽高压二极管反向电压晶圆本体高可靠玻璃钝化保护层玻璃钝化从上至下第二镍层第一镍层双面玻璃制作工艺上表面双沟槽下表面卷曲延伸

[实用新型]一种高可靠高压二极管-CN201721824609.6有效
发明人：黄小锋 -专利权人：常州星海电子股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高可靠高压二极管，包括晶圆本体，所述晶圆本体从上至下依次包括P+区、N区以及N+区，所述P+区的四周设有上沟槽，所述N+区的四周设有下沟槽，所述上沟槽从P+区延伸至N区，所述P+区的上表面设有第一镍层，所述N+区的下表面设有第二镍层，所述上沟槽与下沟槽的表面均设有SIPOS钝化保护层，所述SIPOS钝化保护层的表面设有玻璃钝化保护层，所述上沟槽的深度大于下沟槽的深度，本实用新型通过双沟槽、双面SIPOS钝化保护层以及双面玻璃钝化保护层的方式，提高了产品的可靠性，避免了产品在玻璃钝化后发生单向卷曲的情况，提高了反向电压均值以及反向电压的一致性。
钝化保护层上沟槽下沟槽本实用新型高压二极管反向电压晶圆本体高可靠玻璃钝化保护层玻璃钝化从上至下第二镍层第一镍层双面玻璃上表面双沟槽下表面卷曲延伸

[实用新型]钝化保护二极管芯片-CN201020185427.0有效
发明人：裘立强;魏兴政 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2010-05-11 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：钝化保护二极管芯片。涉及一种具有钝化保护结构的二极管芯片。在封装温度下，能可靠地保护芯片及其钝化层，进而解决封装隐患，且制作方法简单。芯片上部边缘处设有玻璃质的钝化保护层，钝化保护层外还设有一层具有弹性的缓冲保护层。本实用新型的二极管芯片，包括两层钝化层，内层(钝化保护层)直接钝化PN结，外层(缓冲保护层)保护内层，外层主要起保护内层和缓冲外界压力的作用，外层材料具有良好的耐热性能、可塑性能和绝缘性能。本实用新型通过涂布、软烤、掩膜、光照固化、烧结涂层等步骤，实现了外层与内层的牢固结合，从而能有效抵御在封装工序中，环氧树脂固化时，作用于芯片及钝化层上的机械应力。
钝化保护二极管芯片

[实用新型]可控硅器件的复合平面终端钝化结构-CN201020123842.3有效
发明人：王新潮;冯东明;高善明;李建立 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2010-03-04 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型一种可控硅器件的复合平面终端钝化结构，其特征在于所述结构包括芯片硅衬底层(1)，在所述芯片硅衬底层(1)表面复合有钝化层(2)，在所述钝化层(2)表面依次复合有第一保护层(3)、第二保护层(4)和第三保护层(5)，且在所述芯片硅衬底层(1)表面留出阴极和门极引线孔窗口；所述钝化层(2)材料采用半绝缘掺氧多晶硅，第一保护层(3)和第三保护层(5)材料均采用二氧化硅，第二保护层(4)材料采用磷硅玻璃本实用新型的钝化结构能够提高可控硅产品参数稳定性、可控性，减小芯片面积，缩短生产流程，减少碎片率，降低生产成本。
可控硅器件复合平面终端钝化结构

[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法-CN201610242864.3在审
发明人：陆俊宇;连维飞;吴晨阳;魏青竹;倪志春 -专利权人：中利腾晖光伏科技有限公司
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制作方法，包括：提供一基底；在基底一表面形成第一保护层；在基底背离第一保护层的表面制作硼扩散层；去除第一保护层和硼硅玻璃后，在硼扩散层背离基底一侧形成第二保护层；在基底背离硼扩散层的表面制作磷扩散层；去除第二保护层、磷硅玻璃和边缘pn结后，在磷扩散层背离基底一侧形成第一钝化层，在硼扩散层背离基底一侧形成第二钝化层；在第二钝化层上形成多个开孔；在第一钝化层背离基底一侧形成正面电极，且在第二钝化层背离基底一侧形成背面电极并烧结后在基底的一表面制作硼扩散层，将硼扩散层作为太阳能电池的背电场，在基底背离正面电极一侧形成高浓度掺杂区域，提高了背电场的效果。
一种太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种阵列基板及显示装置-CN201910169050.5在审
发明人：谭聪;林凡;唐大海 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及显示装置，阵列基板包括：配向层、公共电极层、像素电极层和钝化保护层，所述公共电极层设置于所述配向层的下方；其中所述钝化保护层包括第一钝化保护层和第二钝化保护层，所述第一钝化保护层设置于所述公共电极层的下方，所述第二钝化保护层设置于所述第一钝化保护层的下方。在配向层下方设置第一钝化保护层和第二钝化保护层，靠近配向层的第一钝化保护层阻抗低于第二钝化保护层的阻抗，这样的设置方式能够使积累在配向层和液晶层界面间的残留DC电荷快速释放，改善因残留DC电荷积累后缓慢释放导致的影像残留现象
钝化保护层配向层公共电极层阵列基板显示装置阻抗残留液晶显示面板像素电极层液晶层界面电荷积累缓慢释放快速释放设置方式影像残留电荷信赖性积累

[发明专利]一种平面终端钝化方法及半导体功率器件-CN201610701963.3有效
发明人：温家良;吴迪;金锐;刘钺杨;何延强;徐哲;潘艳 -专利权人：全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网河北省电力公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，所述方法包括在半导体功率器件上顺次淀积介质层、玻璃钝化层和聚酰亚胺保护层，形成多层复合钝化层；半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，采用多层复合钝化层可以提高半导体功率器件的密封性，阻挡有害杂质离子向衬底表面扩散，同时采用玻璃钝化层可以降低对聚酰亚胺保护层的厚度和膨胀系数的要求
一种平面终端钝化方法半导体功率器件

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