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- [发明专利]一种碳化硅功率芯片与引线框架键合的新型方法-CN202210844624.6在审
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孔国艳
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孔国艳
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2022-07-19
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2022-11-01
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H01L23/495
- 本发明涉及一种碳化硅功率芯片与引线框架键合的新型方法,烧结前工艺处理对于“每一种标准型号的SiC功率芯片及其引线框架”准备若干种待烧结样品,对于每一种待烧结样品均为其配置个性化的烧结条件;通过不同种烧结样品进行压银烧结,并且统计在粘接剂残余量达到阈值且银膏烧结完成度达到阈值时最短的烧结时间;建立在粘接剂残余量达到阈值且银膏烧结完成度达到阈值条件下烧结条件参数与最短烧结时间的函数f(A),通过“烧结条件参数中每一种参数对函数f(A)单向影响的函数”计算不同参数组合对函数f(A)的影响结果;选择让烧结时间最短的一种或几种参数组合作为最优的一种或几种参数组合配置具体的烧结工艺,能够提高烧结的效率且确保了烧结的效果。
- 一种碳化硅功率芯片引线框架新型方法
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