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[发明专利]薄膜晶体管制备方法和系统、以及薄膜晶体管、阵列基板-CN201310306171.2有效
发明人：魏小丹;杨晓峰;张同局;倪水滨 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：以及第一图案化的光刻胶层；进行第一次刻蚀，去掉未被所述第一图案化的光刻胶层覆盖的区域上的源漏电极薄膜；进行第二次刻蚀，去掉未被所述第一图案化的光刻胶层覆盖的区域上的掺杂半导体层薄膜和半导体层薄膜；对所述光刻胶层进行灰化处理，去掉所述沟道区域上的光刻胶层；对灰化处理后的光刻胶层进行烘烤；进行第三次刻蚀，去掉未被所述灰化处理后的光刻胶层覆盖的区域上的源漏电极薄膜；进行第四次刻蚀，去掉未被所述灰化处理后的光刻胶层覆盖的区域上的掺杂半导体层薄膜
薄膜晶体管制备方法系统以及阵列

[发明专利]双应力衬垫半导体器件的形成方法-CN201010275181.0有效
发明人：李凡;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：一种双应力衬垫半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括相接的第一区域和第二区域，分别形成有PMOS晶体管和NMOS晶体管，所述第一区域和第二区域相接部分的基底上还形成有互连结构；在所述基底上依次形成可灰化衬垫层和双应力衬垫层；在所述双应力衬垫层上形成介质层；刻蚀所述介质层，在所述PMOS晶体管、NMOS晶体管和互连结构的接触电极上方分别形成通孔，暴露出所述双应力衬垫层；刻蚀所述通孔底部的双应力衬垫层，暴露出所述可灰化衬垫层；灰化去除所述通孔底部的可灰化衬垫层，暴露出所述PMOS晶体管、NMOS晶体管和互连结构的接触电极。
应力衬垫半导体器件形成方法

[发明专利]一种提高光刻胶灰化率的ICP干式清洗方法-CN201410353711.7无效
发明人：韩沈丹;缪炳有 -专利权人：西安神光安瑞光电科技有限公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出一种提高光刻胶灰化率的ICP干式清洗方法，包括以下步骤：1)在抛光后的蓝宝石表面旋涂一层1.0～3.0μm的光刻胶，对光刻胶进行曝光，经过显影得到具有规则图形阵列的光刻胶掩膜；2)将蓝宝石衬底用ICP刻蚀，获得图形化蓝宝石衬底；3)进行灰化处理；4)使用硫酸、双氧水混合溶液进行清洗；5)进行外延层生长。本发明一种新的提高光刻胶灰化率并简化ICP后清洗步骤的干式清洗方法：在蓝宝石图形刻蚀完后通入一定流量比的O₂与SF₆的混合气体，其中SF₆流量占总气体流量的5％～15％，能有效提高等离子中氧原子浓度和活化光刻胶的生成量，增大光刻胶灰化率，从而有效地提高离子注入后去除光刻胶的能力。
一种提高光刻灰化 icp 清洗方法

[发明专利]制造与活动磁媒体一起运作的转换器滑块上衬垫的方法-CN03147497.7无效
发明人：德特勒夫·加多;黄成一;卢恩卿;师宁 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2003-07-15 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： G11B5/60 文献下载
摘要：衬垫层表面上的掩膜层的厚度应足以在以后的灰化步骤中保护衬垫层，但衬垫层围栏状结构侧壁上的掩膜材料应薄到在灰化中不足以保护围栏状结构。再以灰化辅以机械研磨除去衬垫层上的围栏状结构，灰化步骤可在除去光致抗蚀剂之前实施。剩下的掩膜层以溅射侵蚀法除去，使衬垫层暴露出来，并且没有围栏状结构。
制造活动媒体一起运作转换器滑块上衬垫方法

[发明专利]灰化后侧壁修复-CN201110235855.9无效
发明人：崔振江;王安川;梅休尔·内克;妮琴·英吉;李勇;尚卡·文卡塔拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明描述了降低存在于集成电路的两个导电组件之间的有效介电常数的方法。所述方法涉及使用气相蚀刻，所述气相蚀刻对于低K电介质层的富氧部分是选择性的。当所述蚀刻工艺穿过相对高K富氧部分到达低K部分时，蚀刻速率减弱。因为所述气相蚀刻工艺不容易移除所需的低K部分，所以很容易时间控制所述蚀刻工艺。
灰化侧壁修复

[发明专利]抗金属灰化产品-CN200480024639.8无效
发明人：马茨·伦德贝里;约翰·赫恩布鲁姆;肯尼斯·约兰松;彼得·绍卡洛什 -专利权人：山特维克知识产权股份有限公司
申请日： 2004-08-09 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： C22C9/01 文献下载
摘要：本发明公开了对渗碳、金属灰化、结焦、氧化具有抵抗或免受性并且在高于400℃的温度下使用时具有充分机械性能的产品。该产品由载荷构件和抗腐蚀构件组成，其中抗腐蚀构件为含Si的Cu－Al合金。此外还公开了该产品在含CO的气氛和/或含烃的气氛或含固体碳的工艺中的使用，以及抵抗渗碳、金属灰化、结焦和氧化的方法。
金属灰化产品

[发明专利]一种保温罩及使用其缩短重量分析法中滤纸灰化时间的方法-CN201811039525.0在审
发明人：胡佐宇;胡宗耀;张淑艳;程少鹏;赵丽娜;张海民;许雅丽;林荣华;杨晓光;姜彩艳;朱丽萍;杨艳秋 -专利权人：承德建龙特殊钢有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G01N5/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种保温罩及使用其缩短重量分析法中滤纸灰化时间的方法，所述保温罩包括罩体，罩体为中空结构，其一端设置有第一孔，另一端设置有第二孔，第一孔的面积小于第二孔的面积，罩体上还设有把手。使用该本发明提供的保温罩配合加热装置使用可大幅提高重量分析法中滤纸灰化过程的加热效率，缩短滤纸的灰化时间，有效避免了滤纸燃烧，造成有效元素损失，影响测量结果的准确性，同时也防止了加热过程产生的气体快速溢出造成爆炸导致样品飞溅
滤纸保温罩灰化重量分析法罩体一端设置影响测量结果加热过程加热效率加热装置有效元素中空结构飞溅溢出把手燃烧爆炸配合

[发明专利]一种用于有机质样品低温快速灰化的试管组件-CN201410468080.3无效
发明人：沈坤;周团坤;李中玺;张尼;杨晓明;张莹 -专利权人：西安西北有色地质研究院有限公司
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明为一种用于有机质样品低温快速灰化的试管组件。本发明由外管、外管、内管和内管构成，在内管中下部嵌入通透性均匀的质密砂芯；内管插入外管后，底部留有空隙。本发明为灰化、冷却捕集、溶解、定容、均质等功能为一体的试管组件。本发明只需要对放置样品附近的区域进行局部加热，能耗低；可对易挥发元素进行冷却捕集；本发明可根据试验条件要求在封闭体系与敞开体系间切换；所有过程均在同一器皿中完成，减少外界污染和人员劳动强度，提高了灰化过程的准确度和精密度
一种用于有机质样品低温快速灰化试管组件

[发明专利]油脂中磷脂的测定方法-CN201110001315.4无效
发明人：陈斌;赵万里;马晓迅;李蓉 -专利权人：西北大学
申请日： 2011-01-06 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： G01N21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种油脂中磷脂的测定方法，包括油脂的炭化、灰化、溶解及磷的钼蓝比色法测定等步骤，其中油脂的炭化采取加入浓硫酸，以及碱金属的氢氧化物、碳酸盐或碳酸氢盐。然后加碱反应，可在15分钟内完成不同量的各类油脂的炭化，防止直接电炉加热炭化过程中产生的飞溅、燃烧，缩短炭化时间；用碱金属的氢氧化物或碳酸盐或碳酸氢盐代替ZnO，生成热分解温度更高的可溶性磷酸盐，缩短灰化时间，灰化产物可直接溶解过滤，使后续操作更为简易安全。
油脂磷脂测定方法

[发明专利]光刻胶的去除方法-CN200610147868.X有效
发明人：郭佳衢;刘焕新 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-25 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：本发明的光刻胶去除方法采用部分灰化(partial ashing)加湿法清洗的方法，即先采用等离子灰化工艺去除离子注入过程中在光刻胶表面形成的硬质表层，再使用SOM清洗剂清洗光刻胶，能够完全去除光刻胶，
光刻去除方法

[发明专利]通过回流从较低层除去构图层的方法-CN02100950.3无效
发明人：城户秀作 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2002-01-08 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：在图形转移到光致抗蚀掩模层(3)下的层(2)之后，剥离有机化合物的光致抗蚀掩模(3)，其中光致抗蚀掩模(3)首先暴露于有机溶剂的蒸汽中以通过减薄厚度，之后，光致抗蚀掩模(4)在氧等离子中灰化，由此依靠厚度的减薄在短时间段内完成了干灰化
通过回流低层除去构图方法

[发明专利]干燥病的化妆治疗-CN200480009594.7无效
发明人： P·卡兹米;Z·D·德雷洛斯;E·D·沃尔兹 -专利权人：高露洁－棕榄公司
申请日： 2004-02-10 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： A61K8/02 文献下载
摘要：降低患有干燥病并具有Fitzpatrick 4型或更高等级皮肤类型个体的皮肤灰化水平的方法，包括向所述个体的皮肤局部施用组合物(a)具有足够数量的清洁表面活性剂或清洁表面活性剂混合物以清洁皮肤和(b)足够数量的润湿组分或润湿组分混合物以降低所述皮肤的灰化水平
干燥化妆治疗

[发明专利]一种基于MOS管底层去除光阻的方法-CN202010746616.9在审
发明人：王云鹏 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：/cm2以上，利用紫外光照射晶圆上的光刻胶，使光刻胶发生发生光化学反应使分子链结构由长链变为短链，有利于光阻的去除；在向所述MOS管晶圆掺杂离子之后，利用干法灰化工艺清除所述晶圆上的光刻胶，对光阻进行干法灰化过程(灰化：即去除光阻)时晶圆应该处于顶起悬空状态避免和灰化装置大面积接触；利用湿法工艺清除所述晶圆上的残余光刻胶。
一种基于 mos 底层去除方法

[发明专利]一种SOI晶圆的刻蚀方法-CN202211512234.5在审
发明人：刘冲;陈宏;刘张李 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：晶圆包括依次层叠的基底层、埋氧化层和半导体顶层；在半导体顶层上形成光刻胶层，并对光刻胶层进行边缘去胶处理；以光刻胶层为掩膜，依次对半导体顶层和所述埋氧化层进行刻蚀，暴露出基底层表面的边缘区域；进行第一次灰化工艺，去除光刻胶层，此时SOI晶圆的表面形成有硅基聚合物副产物；进行第二次灰化工艺，去除硅基聚合物副产物。本发明提供的SOI晶圆的刻蚀方法，在进行常规的第一次灰化工艺去除光刻胶层后，接着进行第二次灰化工艺去除SOI晶圆表面形成的硅基聚合物副产物，解决了现有工艺中在SOI晶圆表面形成硅基聚合物副产物进而影响后续制程良率的问题
一种 soi 刻蚀方法

[发明专利]用于从半导体基板及对应方法中移除蚀刻后或灰化后残余物的清洁组合物-CN201880079173.3在审
发明人：柯志正;A·克里普;郑怡萍;J·T·V·霍格博姆 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C11D3/00 文献下载
摘要：本发明描述一种用于自用于半导体行业中的基板移除蚀刻后或灰化后残余物的清洁组合物及该清洁组合物的对应用途。本发明进一步描述一种用于自半导体基板制造半导体装置的方法，其包括通过使基板与根据本发明的清洁组合物接触而自该基板移除蚀刻后或灰化后残余物的步骤。
用于半导体对应方法蚀刻灰化残余物清洁组合