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[发明专利]阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法-CN201410800496.0有效
发明人：郭建 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明的阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法，其中阵列基板的制造方法包括沉积像素电极层以及源漏电极层；对源漏电极层对应于像素电极区域的源漏电极层进行干法刻蚀，暴露出像素电极，形成源电极、漏电极，源电极以及漏电极位于像素电极的上方阵列基板包括：栅绝缘层以及有源层上的像素电极；形成于像素电极上方的源电极以及漏电极；像素电极的材料是氧化铟锌，源电极、漏电极由源漏电极层刻蚀形成，源漏电极层的像素电极区域被干法刻蚀暴露形成像素电极。本发明的技术方案，像素电极位于源电极以及漏电极的下方，对源漏电极层的像素电极区域的源漏电极层进行干法刻蚀，保证像素电极层不被腐蚀。
阵列显示装置以及制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板和显示设备-CN201410334150.6有效
发明人：张锋;曹占锋;姚琪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-07-14 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管，包括有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极，源电极包括第一源电极和第二源电极，漏电极包括第一漏电极和第二漏电极，第一源电极和第一漏电极设置于有源层上方；刻蚀阻挡层设置于第一源电极和第一漏电极上方；第二源电极和第二漏电极设置于刻蚀阻挡层上方，第一源电极与第二源电极电连接，第一漏电极与第二漏电极电连接，第一源电极、第一漏电极与刻蚀阻挡层部分重叠；源电极和漏电极通过有源层连接。本发明薄膜晶体管的沟道长度小，从而提高了薄膜晶体管的开启电流，同时本发明还改善了源漏电极与有源层的欧姆接触问题，提高了薄膜晶体管的稳定性。
一种薄膜晶体管及其制备方法显示设备

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置-CN201510593922.2在审
发明人：胡伟;刘信;杨妮 -专利权人：重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括栅电极、源电极、漏电极以及漏电极引线，所述源电极由N个第一弯曲结构连接形成，所述漏电极由N-1个第二弯曲结构连接形成，所述源电极与所述漏电极对合设置，所述漏电极引线连接在所述漏电极上，所述漏电极引线的数量为(1～N-1)条。该薄膜晶体管采用N个弯曲结构连接成一整体作为漏电极，因此可以只采用(1～N-1)条漏电极引线与漏电极相连，减少了漏电极引线和引线凹槽的数量、减小了引线凹槽总宽度，既保证了较大的充电电流，又达到了减少TFT的光漏电的效果。
薄膜晶体管及其制备方法阵列显示装置

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造薄膜晶体管的方法-CN201780000933.2有效
发明人：刘威 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括：彼此间隔分开的第一源电极(20)和第一漏电极(30)；有源层(10)，所述有源层(10)位于所述第一源电极(20)和所述第一漏电极(30)上，并且具有位于所述第一源电极(20)与所述第一漏电极(30)之间的通道部(1)、与所述第一源电极(20)电连接的源电极接触部(2a)，以及与所述第一漏电极(30)电连接的漏电极接触部(3a)；第二源电极(21)，所述第二源电极(21)位于所述源电极接触部(2a)的远离所述第一源电极(20)的一侧，并且与所述第一源电极(20)电连接；以及第二漏电极(31)，所述第二漏电极(31)位于所述漏电极接触部(3a)的远离所述第一漏电极(30)的一侧，并且与所述第一漏电极
薄膜晶体管阵列显示装置制造方法

[发明专利]薄膜晶体管和包括其的显示装置-CN201510967794.3有效
发明人：尹姬京;金大哲;李健行;李花郞;崔国铉 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了能够显示具有均匀亮度的图像的薄膜晶体管(TFT)和包括该薄膜晶体管的显示装置，该TFT包括：栅电极；栅极绝缘层，布置在栅电极上；半导体层，布置在栅极绝缘层上；源电极和漏电极，布置在半导体层上同时彼此间隔开；以及保护层，布置在源电极和漏电极上并且具有接触孔，漏电极的一部分通过接触孔暴露，其中，漏电极包括与栅电极的一部分重叠的第一漏电极、从第一漏电极延伸并且具有通过接触孔暴露的部分的第二漏电极、以及从第一漏电极分支为与第二漏电极间隔开的第三漏电极
薄膜晶体管包括显示装置

[实用新型]显示基板、显示面板和显示终端-CN201821098175.0有效
发明人：王燕锋;崔永鑫;刘成;胡江平 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种显示基板、显示面板和显示终端，其中显示基板包括漏电极及子像素电极，子像素电极嵌入漏电极并与漏电极连接，且嵌入漏电极内的子像素电极为外轮廓尺寸自子像素电极至漏电极逐渐缩至零的结构。如此子像素电极嵌入漏电极的连接方式，大大提高了子像素电极与漏电极之间的结合力，且子像素电极嵌入部分为自子像素电极至漏电极逐渐缩小至端点的结构，端点处的接触面积小，在撞击力传递的方向可起到较好的应力释放和缓冲效果，因此大大改善子像素电极与漏电极在承受跌落撞击时容易脱落导致接触不良的问题，提高了显示面板的抗弯曲强度和承受跌落撞击强度，提高了显示面板的使用寿命。
漏电极子像素电极显示面板嵌入显示基板显示终端跌落本实用新型缓冲效果接触不良连接方式使用寿命应力释放逐渐缩小结合力抗弯曲外轮廓撞击力子像素传递

[发明专利]显示装置及制造该显示装置的方法-CN201811418169.3有效
发明人：金弘锡 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该显示装置包括：基板；和基板上的晶体管，晶体管包括：半导体层，半导体层设置在基板上；栅极绝缘图案，栅极绝缘图案设置在半导体层上；多个栅电极，多个栅电极设置在栅极绝缘图案上；以及与栅极绝缘图案间隔开的源电极、源‑漏电极和漏电极，其中源电极与半导体层的顶表面接触，源‑漏电极与源电极相邻，多个栅电极中的一个栅电极在源电极与源‑漏电极之间，并且漏电极与源‑漏电极相邻，多个栅电极中的另一个栅电极在漏电极与源‑漏电极之间
显示装置制造方法

[发明专利]一种带状绝缘表面电阻率测试双保护式线电极系统-CN202110975584.4在审
发明人：陈庆国;宋春辉;李万鹏;程嵩;池明赫 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种带状绝缘表面电阻率测试双保护式线电极系统，包括体积漏电流保护电极、表面漏电流保护电极一、表面漏电流保护电极二、高压电极、测量电极、高压电源和电流测量仪，体积漏电流保护电极置于底部，试样贴在体积漏电流保护电极的上表面；两个表面漏电流保护电极对试样压紧固定；高压电极和测量电极布置在试样上表面，高压电极和测量电极置于两个表面漏电流保护电极围成区域内，高压电源与高压电极相连，高压电极和测量电极与试样连接，电流测量仪用于测量流过试样电流；三个保护电极接地分别用于屏蔽高压电极和测量电极的表面漏电流与体积漏电流。本发明消除高压电极产生的非直线电流对测试的影响，提高表面电阻率测试结果准确性。
一种带状绝缘表面电阻率测试保护电极系统

[发明专利]薄膜有源元件、有机发光装置、显示装置、电子器件以及薄膜有源元件的制造方法-CN200880110811.X无效
发明人：笠原健司 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜有源元件，其具备：透光性基板；形成于基板上的遮光性源电极/遮光性漏电极；形成于遮光性源电极/遮光性漏电极所属的平面上，并与遮光性源电极/遮光性漏电极之间隔着间隙而配置的透光性源电极/透光性漏电极；形成于遮光性源电极/遮光性漏电极与透光性源电极/透光性漏电极之间的间隙的通道层；以及对形成于间隙的通道层施加电场的栅电极。
薄膜有源元件有机发光装置显示装置电子器件以及制造方法

[发明专利]液晶显示装置-CN201510629730.2有效
发明人：裵盛焕;宋丞基;丁荣珉 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：提出了一种液晶显示器，其包括：辅助电极，从栅极线突出；第三栅电极，从栅极线突出；第一源电极和第二源电极，连接至数据线并且分别与第一栅电极和第二栅电极重叠；第一漏电极，与第一栅电极和辅助电极重叠；第二漏电极，与第二栅电极重叠；第三源电极，与第三栅电极重叠；第三漏电极，与第三栅电极重叠并且连接至存储电极线；第一子像素电极和第二子像素电极，分别连接至第一漏电极和第二漏电极，其中，第一漏电极和第一子像素电极之间的连接与第二漏电极和第二子像素电极之间的连接彼此相邻
液晶显示装置

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN202210078806.7在审
发明人：刘世谦;张耀中;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明的各个实施例针对二维载气(2DCG)半导体器件，2DCG半导体器件包括具有多个突起的欧姆源电极/漏电极，多个突起由间隙分隔开并且从欧姆源电极/漏电极的底面突出。欧姆源电极/漏电极位于半导体膜上面，并且突起从底面延伸至半导体膜中。此外，欧姆源电极/漏电极与也位于半导体膜上面的另一个欧姆源电极/漏电极分隔开。沟道层容纳2DCG，2DCG沿着异质结延伸并且欧姆耦接至欧姆源电极/漏电极和另一个欧姆源电极/漏电极。栅电极位于欧姆源电极/漏电极和另一个源电极/漏电极之间的半导体膜上面。
半导体器件用于形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200680036407.3有效
发明人：本田达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-10-03 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目的在于通过减小半导体膜与电极和连线的接触电阻，提高半导体膜和电极或连线的覆盖率，得到性能提高的半导体器件。本发明涉及半导体器件，包括：衬底上方的栅电极，栅电极上方的栅绝缘膜，栅绝缘膜上方的第一源或漏电极，第一源或漏电极上方的岛状半导体膜，第一源或漏电极和岛状半导体膜上方的第二源或漏电极。此外，第二源或漏电极与第一源或漏电极接触，岛状半导体膜夹在第一源或漏电极和第二源或漏电极之间。此外，本发明涉及半导体器件的制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]金属堆叠源漏电极场效应管及其制作方法-CN201811438044.7有效
发明人：曾荣周;周细凤 -专利权人：湖南工业大学
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属堆叠源漏电极场效应管的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成沟道材料层；在沟道材料层上光刻定义源、漏电极区域；在源、漏电极区域依次沉积第一金属层、第二金属层、第三金属层；腐蚀源、漏电极区域的第二金属层内侧，形成侧向凹陷形状的源漏电极；在沟道材料层上光刻定义栅电极区域；在栅电极区域沉积栅介质；在栅介质上沉积栅金属，形成栅电极。本发明先形成三层金属堆叠的源漏电极，再腐蚀第二层金属，形成侧向凹陷的源漏电极，源漏电极侧向凹陷的程度不会改变连接电阻的大小，并且只用一次沉积工艺就形成了足够厚的源漏电极金属且实现了自对准。本发明还公开了一种金属堆叠源漏电极场效应管。
金属堆叠漏电场效应及其制作方法

[发明专利]显示面板装置及其制造方法-CN201180072172.4有效
发明人：是泽康平;奥本有子;笹井谦一;受田高明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-08-03 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及的显示面板装置（100）包括：基板（1）；形成于基板上的栅电极（2）；形成于栅电极上的栅极绝缘膜（3）；形成于栅极绝缘膜上的第1源电极（41）；形成于第1源电极上的第2源电极（42）；形成于栅极绝缘膜上的第1漏电极（51）；形成于第1漏电极上的第2漏电极（52）；第1隔壁部（6），其具有至少露出第2源电极的一部分和第2漏电极的一部分的开口；半导体层（7），其形成于开口内，至少与第2源电极和第2漏电极接触；形成于半导体层的上方的绝缘层（8）；形成于绝缘层上的下部电极（9）；以及接触孔（8H），其形成于绝缘层，用于将下部电极与第2漏电极或第2漏电极连接，第2源电极和第2漏电极的膜构造比第1源电极和第1漏电极的膜构造疏
显示面板装置及其制造方法

[发明专利]具有偏移结构的薄膜晶体管-CN201110134007.9有效
发明人：金起弘;金正晥;张龙在;金正贤 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述有源区包括：栅电极；与所述栅电极重叠的有源层；位于所述栅电极与所述有源层之间的栅绝缘层；以及包括电连接到所述有源区的源/漏电极的源/漏电极层。所述源/漏电极中的某些与所述栅电极部分重叠。所述源/漏电极中的其它源/漏电极偏移于所述栅电极。所述源/漏电极和所述栅电极被对称布置。
具有偏移结构薄膜晶体管

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