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[发明专利]没有编程干扰的三晶体管（N/P/N）非易失性存储器单元-CN201180034993.9无效
发明人： P·珀普立文;E·胡;U·可汗;A·J·富兰克林 -专利权人：美国国家半导体公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种非易失性存储器（NVM）单元结构，其包括：NMOS控制晶体管，其具有共同连接以接收控制电压的源极电极、漏极电极和管体区电极以及连接到数据存储节点的栅极电极；PMOS擦除晶体管，其具有共同连接以接收擦除电压的源极电极、漏极电极和管体区电极以及连接到数据存储节点的栅极电极；以及NMOS数据晶体管，其具有源极电极、漏极电极和管体区电极以及连接到数据存储节点的栅极电极。
没有编程干扰晶体管非易失性存储器单元

[发明专利]一种碳纳米管阴极离子源装置及中子管-CN202111605139.5在审
发明人：岳爱忠;刘炯;李兵 -专利权人：中国石油天然气集团有限公司;中国石油集团测井有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管阴极离子源装置及中子管，碳纳米管阴极组件设置在支柱的一端，碳纳米管阴极组件远离支柱的一端设置有若干个凸点；第一绝缘体套装在碳纳米管阴极组件的外侧，栅极筒套装在第一绝缘体的外侧，栅极筒靠近碳纳米管阴极组件的端面上开设有与凸点对应的通孔；第二绝缘体套装在栅极筒的外侧，固定组件套装在支柱的外侧，固定组件的一端与阴极、第一绝缘体、栅极筒和第二绝缘体的一端相抵，阳极筒套装在第二绝缘体和固定组件的外侧。本发明离子源结构紧凑并提高了除气温度，能获得较大的离子流输出，既克服了磁材料结构件带来的结构复杂、材料除气温度低的缺点，又提高了离子源输出离子流，增强了离子源工作的稳定性。
一种纳米阴极离子源装置中子

[实用新型]一种新型板面高效清扫装置-CN202020917445.7有效
发明人：张玉 -专利权人：江苏裕铭铜业有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： B08B5/04 文献下载
摘要：本实用新型为一种新型板面高效清扫装置，包括至少两个管体，所述管体的第一端与移动机构连接，所述管体的第二端端部搭靠在机架的托杆上，所述移动机构带动所述管体的沿其管长方向移动；所述管体的第一端管口与第一气管连通，所述第一气管与负压气源连通，所述管体的管顶面开设有通孔，所述机架上设置的吸尘机构包括吸尘头，所述吸尘头的尾部与第二气管连通，所述第二气管与负压气源连通，所述吸尘头的头部与所述管体的管顶面邻近布置。
一种新型高效清扫装置

[发明专利]一种MOS晶体管-CN201010280069.6无效
发明人：王根毅;吴宗宪 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种MOS晶体管，该晶体管为沟槽型垂直双扩散晶体管，采用金属插塞的方式将用以引出源电极的金属层填充在位于相邻两源区之间的接触孔内，并在接触孔下方形成一重掺杂的体接触区域，此时，该MOS晶体管结构中金属均通过接触孔内填充的金属插塞与硅体接触，接触孔侧壁接触的硅体为第一半导体类型掺杂的源区，接触孔底部接触的硅体为第二半导体类型掺杂的体接触区，二者均为重掺杂区域，有效防止了金属与轻掺杂硅体接触产生的各种寄生效应，改善晶体管性能。
一种 mos 晶体管

[实用新型]电容式麦克风的电路模组-CN200520130518.3无效
发明人：萧简锦 -专利权人：展能电子股份有限公司
申请日： 2005-11-04 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电容式麦克风的电路模组，包含一场效晶体管、一电阻器、一二极管、至少一电容器及一封装体，由场效晶体管分别延伸有一源极接脚、一汲极接脚及一闸极接脚，电阻器的二端分别连接于晶体管的源极与闸极，二极管的阴极与阳极分别连接场效晶体管的闸极及源极，封装体是将场效晶体管、电阻器、二极管及电容器封装于其中，其特征在于：电容器的一端连接于晶体管的源极，另一端延伸出一扩充接脚，且闸极接脚、源极接脚、汲极接脚及扩充接脚均外露于封装体
电容麦克风电路模组

[发明专利]使用等离子体喷嘴进行容器涂层-CN201380019140.7有效
发明人：约亨·克吕格尔;海因茨·胡梅尔 -专利权人：克朗斯股份公司
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： B65D23/02 文献下载
摘要：本发明是关于容器，例如塑料瓶和/或容器毛坯件，例如容器预制件的等离子增强喷涂的装置，包括至少一个高频源(327)，至少一个气体进口，用以注入工艺气体，以及至少一个等离子源(200)，例如一个等离子喷嘴，其中等离子源包含一个内电极(205)，并且该内电极(205)的周围绕着喷嘴管(220)，上述至少一个等离子源(200)置于需喷涂的容器内，并对其进行相应配置，使得其在环境压力下，比如在800‑1200hPA的压力范围内，产生等离子体(204)，并且等离子体能通过喷嘴管末端(203)排出，此时，产生的等离子体的温度应在环境温度范围内，比如10到50℃，其特征是等离子源(200)的喷嘴管(220)包含一个纵向喷嘴管元件(201)和横向喷嘴管元件(202)。前述横向喷嘴管元件(202)从纵向喷嘴管元件(201)上横向伸出，并且等离子体通过横向喷嘴管末端(203)被排放。
使用等离子体喷嘴进行容器涂层

[实用新型]一种污染源气体采样气袋-CN202023265039.6有效
发明人：王凤丹;罗志强 -专利权人：环楚检测技术（上海）有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： F17C3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种污染源气体采样气袋，包括袋体，所述袋体的一侧固定连接有进出管，所述进出管的一端固定连接有防漏机构，所述防漏机构的一侧可拆卸连接有固定帽，所述防漏机构由管体、凹槽、固定块、连接杆、按压块、固定板、弹簧、通孔和密封塞组成，所述管体的内壁固定连接有固定块，所述固定块的一侧开设有凹槽，所述凹槽的一侧设置有通孔，所述通孔与凹槽连通，所述凹槽的内部设置有密封塞，所述密封塞的一侧固定连接有连接杆。该污染源气体采样气袋通过设置有防漏机构和固定帽，从而能够使得污染源气体采样气袋具备双重防漏和密封效果，大大的提高了污染源气体采样气袋的密封性和使用效果。
一种污染源气体采样气袋

[发明专利]消除体效应的带隙基准源-CN201510585502.X无效
发明人：段吉海;朱智勇;徐卫林;韦保林 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开一种消除体效应的带隙基准源，包括启动电路，纳安量级基准电流产生电路，温度补偿电路和电流镜。利用工作在亚阈值区MOS工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，抑制电源噪声，采用源极耦合差分对代替传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管，消除体效应的影响，采用MOS的栅源电压具有负温度系数与MOS管的栅源电压差具有正温度系数相互调节的方法，得到一个零温漂的参考电压。
消除效应基准

[实用新型]消除体效应的带隙基准源-CN201520708966.0有效
发明人：段吉海;朱智勇;徐卫林;韦保林 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型公开一种消除体效应的带隙基准源，包括启动电路，纳安量级基准电流产生电路，温度补偿电路和电流镜。利用工作在亚阈值区MOS工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，抑制电源噪声，采用源极耦合差分对代替传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管，消除体效应的影响，采用MOS的栅源电压具有负温度系数与MOS管的栅源电压差具有正温度系数相互调节的方法，得到一个零温漂的参考电压。
消除效应基准

[实用新型]迈克斯管结构-CN03243016.7无效
发明人：翁俊民 -专利权人：介明塑胶股份有限公司;翁俊民
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： F04B43/08 文献下载
摘要：一种迈克斯管(Timax Hose)结构，其主要为一软性材质的管体，该管体一端可连接液、气体源，而将液、气体源导流到管体的另端输送出；其特征在于：该管体内壁上至少设有一沿管体轴心线方向的凸肋。所述的迈克斯管结构的凸肋可以与管体轴心线平行。所述的迈克斯管结构的凸肋还可以在管体内沿管体轴心线方向呈螺旋状。本实用新型的优点是，当管体受到外力压迫时，管体内壁的凸肋顶抵管壁或者凸肋相互顶抵，使管体内流动的液体或气体沿各凸肋间形成的空间流过，防止管体内壁因受到外力压迫而密合，造成管体中的液体或气体流动中断。
迈克结构

[发明专利]一种八晶体管静态随机存储器单元-CN201310242397.0有效
发明人：陈静;伍青青;罗杰馨;柴展;吕凯;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明提供一种八晶体管静态随机存储器单元，至少包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；传输门，由第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管第五NMOS晶体管及第六NMOS晶体管组成；其中，所述第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管均采用源体欧姆接触体引出结构。本发明在晶体管的源区进行与体区掺杂相同极性的重掺杂，实现源区与体区的欧姆接触，消除部分耗尽SOI晶体管的浮体效应，不需要额外增加工艺和版图，并保证了单元的高集成度。
一种晶体管静态随机存储器单元

[发明专利]一种工作于太赫兹频段的等离子体天线-CN201710115477.8在审
发明人：阮久福;宋哲;赵欣悦;黄波;王小康 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01Q1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种工作于太赫兹频段的等离子体天线装置包括放电玻璃管和激光激励源；所述放电玻璃管内充有惰性气体和汞蒸气；所述激光激励源与所述放电玻璃管连接，用于激励所述惰性气体和汞蒸气产生等离子体。采用激光激励源电离气体使得等离子的密度较大，提高了等离子体的本征振荡频率，使得等离子体天线能够工作在太赫兹频段。
一种工作赫兹频段等离子体天线

[发明专利]一种新型真空微波等离子体离子源-CN202010457301.2在审
发明人：程平;胡靖;赵高升;谢春光;刘吉星 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型真空微波等离子体离子源，包括石英管、石英管固定座、中管、石英管校准垫、调谐端面、密封座、外管、放电针、供电接口、微波接头和微波天线。本新型真空微波等离子体离子源，石英管把工作气体(包含氮气、氦气及氩气)有效导入振荡腔内，使离子源持续稳定工作，微波进入中管和外管之间形成微波振荡，并在端口形成的电场最强，便于激发等离子体，工作气体通过石英管到达尾端，通过放电针点燃，进而形成微波等离子体，微波等离子体进而与目标样品进行电荷交换，从而使目标样品离子化，结构简单，电离效率高，寿命长，产生的离子流稳定，便于耦合多种分析检测仪器，可准确对挥发性有机物进行准确定性和定量分析
一种新型真空微波等离子体离子源

[实用新型]一种有机溶剂脱水设备-CN202121906962.5有效
发明人：邓紫新;耿亚;朱宁 -专利权人：江苏曼氏生物科技股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B01D1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种有机溶剂脱水设备，包括脱水组件和热能回收组件，所述脱水组件包括底板、加热器、第一壳体、第一管体、第二管体和第二壳体；所述热能回收组件包括第三壳体、第三管体、第一盘管、第二盘管、第四管体、第五管体、支架和罐体；所述第三壳体焊接于第一壳体的一侧本实用新型通过将冷源的有机溶剂充斥在第三壳体内，再进入第二盘管内，此过程中，与第一盘管内部脱水后的高温有机溶剂进行热量交换，对冷源有机溶剂进行预加热，冷源在第三壳体和第二盘管与第一盘管内部的高温有机溶剂热交换面积大，并通过凸起部延缓高温有机溶剂流速，增加热交换时间，效果好，节约能源。
一种有机溶剂脱水设备

[实用新型]一种载药等离子体针装置-CN201220257611.0有效
发明人：曹颖光;熊紫兰;石琦;刘金辉;杜田丰;卢新培 -专利权人：华中科技大学同济医学院附属同济医院
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： A61C5/02 文献下载
摘要：一种载药等离子体针装置，属于医疗器械，解决现有根管清理冲洗针清理及消毒效果不足的问题，以提高根管清理及根管消毒的效果。本实用新型包括针头、针帽、气源、药瓶和等离子体射流源，所述针头由绝缘外壳、绝缘垫和金属针组成；所述针帽凹槽底部嵌有金属片，凹槽底部和金属片开有同轴的气孔；针头绝缘外壳插入针帽凹槽，金属针尾端与所述金属片接触；金属片通过导线连接等离子体射流源输出端；金属片上的气孔通过出气管连通药瓶，药瓶通过进气管连接气源；等离子体射流源包括电阻、电容和高压脉冲电源。本实用新型结构简单、便于制作、维修及更换，操作安全方便；可根据疾病严重程度及病人耐受程度调节等离子体流速和处理时间，实现个性化治疗。
一种等离子体装置