专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]清洗机台以及清洗方法-CN202010982723.1在审
  • 郗宁 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-09-17 - 2022-03-18 - H01L21/67
  • 本发明实施例提供一种清洗机台以及清洗方法,其中,清洗机台包括:湿法清洗模块,用于对晶圆执行湿法清洗工艺;干法清洗模块,用于对晶圆执行干法清洗工艺;输送模块,用于将晶圆输入至湿法清洗模块或干法清洗模块中,或用于将湿法清洗模块或干法清洗模块中的晶圆输出;传送模块,用于将晶圆从湿法清洗模块传送至干法清洗模块,或用于将晶圆从干法清洗模块传送至湿法清洗模块;处理模块,用于抽取传送模块中的气体;本发明实施例提高填充刻蚀缺陷形成的半导体结构的稳定性
  • 清洗机台以及方法
  • [发明专利]减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法-CN201610957469.3在审
  • 顾晶伟;陆益;李超;刘宗帅 - 安徽富芯微电子有限公司
  • 2016-10-27 - 2017-02-22 - H01L21/311
  • 本发明属于半导体技术领域,尤其涉及一种减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法,依次包括底膜预处理、一次光刻、二次光刻和湿法腐蚀,使得基片进行湿法腐蚀前进行两次光刻胶保护。本发明的减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法,在通过不增加其它任何设备的情况下,在现有的生产条件下,提高湿法腐蚀质量。本发明在一次光刻后,湿法腐蚀前,进行第二次光刻,得到两次完全重合的光刻图形。通过两次光刻后,得到较厚的光刻胶膜,能有效阻挡腐蚀液穿透光刻胶膜,避免腐蚀液与衬底发生反应,减少钻蚀,在不降低图形分辨率的情况下,提高光刻胶膜厚度,减少湿法腐蚀后的钻蚀量。
  • 减少光刻湿法腐蚀钻蚀工艺方法
  • [实用新型]密封取样装置及湿法制粒机-CN202222932521.3有效
  • 刘涛;岳伟功;黄浩;贾帅帅;苏彪;李德良;胡伟龙;姚磊岳;罗晓健;杨威 - 翰林航宇(天津)实业有限公司
  • 2022-11-01 - 2023-06-06 - G01N1/10
  • 本实用新型涉及取样领域,提供一种密封取样装置及湿法制粒机。密封取样装置包括取样主体、取样组件和样本密封组件。取样主体与湿法制粒机连接,取样主体具有取样通道以及与取样通道连通的取样口,取样主体通过取样口与湿法制粒机连通;取样组件安装于取样通道内,取样组件的一端由取样口伸入湿法制粒机内,至少部分取样组件活动设置于取样通道和湿法制粒机内,以对湿法制粒机内的样品进行取样;样本密封组件与取样通道连通,用于对取样组件取得的样品进行密封。本实用新型密封取样装置具有结构简单、实用性强的优点,可以有效地防止湿法制粒机内的原料受到污染,还可以保障后续检测样品的湿度、粒径等指标的准确性。
  • 密封取样装置湿法制粒机
  • [发明专利]一种湿法制粒生产系统及使用方法-CN202011584995.2在审
  • 吴玉升;徐源术;朱毅;刘健 - 楚天科技股份有限公司
  • 2020-12-28 - 2021-03-26 - A61J3/00
  • 一种湿法制粒生产系统,包括湿法制粒机、湿法整粒机、流化床、提升整粒机、进风组件以及排风组件湿法整粒机、流化床和提升整粒机均通过管路与进风组件的出风口相连,湿法制粒机上设有吸料部件,湿法制粒机、流化床和提升整粒机均通过管路与排风组件的进风口相连湿法制粒生产系统的使用方法,包括步骤S1.1、湿法制粒机负压上料;S1.2、流化床负压上料;S1.3、提升整粒机负压上料:物料在流化床内进行干燥,将提升整粒机与排风组件、以及流化床与提升整粒机连通,并调节流化床的进风风量和排风风量
  • 一种湿法生产系统使用方法

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