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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图像传感器和操作图像传感器的方法-CN202210198678.X在审
  • 金文焕;吴暎宣;申宗润;全洪贤;崔河拿 - 三星电子株式会社
  • 2022-03-02 - 2022-11-08 - H04N5/374
  • 所述图像传感器包括：第一导电类型的半导体基底；光电转换区域，设置在半导体基底中并且被掺杂为具有第二导电类型；第一浮置扩散区域，设置为接收累积在光电转换区域中的光电荷；传输栅电极，布置在第一浮置扩散区域与光电转换区域之间并连接到第一浮置扩散区域和光电转换区域；双转换增益晶体管，布置在第一浮置扩散区域与第二浮置扩散区域之间并连接到第一浮置扩散区域和第二浮置扩散区域；和复位晶体管，布置在第二浮置扩散区域与像素电源电压区域之间并连接到第二浮置扩散区域和像素电源电压区域，其中，复位晶体管的沟道区域具有在从第二浮置扩散区域朝向像素电源电压区域的方向上增大的电位梯度。
  • 图像传感器操作方法
  • [发明专利]图像传感器、指纹识别模组及电子装置-CN202110505855.X有效
  • 黄信元 - 汇顶科技私人有限公司
  • 2021-05-10 - 2023-08-18 - H01L27/146
  • 所述图像传感器包括：像素阵列，包含多个像素单元包含：浮置扩散区域，等效地具有浮置扩散电容；复位选择晶体管，耦接于所述浮置扩散区域与第一参考电压间；光电二极管；传输晶体管，耦接于所述光电二极管与所述浮置扩散区域间；源跟随晶体管，耦接至所述浮置扩散区域及所述第一参考电压，用以依据所述源跟随晶体管的电压增益以及所述浮置扩散区域的电压产生输出电压；行选择晶体管，耦接于所述源跟随晶体管；以及电容单元，耦接至所述浮置扩散区域，其中所述电容单元的容值受所述浮置扩散区域的电压影响，当所述浮置扩散区域的电压越高，所述电容单元的容值越高。
  • 图像传感器指纹识别模组电子装置
  • [发明专利]图像传感器-CN202310229008.4在审
  • 林政昱;金序注;朴素恩;赵诚赫 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-10 - 2023-09-19 - H01L27/146
  • 该图像传感器包括：设置在第一区域中的第一光电二极管(PD)；设置在第二区域中的第二PD，其中，第二区域小于第一区域并且与第一区域相邻；设置在第一区域中并且经由第一传输晶体管连接至第一PD的第一浮置扩散区域；经由第一复位晶体管连接至电源以及经由第二复位晶体管连接至第一浮置扩散区域的第二浮置扩散区域；第三浮置扩散区域，其设置在第二区域中，并且经由第二传输晶体管连接至第二PD，并且经由第一开关连接至第二浮置扩散区域；连接在第三浮置扩散区域和电源之间的电容器。
  • 图像传感器
  • [发明专利]包括额外传输门和额外浮置扩散区域的图像传感器-CN201811546871.8有效
  • 林成祐 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-12-18 - 2023-07-18 - H01L27/146
  • 包括额外传输门和额外浮置扩散区域的图像传感器。提供一种图像传感器。该图像传感器包括：像素阵列，其被构造为包括用于捕获入射光的不同的像素块，其中，像素块包括各自响应于光而产生光生电荷的相邻的单位像素；浮置扩散区域，其被设置在每个单位像素的中心处，以接收所述光生电荷；以及传输门，其形成在所述浮置扩散区域的周围，以控制所述光生电荷的传输。每个像素块可包括额外浮置扩散区域和额外传输门，所述额外浮置扩散区域位于所述像素块的中心处，以从所述相邻的单位像素中的每一个接收所述光生电荷，所述额外传输门形成在所述额外浮置扩散区域与所述相邻的单位像素之间
  • 包括额外传输扩散区域图像传感器
  • [发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200710300704.0无效
  • 金升炫 - 东部高科股份有限公司
  • 2007-12-25 - 2008-07-02 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，该CMOS图像传感器包括栅极，位于半导体衬底的有源区域中的栅极绝缘层上；光电二极管区域，位于该栅极一侧的半导体衬底中；浮置扩散区域，位于该栅极另一侧的半导体衬底中；以及补偿杂质区域，位于该栅极的该另一侧的半导体衬底中，叠置在该浮置扩散区域上。本发明可以增大转移晶体管的宽度和/或可以将补偿杂质离子注入浮置扩散区域中，从而使浮置扩散区域有效地复位，并且经由光而产生并被转移到浮置扩散节点的电子具有相对更好的效果，从而可以提高图像传感器的性能。
  • cmos图像传感器及其制造方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710163795.1有效
  • 戚德奎 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2017-03-17 - 2020-11-27 - H01L27/146
  • 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供包括像素区的衬底，像素区包括相邻感光区域和浮置扩散区域；在感光区域衬底内形成深掺杂区；在浮置扩散区域衬底内形成浮置扩散区；在感光区域和浮置扩散区域交界处衬底上形成栅极结构；形成保形覆盖栅极结构和衬底的侧墙膜；去除浮置扩散区域的栅极结构顶部和衬底上的侧墙膜，剩余侧墙膜作为侧墙；以侧墙为掩膜在栅极结构一侧的浮置扩散区内形成第一源漏掺杂区；在第一源漏掺杂区上形成金属连接层；在衬底上形成层间介质层本发明避免对感光区域造成等离子体损伤以及衬底电荷残留问题，还避免由第一源漏掺杂区过刻蚀所引起的漏电流问题。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]图像传感器-CN202210865470.9在审
  • 朴相千;朴成凤;李范硕 - 三星电子株式会社
  • 2022-07-21 - 2023-02-21 - H01L27/146
  • 每个像素包括：浮置扩散区域，掺杂有第一导电类型的杂质；传输栅极结构，邻近于浮置扩散区域；以及晶体管。传输栅极结构包括：传输栅电极层；传输栅极绝缘层；以及传输栅极间隔件，在与基底的上表面平行的第一方向上邻近于传输栅极绝缘层，并且传输栅极间隔件的一部分设置在浮置扩散区域与传输栅电极层之间。在每个像素中，连接到浮置扩散区域的浮置扩散接触件在第一方向上设置成与邻近于传输栅极结构相比更邻近于像素隔离膜。
  • 图像传感器
  • [发明专利]具有PD偏置图案的图像传感器-CN201811398279.8有效
  • 吴先镐 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-11-22 - 2023-07-14 - H01L27/146
  • 该图像传感器可以包括：光感测区域，该光感测区域在基板中并且被配置为响应于所述光感测区域上的入射光而产生光电子；偏置图案，所述偏置图案被布置成包围所述光感测区域并且包含导电材料；浮置扩散区域，该浮置扩散区域处于所述光感测区域的中心，以存储所述光感测区域所产生的光电子；以及传输门，所述传输门与所述浮置扩散区域部分地交叠并且能够进行操作以将所述光感测区域所产生的光电子传送到所述浮置扩散区域。所述光感测区域和所述偏置图案彼此电隔离。
  • 具有pd偏置图案图像传感器
  • [发明专利]包括具有锯齿形排列的像素块的像素阵列的图像传感器-CN201811277075.9有效
  • 郭坪水 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-10-30 - 2023-09-08 - H01L27/146
  • 各个像素块包括：第一光接收电路，其包括共享第一浮置扩散区的多个单元像素；第二光接收电路，其沿第二方向与第一光接收电路相邻排列，并包括共享第二浮置扩散区的多个单元像素；第一驱动电路和第二驱动电路，其在第一光接收电路与第二光接收电路之间，并沿与第二方向交叉的第一方向对齐；和互联电路，其将第一浮置扩散区、第二浮置扩散区、第一驱动电路和第二驱动电路电联接。互联电路包括将第一驱动电路联接到第二驱动电路的第一区域、将第一区域联接到第一浮置扩散区的第二区域和将第一区域联接到第二浮置扩散区的第三区域。
  • 包括具有锯齿形排列像素阵列图像传感器
  • [发明专利]新型CMOS图像传感器像素结构-CN202011608526.X有效
  • 王欣洋;李扬;马成;刘洋;辛国松 - 长春长光辰芯微电子股份有限公司
  • 2020-12-29 - 2023-05-12 - H01L27/146
  • 本发明提供一种新型CMOS图像传感器像素结构，包括：包括：光电二极管、浮置扩散节点、复位晶体管和转移晶体管；其中，光电二极管为中空的环形结构，浮置扩散节点设置在光电二极管的中空区域内，转移晶体管为环形结构，其内边缘与浮置扩散节点接触，其外边缘与光电二极管接触，复位晶体管设置在浮置扩散节点的正下方，通过转移晶体管将光电二极管累积的电荷从不同方向转移至浮置扩散节点，通过复位晶体管提供竖直方向电场，对浮置扩散节点进行复位本发明能够在不影响转移晶体管电荷转移速度的情况下，增大光电二极管感光区域的面积。
  • 新型cmos图像传感器像素结构
  • [发明专利]图像传感器-CN202010989125.7在审
  • 金文焕;吴暎宣 - 三星电子株式会社
  • 2020-09-18 - 2021-05-11 - H01L27/146
  • 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括共享第一浮置扩散区域并且与单个滤色器相关联的第一像素组的单元像素，以及共享第二浮置扩散区域并且与单个滤色器相关联的第二像素组的单元像素。控制逻辑可以通过在第一时间从第一浮置扩散区域获得具有第一值的电容，并且在第一时间之后的第二时间从第二浮置扩散区域获得具有与第一值不同的第二值的电容来生成图像。
  • 图像传感器
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