专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]燃烧器-CN201220402722.6有效
  • 黄启均;王莹;张喜杰;吴亭 - 中山华帝燃具股份有限公司
  • 2012-08-14 - 2013-05-01 - F23D14/32
  • 本实用新型公开了一种富燃烧器,包括有空气通道和混合通道,所述的空气通道内设置有空腔,该空腔内部设有多层富膜,所述的空气通道设置有废气出口,空气入口和富出口,所述的废气出口位于所述空气通道的侧壁,所述的空气入口和富出口分别位于所述空气通道的前端和后端,所述的富出口通向所述的混合通道,使所述的空气通道与混合通道相连通,该富燃烧器能大幅提高热效率,并降低有害物质的排放。
  • 燃烧
  • [发明专利]等离子切割装置及方法-CN200680016896.6有效
  • 山口义博;蔵冈一浩;大西知志 - 小松产机株式会社
  • 2006-04-12 - 2008-05-07 - B23K10/00
  • 在软钢或低碳钢的等离子切割中,为了减少浮渣向穿孔时的孔周围附着,需要控制辅助气体的浓度。使用、空气、或者混合体等作为等离子气体。使用、空气、或者和空气的混合体等作为辅助气体。在穿孔工序中,辅助气体的浓度被控制为比切割工序时的高。在穿孔工序中,辅助气体的浓度为20摩尔%以上,优选为100摩尔%或者接近于该值的高浓度;在切割工序中,辅助气体的浓度为20摩尔%以上且低于燃烧的浓度,例如为40摩尔%~80摩尔%。
  • 等离子切割装置方法
  • [实用新型]一套用MOCVD尾气制氢的装置-CN201520418961.4有效
  • 刘祥林;李丹;鲍坚仁 - 湖南高安新材料有限公司
  • 2015-06-17 - 2015-11-11 - C01B3/04
  • 本实用新型公开一套用MOCVD尾气制氢的装置,该制氢装置包含:用于将含氢的尾气分解为氢混合的分解炉,用于除去氢混合中杂质同时含有可再生吸附剂的变温吸附设备,用于将除杂后的氢混合中的氢气浓缩提纯同时产生高压逆放气、低压逆放气的变压吸附设备,和用于将未除杂或除杂的氢混合进行加压的氢气压缩机;分解炉、变温吸附设备和变压吸附设备依次连接;氢气压缩机设于分解炉与变温吸附设备之间或设于变温吸附设备与变压吸附设备之间。
  • 套用mocvd尾气装置
  • [实用新型]一种低燃烧器-CN201921516462.3有效
  • 李玉敏;李蕾;李岭;王成业 - 青岛天地铸造有限公司
  • 2019-09-12 - 2020-06-02 - F23D14/02
  • 本实用新型公开了一种低燃烧器,包括燃烧器外壳、中心燃烧头、环形燃烧头、混流筒体和圆形安装板,所述燃烧器外壳底部焊接混流筒体,且燃烧器外壳顶部焊接环形燃烧头和中心燃烧头,所述中心燃烧头位于环形燃烧头中心位置,所述燃烧器外壳内通过安装架安装混合通道,且混合通道顶端连通中心燃烧头,所述混合通道底端贯穿混流筒体焊接混合集气头,且混合集气头位于混流筒体内顶部,所述燃烧器外壳顶部外围焊接燃烧头外壳,且燃烧头外壳一侧通过回流管与混流筒体一侧顶端连接本实用新型低燃烧器,设计合理,燃烧效率较高,适合被广泛推广和使用。
  • 一种燃烧
  • [发明专利]一种利用剩余污泥为碳源的厌反硝化的方法-CN202010684528.0有效
  • 张放;曾建雄;戴昆 - 福建农林大学
  • 2020-07-16 - 2022-08-16 - C02F11/04
  • 本发明提供了一种利用剩余污泥为碳源的厌反硝化的方法,包括以下步骤:S1,取厌污泥,用培养基悬浮振荡混合均匀,离心去上清,重复以上操作若干次;S2,将步骤S1得到的厌污泥接种于培养瓶中,加入培养基、剩余污泥、海藻酸钠和黄原胶,通入过量的氮气和二氧化碳混合,加入含有硝酸盐并密封,在温度为20~25℃的条件下进行连续培养25~35天,每天分析硝态和氮气的变化,当反硝化速率达到200~1000mgN/(L·天)时即富集得到反硝化菌群;S3,将步骤S2富集的反硝化菌群接种于厌反应器中,以剩余污泥、海藻酸钠和黄原胶为混合底物,通入过量的氮气和二氧化碳的混合体,加入含有硝态的污水,在温度为20~25℃的条件下进行厌反硝化。
  • 一种利用剩余污泥碳源厌氧反硝化方法
  • [发明专利]直拉法生长单晶硅中利用-氩混合体除杂-CN201010292543.7有效
  • 江国庆 - 江国庆
  • 2010-09-26 - 2012-04-11 - C30B27/02
  • 直拉法生长单晶硅中利用-氩混合体除杂。屈半导体分离技术领域,单晶炉直拉式生产单晶硅棒(碇)过程中会存有多种杂质,其中是直拉法生长单晶硅中的主要杂质,由于的存在严重影响单晶硅的品质,本发明采用在高纯度的氩气中加入微量的氮气,用它们的混合体来作保护气体,以去除直拉法生长单晶硅过程中的-氩混合体使炉内保持低压、惰性气氛,促使SiO的蒸发,随着SiO的蒸发量增大而降低硅熔体中的含量,加大混合体的流速,能使反应气体、反应粉末和反应液体迅速排出单晶炉
  • 直拉法生长单晶硅利用混合气体

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