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[发明专利]一种利用粘结剂喷射成型技术制备的氮化硅陶瓷及方法-CN202310642090.3在审
发明人：伍尚华;黎业华;龙国钦 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C04B35/593 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用粘结剂喷射成型技术制备的氮化硅陶瓷及方法，涉及氮化硅陶瓷材料制备技术领域。本发明提供的制备氮化硅陶瓷的方法，将原料氮化硅粉体和烧结助剂混匀后重新喷雾造粒，得到的球形粉体可以确保其具有良好的流动性，适合粘结剂喷射成型技术；进一步地，优选原料的粒径为亚微米级，以提高粉体的烧结活性；然后利用粘结剂喷射打印制得生坯，再经过真空渗硅处理，结合氮化处理，使得硅与氮气反应原位生成氮化硅，从而减少坯体的内部空隙，经过高温烧结后得到致密度较高的氮化硅陶瓷，最后，通过热等静压处理，进一步排出氮化硅陶瓷内部残留的气孔，从而获得高致密度、力学性能良好的大尺寸复杂结构的氮化硅陶瓷部件。
一种利用粘结喷射成型技术制备氮化陶瓷方法

[发明专利]一种常压氮化反应合成氮化硅粉体的方法-CN201210043059.X无效
发明人：蔡锴;林志明;杨筠;韩林森;李江涛 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明属于氮化硅陶瓷粉体的制备技术领域，特别涉及一种常压氮化快速反应合成氮化硅粉体的方法。本发明首先制备气孔率为80～90％的泡沫坯体，泡沫坯体中反应物Si和稀释剂Si3N4的比例为100∶0～70∶30；然后将该泡沫坯体在氮化炉中的流动气氛或封闭气氛及温度为1300℃～1400℃下直接进行氮化反应；根据不同的氮化制度，氮化硅粉体的形貌不同，制得α相氮化硅含量可为0～95wt％的不同形貌的氮化硅粉体。本发明的特点是氮化时间短，所得氮化率100％，可快速制备高α相氮化硅。本发明的生产工艺简单，对设备要求低，操作控制方便，生产效率高，可大大加快氮化硅粉体的生产速度，适合规模化工业生产。
一种常压氮化反应合成硅粉体方法

[发明专利]一种新型氮化硅太阳能电池的制备方法-CN201711362555.0在审
发明人：王凯 -专利权人：天津市瓦克新能源科技有限公司
申请日： 2017-12-16 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型氮化硅太阳能电池的制备方法，包括在氮化硅的正面形成绒面；在正面进行扩散，形成N型发射极；去除扩散过程中形成的磷硅玻璃和周边PN结，对背面抛光；在正面沉积氧化硅膜并退火；在正面沉积氮化硅膜，再在背面依次沉积氧化铝膜和氮化硅膜；或者在背面依次沉积氧化铝膜和氮化硅膜，再在正面沉积氮化硅膜；在背面开设开槽，开槽贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜；在背面印刷背电极浆料并烘干；在背面印刷铝浆并烘干；在正面印刷正电极浆料；高温烧结，形成背银电极、全铝背场和正银电极，全铝背场位于开槽内部分与氮化硅相连；本发明可提高电池的开路电压和短路电流，提升电池的光电转换效率。
氮化硅膜背面氮化硅氧化铝膜正面沉积开槽太阳能电池烘干背场全铝沉积制备电池退火光电转换效率扩散印刷背电极浆料正电极浆料背面抛光背银电极短路电流高温烧结开路电压磷硅玻璃氧化硅膜正面印刷正银电极铝浆绒面去除贯通

[发明专利]低温烧结高导热氮化硅陶瓷粉体、陶瓷制备方法及应用-CN202110588127.X在审
发明人：周涛;雒文博;温兵;赵立宏 -专利权人：深圳市精而美精密陶瓷科技有限公司;周涛
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明提供一种低温烧结高导热氮化硅陶瓷粉体、陶瓷制备方法及其应用，该陶瓷粉体包括氮化硅陶瓷和镁硅合金组合物，其中氮化硅陶瓷的质量百分比为85％氮化硅陶瓷100％，镁硅合金组合物的质量百分比为0％镁硅合金组合物利用金属镁的高活性，镁与氮化硅表面的氧化硅反应，夺去氧，露出新鲜的氮化硅表面参与烧结，提升烧结活性。通过在氮气气氛烧结，多余的镁硅烧结助剂会与氮气反应形成氮化硅、镁硅氮等物质非氧化物质，降低晶界处的氧化物杂质含量，有效提升氮化硅陶瓷的热导传热性能。
低温烧结导热氮化陶瓷制备方法应用

[发明专利]一种双接触孔刻蚀停止层的制作方法-CN201410428687.9有效
发明人：雷通;周海锋;方精训 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种双接触孔刻蚀停止层的制作方法，通过在MOS器件作为接触孔刻蚀停止层的高张应力氮化硅层上，以由氮化硅层和氧化硅层交替组成的多层叠层作为PMOS区域的紫外光阻挡层，对PMOS、NMOS区域的高张应力氮化硅层进行选择性的紫外光固化处理，得到在PMOS区域上覆盖张应力相对较低的高张应力氮化硅层，而在NMOS区域上覆盖张应力相对较高的高张应力氮化硅层，实现在PMOS、NMOS区域具有不同高张应力的氮化硅双接触孔刻蚀停止层，既避免了单步高张应力氮化硅沉积对PMOS器件空穴迁移率的消极影响，又避免了两步氮化硅沉积形成双接触孔刻蚀停止层工艺的复杂性，实现用较低的成本提升了器件的电性能。
一种接触刻蚀停止制作方法

[发明专利]氮化硅膜的成膜方法、成膜装置以及存储介质-CN201810507177.9有效
发明人：户根川大和 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅膜的成膜方法、成膜装置以及存储介质。提供一种能够在通过ALD法针对多个被处理基板形成氮化硅膜时降低所形成的氮化硅膜的应力的技术。在通过ALD法针对多个被处理体统一形成氮化硅膜时，在各循环中，在使成膜原料吸附的步骤与氮化的步骤之间实施在处理容器内生成氢自由基来进行氢自由基吹扫的步骤，来促进在所形成的氮化硅膜的Si‑N键合，从而降低所形成的氮化硅膜的拉伸应力
氮化方法装置以及存储介质

[发明专利]氮化硅陶瓷球的制备方法及氮化硅陶瓷球-CN201610152151.8在审
发明人：杨现锋;杨小乐;冯至峰;徐协文 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：一种本发明的氮化硅陶瓷球的制备方法及氮化硅陶瓷球。制备方法包括（1）将氮化硅粉、助烧剂、表面活性剂和石蜡类粘结剂共混加热搅拌，得到预混料；（2）将预混料、氮化硅粉和高聚物粘结剂混合并破碎，得到注射颗粒料；（3）将注射颗粒料注射成型，所得球形素坯经脱脂、烧结后，得到氮化硅陶瓷球。本发明的制备方法可制备出球形度高的氮化硅陶瓷球，磨削加工余量小，效率高，且生产成本较低。
氮化陶瓷球制备方法

[发明专利]一种改善接触孔中钨缺失的方法-CN201711329309.5在审
发明人：徐杰;李志国;黄冲;崔永鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出一种改善接触孔中钨缺失的方法，包括下列步骤：进行普通层间介质层氮化硅薄膜沉积，覆盖在晶圆表面；调整氮化硅薄膜沉积速率，进行快速层间介质层氮化硅薄膜沉积，将空隙快速封口。本发明提出的改善接触孔中钨缺失的方法，通过在普通层间介质层氮化硅薄膜沉积之后进行快速层间介质层氮化硅薄膜沉积，调整氮化硅薄膜沉积速率，将空隙快速封口，从而避免空隙与接触孔联通，在根本上解决接触孔中钨缺失的问题
氮化硅薄膜沉积接触孔层间介质层钨缺失封口晶圆表面联通覆盖

[发明专利]一种无纺布制备方法-CN202210197702.8在审
发明人：毕鲁南;李伶;王守兴;王营营;屈忠宝;徐先豹;王伟伟 -专利权人：山东工业陶瓷研究设计院有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： D06M11/77 文献下载
摘要：本发明公开一种无纺布制备方法，包括以下步骤：将无纺布母粒通过熔融挤出、熔融喷丝制备无纺布纤维；制备氮化硅粉料浆；将所述氮化硅粉料浆涂敷无纺布纤维表面，然后将所述无纺布纤维进行干燥得到灭菌无纺布纤维；所述氮化硅粉料浆包括有机溶剂、氮化硅粉；将所述灭菌无纺布纤维进行成网，然后加固成布，即得；通过所述氮化硅粉涂覆在无纺布纤维表面实现了无纺布纤维实现灭菌性能，由于氮化硅粉料浆采用有机溶剂避免了对无纺布静电吸附性能的降低。
一种无纺布制备方法

[发明专利]多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法以及坩埚-CN201310286498.8有效
发明人：李仪成;陈洁;程小理;昝武;李建帅 -专利权人：特变电工新疆新能源股份有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法，包括以下步骤：1)准备阶段：称取一定量的氮化硅粉；2)预处理阶段：对所述氮化硅粉进行烘烤，再对烘烤后的氮化硅粉进行筛滤；3)喷涂阶段：从筛滤后的氮化硅粉中取出确定量并将之加入去离子水中，搅拌均匀后得到氮化硅液体，将所述氮化硅液体喷涂在坩埚内表面上；4)烧结阶段：对喷涂后的坩埚进行烧结，烧结完毕后在坩埚内表面即形成多晶硅铸锭用坩埚涂层。
多晶铸锭坩埚涂层制备方法以及

[发明专利]具有多重闸极绝缘层的非挥发性存储器组件-CN01143000.1有效
发明人：范左鸿;卢道政;潘正圣;汪大军 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-12-05 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：此闸极绝缘层构造包括一顶部氮化硅层、一中间氮化硅层及一底部氮化硅层。当电场施予闸极与通道区域一侧的汲极区时,热载子从汲极区直接穿越底部氮化硅层以执行写入/清除的操作。从汲极区直接穿越底部氮化硅层的热载子是被捕捉于中间氮化硅层。
具有多重绝缘挥发性存储器组件

[发明专利]一种橙色系/黄色系氮化硅陶瓷及其制备方法和应用-CN202211173048.3有效
发明人：张景贤;刘宁;李哲;周泊岸;段于森 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C04B35/596 文献下载
摘要：本发明涉及一种橙色系/黄色系氮化硅陶瓷及其制备方法和应用。所述橙色系/黄色系氮化硅陶瓷由作为主晶相的β‑氮化硅、作为次晶相的核壳结构及晶界玻璃相组成；所述核壳结构包含着色离子‑镧系离子，成为氮化硅陶瓷的主要显色基团；所述晶界玻璃相的组成为Eu/Y/Mg‑Si‑Al‑O‑N本发明制备的橙色系/黄色系氮化硅陶瓷解决了氮化硅颜色单一且颜色单调的问题，同时制备方法简单，工艺易控，适于规模化生产。
一种橙色色系氮化陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]氮化硅薄膜的制备方法-CN201310008431.8无效
发明人：李展信 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化硅薄膜的制备方法，包括在350℃以下的环境温度中通入硅烷、氨气以及稀释气体，以生成并沉积形成氮化硅薄膜的步骤，高频源功率为0.15~0.30kW，低频源功率为0.15~0.30kW。上述氮化硅薄膜的制备方法给出了低温条件下生成高折射率氮化硅薄膜的较佳参数范围以及优选的参数，实现了低温条件下的高折射率氮化硅薄膜的制造，能够更好地满足需要高折射率氮化硅薄膜的场合。
氮化薄膜制备方法

[发明专利]一种用于石英陶瓷坩埚的高结合强度氮化硅涂层-CN201310348239.3无效
发明人：杜海燕;巩晓晓;张晓艳;胡小侠;张顶印 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于石英陶瓷坩埚的高强度氮化硅涂层，其原料组分及其重量百分比含量为：氮化硅粉末86～87.5%，氧化硼粉、硼酸粉或者硼砂粉12.5～14%。本发明通过在氮化硅涂层中引入适量的氧化硼，使其在氮化硅涂层高温处理过程中与石英坩埚表面发生反应，生成粘结相硼硅酸盐，增强氮化硅涂层与石英陶瓷坩埚结合强度，消除了铸锭多晶硅晶体的粘埚和裂锭现象；对于氮化硅涂层的研究有着深远而广泛的意义
一种用于石英陶瓷坩埚结合强度氮化涂层

[发明专利]一种氮化硅陶瓷构件表面氧化物去除方法-CN201310304663.8无效
发明人：苍利民;杨海杰;韩广军;王洋;张国胜 -专利权人：河南安彩高科股份有限公司
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C04B41/91 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅陶瓷构件表面氧化物去除方法，尤其适用于去除氮化硅陶瓷构件工作面上积累的氧化物，其技术方案是：将氮化硅陶瓷构件放入加热沸腾的强碱溶液中，充分反应后取出，然后用水清洗。本发明能够有效去除氮化硅陶瓷构件工作面氧化物，并保证氮化硅陶瓷构件工作面尺寸精度保持不变，可再次使用，延长氮化硅陶瓷构件使用寿命。
一种氮化陶瓷构件表面氧化物去除方法