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[发明专利]一种氮化硅粉体研磨装置-CN202310510051.8在审
发明人：肖立;肖亮;崔辉;谭皓文;汤娜 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化硅粉体研磨装置，涉及氮化硅粉体制备技术领域，包括装置主体，装置主体上设有氮化硅颗粒上料机构、捣碎机构和粉体研磨机构，氮化硅颗粒上料机构出口端与捣碎机构相通，捣碎机构出口端与氮化硅颗粒上料机构和粉体研磨机构相通，粉体研磨机构上方设有氮化硅粉体分类回收机构。通过先对氮化硅颗粒进行捣碎，使其形成不规则形状，从而增加其与磨介石之间的接触面积，同时由于与不规则形状一定程度上增加了氮化硅颗粒的表面粗糙度，从而加速了氮化硅粉体研磨装置的研磨效率，同时采用氮化硅粉体分类回收机构对研磨好的粉末进行分类回收，提高了氮化硅粉体的出厂质量。
一种氮化硅粉体研磨装置

[发明专利]一种氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷及其制备方法和应用-CN201810569814.5有效
发明人：伍尚华;黄容基;蒋强国;伍海东;刘文勇 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料的技术领域，尤其涉及一种氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供了一种氮化硅陶瓷浆料的制备方法包括以下步骤：步骤一、将氮化硅粉体加热处理，得到热氧化氮化硅粉体；步骤二、将所述热氧化氮化硅粉体与烧结助剂混合和干燥，得到干燥粉体；步骤三、将所述干燥粉体与树脂、分散剂、消泡剂和光引发剂混合，得到氮化硅陶瓷浆料。本发明具有以下优点：氮化硅粉体表面氧化处理成本低；显著提高氮化硅陶瓷浆料的固含量；减少氮化硅陶瓷浆料在光固化成型过程中的散射现象；减少氮化硅陶瓷浆料在光固化成型过程中所需的曝光时间，提高了成型效率；热氧化氮化硅粉体能促进烧结致密化及提高陶瓷性能
一种氮化陶瓷浆料及其制备方法应用

[发明专利]一种连续式氨解法制备氮化硅粉体的方法-CN202310642660.9在审
发明人：曾小锋;李勇全 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明提供了一种连续式氨解法制备氮化硅粉体的方法，涉及氮化硅制备技术领域，包括：向一体式制备装置的反应容器中加入制备氮化硅粉体所需的溶剂和四氯化硅；向一体式制备装置的反应容器中通入液氨，与步骤一获得的溶液进行反应，从而获得氮化硅前驱体；将氮化硅前驱体输送到一体式制备装置的处理机构中进行处理，从而获得氮化硅粉体。通过设计一种连续式氨解法制备氮化硅粉体的方法，有效的解决了现有的氨解法制备氮化硅粉体的方法，通常是在反应结束后，人工将氮化硅前躯体取出，然后在对其进行后续操作，从而出现氮化硅的生产效率慢的问题。
一种连续氨解法制氮化硅粉体方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷烧结的前处理方法、氮化硅陶瓷及其制备方法-CN202011103898.7有效
发明人：樊磊;高卡;丁云鹏;高阳;杨守磊;白中义;高前程;郭晓琴;张锐 -专利权人：郑州航空工业管理学院
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明属于氮化硅陶瓷技术领域，具体涉及一种氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，还涉及一种氮化硅陶瓷及其制备方法。本发明的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，包括以下步骤：在烧结容器中，将氮化硅坯体包埋入氮化硅粉体中，然后在氮化硅粉体表面覆盖盖板，之后在盖板上平铺二氧化硅粉；所述盖板为惰性耐火陶瓷板。本发明的前处理方法有效避免了氮化硅陶瓷在空气气氛烧结中的氧化，也可有效减少氮化硅埋粉的氧化，实现了氮化硅陶瓷在空气气氛中的烧结；并且所用氮化硅埋粉和二氧化硅粉容易分离，且可反复多次复用，可大幅降低埋粉消耗
一种氮化陶瓷烧结处理方法及其制备

[发明专利]一种提高氮化硅陶瓷基板材料热导率和力学性能的硅热还原方法-CN202011043054.8有效
发明人：曾宇平;王为得;左开慧;夏咏锋;姚冬旭;尹金伟;梁汉琴 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高氮化硅陶瓷基板材料热导率和力学性能的硅热还原方法，包括：（1）将氮化硅粉、烧结助剂和硅粉混合，得到混合粉体，所述硅粉为单质Si，含量为氮化硅粉质量的0.1～5wt%；（2）将所得混合粉体压制成型，得到氮化硅陶瓷素坯；（3）将所得氮化硅陶瓷素坯置于真空气氛或氩气气氛中、1000～1400℃下进行预烧结处理，得到氮化硅坯体；（4）将所得预烧结处理后的氮化硅坯体于1800～2000℃下进行烧结处理，得到所述氮化硅陶瓷基板材料。
一种提高氮化陶瓷板材料热导率力学性能还原方法

[发明专利]光固化3D打印用浆料、制备方法及氮化硅陶瓷-CN201910674243.6在审
发明人：董衡;韩耀;肖振兴;李淑琴;张剑;吕毅;张天翔;张昊 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明提供一种光固化3D打印用浆料、制备方法及氮化硅陶瓷，以解决目前光固化3D打印用氮化硅陶瓷浆料及其制备过程所存在的问题，其中，制备方法包括：氮化硅粉体预处理，包括：将氮化硅粉体分散在适量碱性溶液中得到碱性悬浮液；在所述碱性悬浮液中加入适量含Y³⁺和Mg²⁺的混合盐溶液，反应完毕后得到含包覆物的氮化硅粉体；将所述含包覆物的氮化硅粉体进行后处理，然后在500～600℃的温度下进行煅烧，即得预处理的氮化硅粉体；浆料制备，包括：将所述预处理的氮化硅粉体与树脂单体、分散剂和光引发剂混合处理即得氮化硅陶瓷浆料。
氮化硅粉体预处理光固化制备氮化硅陶瓷浆料打印氮化硅陶瓷碱性悬浮液包覆物浆料混合盐溶液后处理光引发剂混合处理碱性溶液浆料制备树脂单体制备过程分散剂煅烧

[发明专利]一种以硅粉作添加剂实现非晶氮化硅粉末的快速晶化方法-CN201010541470.0有效
发明人：李延辉;王立;尹少武;杨福明 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：一种利用硅粉做添加剂实现非晶氮化硅粉体的快速晶化方法，属于超细氮化硅粉末的制备技术领域。其特征是将非晶氮化硅粉和作为添加剂的硅粉按照氮化硅粉∶硅粉＝(98～50)∶(2～50)的质量比例充分混合，再经过筛分、干燥工序后，装入高温氮气炉内进行非晶氮化硅的晶化；添加剂硅粉在有效缩短非晶氮化硅晶化时间的同时，与氮气发生燃烧合成反应生成α相氮化硅，最终产品为高α相氮化硅粉体，产品中硅含量在0.1％以下。硅粉作为晶化添加剂，可以在有效促进非晶氮化硅粉晶化过程，大大缩短晶化时间的同时，完成硅粉自身的氮化。该方法生产效率高、设备简单、操作方便、快速节能、且产物纯度高，特别适合通过非晶氮化硅粉来批量生产高α相含量的优质氮化硅粉。
一种硅粉作添加剂实现氮化粉末快速方法

[实用新型]用于合成高α相氮化硅粉体的反应器-CN201822132588.2有效
发明人：王艺馨;高礼文;孙百忠;孙兆江;尚庆刚;马振;邱章喜 -专利权人：泰晟新材料科技有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： B01J19/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及氮化硅合成装置技术领域，具体涉及一种用于合成高α相氮化硅粉体的反应器。所述反应器包括氮化硅筒体、外壳、底板和顶盖；所述氮化硅筒体外表面设有保温层；所述底板和氮化硅筒体之间依次设有底部氮化硅压环和底部多孔氮化硅板，所述底板与进气管道相连，进气管道上设有进气阀门；所述顶盖和氮化硅筒体之间依次设有顶部氮化硅压环和顶部多孔氮化硅板该反应器构造简单，操作简便，用于合成氮化硅粉体，反应周期短，合成效率高，合成的氮化硅粉体纯度高，α相氮化硅含量高。
氮化硅氮化硅粉体合成底板反应器顶盖筒体多孔氮化硅出气管道压环本实用新型反应器构造冷却水腔室筒体外表面出气阀门反应周期合成装置进气阀门进气管道保温层进气管底盖

[发明专利]一种改性氮化硅及含有改性氮化硅的粉体制备方法和用途-CN201711395824.3有效
发明人：李家柱;殷军港 -专利权人：烟台大学
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性氮化硅及含有改性氮化硅的粉体制备方法和用途。利用氮化硅粉体表面羟基与卤代硅烷和含羟基有机分子依次反应进行表面接枝改性，从而得到有机分子表面接枝改性的氮化硅粉体。其目的是改善氮化硅粉体水基浆料的分散性和流变性，以用于直接凝固注模成型工艺。相比改性前氮化硅粉体水基浆料（固相含量30‑37vol%，1 Pa.s），本发明得到的改性氮化硅粉体水基浆料固含量可达57‑62vol%（1 Pa.s）。
一种改性氮化含有体制方法用途

[发明专利]多晶硅切割废料合成高α相氮化硅粉体的工艺及反应器-CN201811566527.5在审
发明人：王艺馨;高礼文;孙百忠;孙兆江;尚庆刚;马振;邱章喜 -专利权人：泰晟新材料科技有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅合成技术领域，具体涉及一种多晶硅切割废料合成高α相氮化硅粉体的工艺及反应器。所述合成工艺，包括以下步骤：(1)对多晶硅切割废料进行提纯，得到金属硅粉体；(2)将步骤(1)得到的金属硅粉体和氮化硅粉体混合，球磨，干燥，粉碎，得到混合粉体；(3)将步骤(2)得到的混合粉体装入反应器，通入氮、氢混合气，进行氮化反应，反应完成后，降温至50‑100℃，即得高α相氮化硅粉体。本发明的合成工艺反应周期短，合成效率高，制备的氮化硅粉体纯度高，α相氮化硅含量高；本发明还提供多晶硅切割废料合成高α相氮化硅粉体的反应器，构造简单，操作简便。
氮化硅粉体多晶硅切割反应器合成合成工艺混合粉体金属硅粉氮化硅氮化反应反应周期合成技术混合气提纯球磨制备装入

[发明专利]一种氮化硅粉的生产方法-CN201810207094.8在审
发明人：王亮;孟祥曼;江宏富;王敬强;李前程;郄丽曼 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅粉的生产方法，包括：1）以四氯化硅和氨气为原料，反应合成氮化硅的前驱体Si(NH)₂固体，通过得到纯净的Si(NH)₂粉末；2）将Si(NH)₂移至高温炉中，煅烧得到非晶态氮化硅粉；3）将得到的氮化硅粉细化、压块后移入高温结晶炉中，煅烧获得晶态氮化硅粉。本发明可连续不间断地合成氮化硅前驱体，同时采用两次煅烧处理即Si(NH)₂低温分解和非晶氮化硅粉的高温结晶，灵活控制最终产品氮化硅粉的粒径、形状及相组成；整个工艺过程没有机溶剂的参与，避免产品氮化硅粉中碳杂质的产生；该产品所用原料国内已规模化生产，实现低成本生产高纯亚微米等轴氮化硅粉。
氮化硅粉煅烧氮化硅前驱体非晶态氮化硅氨气低成本生产高温结晶炉规模化生产低温分解反应合成高温结晶工艺过程灵活控制四氯化硅高温炉机溶剂碳杂质等轴非晶高纯后移晶态粒径细化压块合成生产

[发明专利]一种绿色氮化硅手机背板材料-CN202110277334.3有效
发明人：张景贤;马瑞欣;段于森;李兴邦;刘宁;戴金荣 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种绿色氮化硅手机背板材料，所述绿色氮化硅手机背板材料是以硅粉或硅粉和氮化硅粉、绿色着色剂以及烧结助剂作为原料，再经混合、成型和烧结后得到；所述氮化硅粉体或/和硅粉的质量按照换算成氮化硅粉体、
一种绿色氮化手机背板材料

[发明专利]一种氮化硅密封环的制备方法-CN201610955910.4有效
发明人：汪彩芬;徐俊;杨少青;白彬;王小英;岳映雷;朱彩强;苏尧 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅密封环的制备方法，包括：(1)准备原料：氮化硅粉、氧化镁、氧化铝、氧化钇；(2)将原料加入到无水乙醇中，混匀，得到氮化硅复合粉料浆；(3)对氮化硅复合粉料浆进行真空干燥，然后过80目筛，得到干燥粉；(4)将胶加入至干燥粉中混合，然后过60目筛，得到氮化硅造粒粉；(5)将氮化硅造粒粉模压成型制得氮化硅环坯体；(6)将氮化硅环坯体装入石墨坩埚，并埋入混合粉，然后于氮气气氛、1680～1740℃条件下保温1～3小时烧结，制得氮化硅密封环。本发明制得的氮化硅密封环相对密度≥98％，强度>650MPa，硬度(HRA)为90～92，断裂韧性为4～6MPa·m^1/2，很好地满足了氮化硅材料在密封环市场上的应用。
一种氮化密封制备方法

[发明专利]一种氮化硅基复合材料及其制备方法-CN201810478171.3有效
发明人：刘强;叶枫;张海礁;张标;高晔 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化硅基复合材料及其制备方法，具体的，氮化硅粉体和氮化硼先驱体的混合粉体在通入氨气的高温炉中得到纳米级氮化硼改性的氮化硅粉体；将纳米级氮化硼改性的氮化硅粉体与烧结助剂在无水乙醇中球磨混合，干燥过筛后烧结，得到致密的氮化硅基复合材料；将所获得致密氮化硅基复合材料在氮气保护气氛炉中进行高温长时间热处理，得到高热导率、高抗弯强度及高韧性的氮化硅基复合材料，满足大功率电子器件的封装材料及高超音速飞行器透波窗口材料的性能要求
一种氮化复合材料及其制备方法

[发明专利]一种高性能大尺寸氮化硅陶瓷材料的制备方法-CN201611051738.6有效
发明人：李先容;朱彩强;汪彩芬;白彬;程本源;常宇 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能大尺寸氮化硅陶瓷材料的制备方法，包括：（1）准备原料：氮化硅粉、氧化镁、氧化铝、稀土氧化物；（2）将原料混匀，得到氮化硅复合粉料浆；（3）对氮化硅复合粉浆料进行喷雾造粒，制得氮化硅造粒粉；（4）对氮化硅造粒粉进行冷等静压处理成型，制得氮化硅压坯；（5）将氮化硅压坯装入高温烧结炉，并埋入埋粉进行烧结，获得预烧结体；（6）将预烧结体装入气压烧结炉内进行气压烧结，获得氮化硅陶瓷材料。本发明仅用普通的高温烧结炉和气压烧结炉就能完成氮化硅陶瓷材料的高致密烧结，不仅制造成本远低于热压、热等静压烧结制品，效率高，轻松实现了制品的批量生产，而且可以生产形状复杂的制品。
一种性能尺寸氮化陶瓷材料制备方法

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