“氢钝化处理”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4051242个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种太阳能电池HIT或HJT工艺固化、氢钝化一体机-CN201911063680.0在审
发明人：王会;刘品德;朱速锋;戴向荣 -专利权人：苏州南北深科智能科技有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池HIT或HJT工艺固化、氢钝化一体机，包括机架、用于对太阳能电池进行固化处理的固化炉、用于对太阳能电池进行氢钝化处理的氢钝化炉和用于传输太阳能电池的传输装置，固化炉和氢钝化炉顺序设置在机架上，固化炉出片的一端部与氢钝化炉进片的一端部相邻，传输装置连续设置在机架上，且传输装置分别穿过固化炉和氢钝化炉。该太阳能电池HIT或HJT工艺固化、氢钝化一体机结构简单，太阳能电池在固化炉中完成固化处理后可直接通过传输装置传输到氢钝化炉中进行氢钝化处理，该工艺过程连续，省去了搬运太阳能电池的工艺步骤，在提高生产效率的同时可避免搬运太阳能电池所造成的损伤
太阳能电池氢钝化固化炉传输装置氢钝化处理固化处理一体机固化搬运工艺步骤工艺过程连续设置生产效率顺序设置传输出片进片炉中损伤穿过

[实用新型]一种太阳能电池HIT或HJT工艺固化、氢钝化一体机-CN201921877668.9有效
发明人：王会;刘品德;朱速锋;戴向荣 -专利权人：苏州南北深科智能科技有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池HIT或HJT工艺固化、氢钝化一体机，包括机架、用于对太阳能电池进行固化处理的固化炉、用于对太阳能电池进行氢钝化处理的氢钝化炉和用于传输太阳能电池的传输装置，固化炉和氢钝化炉顺序设置在机架上，固化炉出片的一端部与氢钝化炉进片的一端部相邻，传输装置连续设置在机架上，且传输装置分别穿过固化炉和氢钝化炉。该太阳能电池HIT或HJT工艺固化、氢钝化一体机结构简单，太阳能电池在固化炉中完成固化处理后可直接通过传输装置传输到氢钝化炉中进行氢钝化处理，该工艺过程连续，省去了搬运太阳能电池的工艺步骤，在提高生产效率的同时可避免搬运太阳能电池所造成的损伤
一种太阳能电池 hit hjt 工艺固化钝化一体机

[发明专利]一种异质结电池分层氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站-CN201910622728.0在审
发明人：周剑;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州迈正科技有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池分层氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站，所述氢钝化方法为在异质结电池制备过程中对所述异质结电池的半成品至少进行一次氢钝化处理，进行氢钝化处理时对所述异质结电池的半成品进行加热并通过光源进行照射该异质结电池分层氢钝化方法是在异质结电池制备的过程中即采用氢钝化工艺，使得高浓度的氢原子可以扩散到硅晶体的界面，从而更好地钝化了界面上的硅悬挂键，显著降低了硅晶体的表面复合速率。
异质结电池氢钝化硅晶体分层半成品氢钝化处理太阳能供电表面复合电池组件钝化处理硅悬挂键制备过程氢原子次氢钝化光源加热制备照射电池扩散

[发明专利]掺磷光纤的加速老化-CN200910005869.4有效
发明人： D·J·迪乔瓦尼;M·卢瓦利;G·E·欧兰德森;D·S·维迪亚;小R·林格勒 -专利权人： OFS菲特尔有限责任公司
申请日： 2009-02-10 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C03C25/66 文献下载
摘要：通过使用氘钝化处理来钝化多掺杂光纤，来克服这些光纤中的不利的氢老化限制。该处理本质上使玻璃与氘起预反应，以使得使用中活性最大的玻璃部分不再能与氢起反应。最感兴趣的光纤掺杂有锗及磷的混合物。描述了最佳钝化处理条件。
磷光加速老化

[发明专利]一种镍铬丝-CN201711076136.0在审
发明人：陈俊达 -专利权人：常熟市梅李合金材料有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： C23C22/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍铬丝，其经过钝化处理，钝化处理包括如下步骤1）将1～2重量份氧化烷基胺聚氧乙烯醚、0.7重量份磷酸氢二钠、3.2重量份丹宁酸、1.1重量份过硫酸钠、0.8重量份十二烷基三甲基氯化铵依次投入25重量份去离子水中，搅拌均匀；2）再依次投入1.3重量份苯骈三氮唑、4.2重量份聚丙烯酸、1.3重量份异构十三醇聚氧乙烯醚磷酸酯、0.3重量份磷酸二氢锌、0.7重量份二烷基二硫代磷酸锌，继续搅拌，至充分混合均匀，制得钝化处理液；3）将镍铬丝置入钝化处理液中进行钝化处理，处理温度50℃，处理时间30秒，取出后用纯水清洗再烘干。本发明镍铬丝，其经过钝化处理，性能好，且表面光洁度好。
一种镍铬丝

[发明专利]太阳能电池片的氢钝化处理方法及其处理装置-CN201610472404.X有效
发明人：叶步章 -专利权人：科峤工业股份有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池片的氢钝化处理方法，包括设定一光源的光照强度并使用该光源悬空照射太阳能电池片，该光源产生的辐射热加热太阳能电池片，而且使用一致冷介质致冷该太阳能电池片并使该太阳能电池片维持在一恒定温度；其中，照射、加热及致冷该太阳能电池片同时进行，藉此改善太阳能电池片在氢钝化处理过程中的妥善率。为此，本发明还提供了一种实现上述方法的氢钝化处理装置。
太阳能电池钝化处理方法及其装置

[发明专利]一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法-CN202111129304.4在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，它包括氢钝化工序，具体如下：采用等离子体增强化学的气相沉积法对制绒后的半导体基板表面进行氢钝化、氧化处理，之后清洗去除氢钝化、氧化处理形成的膜层。本发明的目的在于提供一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，不但能够提高异质结太阳能电池的转换效率，而且能够解决铸造单晶硅和多晶硅体少子寿命低、杂质缺陷多等问题，使其应用于异质结太阳能电池当中，从而进一步降低异质结太阳能电池的制作成本
一种采用钝化异质结太阳电池制造方法

[发明专利]高强度钢电镀锌镍合金除氢的方法-CN201010518294.9有效
发明人：熊劲松;杨艳芹;储广峰 -专利权人：国营红林机械厂
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： C25D5/36 文献下载
摘要：一种高强度钢电镀锌镍合金除氢的方法，包括如下步骤：1)将镀覆锌镍合金的高强度钢零件依次用水清洗和用酒精浸泡；2)将经过清洗处理的零件置入真空炉中加热处理，使镀层表面氢原子溢出；3)将经过除氢处理的零件置于柠檬酸-硼酸混合水溶液中活化处理；4)对经过镀层活化处理的零件再次进行锌镍合金电镀；5)将经过复电镀处理的零件置于铬酐-氯化钠混合水溶液中钝化处理；6)将经过钝化处理的零件用清水洗净、吹干，即可获得符合要求的成品利用该方法能有效去除电镀锌镍合金过程中渗入基体金属的氢，减少氢脆性的发生，而且可在合金镀层表面生成防护性能优良的钝化膜，同时，本发明工艺方法简单、生产成本低廉。
强度镀锌镍合金方法

[发明专利]轴瓦免镀钝化处理防锈工艺-CN201010183952.3无效
发明人：易书新;赵加兵 -专利权人：江苏飞月轴瓦有限公司
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C23C22/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种轴瓦免镀钝化处理防锈工艺，包括下述步骤：a、酸性处理、b、碱性中和、c、浸泡钝化。该轴瓦免镀钝化处理防锈工艺既环保又经济，节能降耗、环保减污、节约锡资源、避免氢脆发生，提高了产品质量，不需高温清洗、高温烘干，保证了产品的精度。
轴瓦钝化处理防锈工艺

[发明专利]一种常温用锌层三价铬彩色钝化处理液及制备和使用方法-CN201910384555.3有效
发明人：刘侠和;李洪旭;王来滨;刘宇;李凤华;王梅 -专利权人：东北大学
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C22/10 文献下载
摘要：本发明涉及属于金属表面钝化处理技术领域，具体为一种高效稳定的常温用锌层三价铬彩色钝化处理液及制备和使用方法。按每升计算，钝化处理液组成：15～20g三氯化铬、5～10g硝酸钠、8～15g丙二酸、15～20g柠檬酸、5～10g磷酸二氢钠、8～15g硫脲、0.8～1.5g硫酸亚铁、0.6～1.0g硫酸亚铈和余量去离子水在连续搅拌的条件下，将三氯化铬溶于部分的去离子水中，依次加入硝酸钠、丙二酸、柠檬酸、磷酸二氢钠、硫脲并使其充分溶解，加入硫酸亚铈搅拌至完全溶解后加入硫酸亚铁和余量去离子水，静置得到钝化处理液。该钝化处理液有常温处理、简便、易控制、稳定等特点，实验室对封装镀锌样品在pH为2.2条件下，钝化后能形成光亮、均匀致密且耐蚀性好的彩色钝化膜。
一种常温用锌层三价铬彩色钝化处理制备使用方法

[发明专利]汽轮发电机转子-CN201610784609.1在审
发明人：邓雪明;邓东来 -专利权人：常熟市强盛电力设备有限责任公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C23C22/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种汽轮发电机转子，其金属转子轴经过钝化处理，钝化处理包括如下步骤1)将1～2份脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸盐、1.8份异构醇聚氧乙烯醚、2.1份N‑甲基吡咯烷酮、1.5份磷酸氢二钠、5.3份柠檬酸钠依次投入33份去离子水中，搅拌均匀；2)再依次投入1.5份乙二胺、1.1份钼酸钠、2.5份聚异丁烯、1.3份磷酸三钠、2.6份山梨醇，继续搅拌，至充分混合均匀，制得钝化处理液；3)将金属转子轴置入钝化处理液中进行钝化处理，处理温度45℃，处理时间35秒，取出后用纯水清洗再烘干。本发明汽轮发电机转子，其金属转子轴经过钝化处理，性能好，且表面光洁度好。
汽轮发电机转子

[发明专利]碳化硅晶片表面清洗方法-CN202010485729.8在审
发明人：徐良;朱振佳;蓝文安;杨新鹏;占俊杰;刘建哲;余雅俊;郭炜;叶继春;夏建白 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶片表面清洗方法，该方法包括以下步骤：高温处理：通过对碳化硅晶片进行高温处理使得所述碳化硅晶片表面形成氧化层；酸化处理：将经过高温处理后的所述碳化硅晶片进行酸化处理，以去除所述碳化硅晶片表面的氧化层；钝化处理：将经过酸化处理后的所述碳化硅晶片进行钝化处理，以在所述碳化硅表面形成钝化层。该清洗方法操作简单环保，能快速有效地清除碳化硅晶片表面的污染物，并在晶片表面氢钝化，提高了碳化硅晶片后续使用效率。
碳化硅晶片表面清洗方法

[发明专利]降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法-CN201811580753.9在审
发明人：陈杰智;马晓雷 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法，是在Si的表面用氢元素或者氟元素进行钝化处理，然后与过渡金属硫化物的两端进行表面接触，搭成NIN型肖特基场效应管或PIP型肖特基场效应管。用氢元素钝化Si表面后的接触体系，费米能级和过渡金属硫化物的导带底的能量差降低，从而可以通过氢元素钝化Si表面降低体系的肖特基势垒；其次用氟元素钝化Si表面，可以由原来的n型肖特基接触变成p型肖特基接触该方法选用传统材料硅和过渡金属硫化物进行表面接触，并通过传统的钝化元素氢或氟对Si表面进行钝化处理，可以降低Si‑MoS₂体系的肖特基势垒，这对未来未来微电子器件把二维材料集成到传统硅材料中有重大指导意义
过渡金属硫化物肖特基势垒钝化氢元素肖特基接触场效应管钝化处理界面处理氟元素肖特基半导体微电子器件传统材料二维材料费米能级传统的硅材料能量差元素氢导带

[发明专利]一种铝板钝化工艺-CN201510749916.1在审
发明人：张枫 -专利权人：安徽枫慧金属股份有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C23C22/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝板钝化工艺，包括以下步骤：（1）、将铝板表面放入浸泡槽中使用碳酸氢钠溶液浸泡处理，然后使用软布擦拭铝板表面，并使用清水冲洗干净；（2）、铝板表面烘干，然后在铝板表面均匀喷洒氧化银粉末，然后使用蘸有煤油的软布对喷洒有氧化银粉末的铝板进行擦拭；（3）、将铝板使用碳酸氢钠溶液浸泡处理，清洗；(4)、将铝板钝化处理；（5）、将钝化处理完成的铝板使用水冲洗干净，烘干。本发明的方法在对铝板处理时，先在清洗后使用氧化银与煤油进行擦拭，可以除去铝板表面的异物，又能够提升后续钝化时的均匀性及钝化层的致密度，而且处理后，可以增大钝化层的厚度，大大提升铝板的防腐蚀性能及钝化后铝板表面的平整度
一种钝化工艺

[发明专利]半导体器件的钝化方法-CN202110034018.3有效
发明人：张继宇;李颖;杨国文;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的钝化方法，涉及半导体相关的技术领域，该半导体器件的钝化方法，包括如下步骤：将解理的巴条放入到腔室内进行氧化处理；抽真空，利用形成的氢等离子体对巴条的腔面进行清洗处理,并利用形成的氦等离子体对巴条的腔面进行清洗处理；在清洗处理后保持氦气源开启并形成氦等离子体的状态下，对巴条的腔面进行钝化处理，可以加速钝化过程。本发明提供的一种半导体器件的钝化方法将自然解理的巴条进行氧化处理，使巴条腔面上的氧化物的厚度均一，避免了在清洗过程中，出现清洗不完全和过清洗的问题，且利用氢等离子体和氦等离子体依次对腔面进行清洗，保持氦气源开启时进行钝化，能够对氧化物层彻底清洗并容易钝化。
半导体器件钝化方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条