|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 23666个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [实用新型]柱塞式软横跨张力补偿器-CN200720031093.X无效
-
史尧
-
史尧
-
2007-01-24
-
2007-12-26
-
B60M1/26
- 本实用新型涉及一种柱塞式软横跨张力补偿器，是采用无源自适应技术来满足电气化铁路供电接触网软横跨线在气温变化时热胀冷缩的张力补偿需要。主要由蓄能缸、柱塞杆、连接件等组合成独立密闭的系统，内部充填高分子弹性体新型功能材料，利用大气环境温度变化高分子弹性体膨胀或收缩使柱塞杆回缩或伸出，来补偿连接在本装置上的外部软横跨线的长度变化量。通过合理的充填参数选择，使柱塞杆的伸缩量恰好与软横跨线因温度升降所引起的长度变化量相等，并保持其张力恒定。能够满足电气化铁路软横跨线、地铁车库线、公交电车线等较短锚段的张力补偿。
- 柱塞横跨张力补偿
- [发明专利]SRAM单元的形成方法-CN201310745628.X在审
-
张弓;傅丰华
-
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
-
2013-12-30
-
2015-07-01
-
H01L21/8244
- 一种SRAM单元的形成方法，包括形成有第一、二、三、四、五、六鳍部；横跨第一、二、三鳍部的第一栅极，横跨第一、二鳍部的第二栅极，第一、二栅极之间的第一、二鳍部为第一漏极；横跨第四、五、六鳍部的第三栅极，横跨第五、六鳍部的第四栅极，第三、四栅极之间的第五、六鳍部为第二漏极；第一栅极两侧第三鳍部的第五源极、第三漏极；第三栅极两侧第四鳍部的第六源极、第四漏极；形成层间介质层；第一图形化形成第一沟槽，横跨第一漏极的第一、二鳍部、第三漏极的第三鳍部；第二图形化形成第二沟槽，横跨第二漏极的第五、六鳍部、第四漏极的第四鳍部；在第一沟槽形成第一金属层、第二沟槽形成第二金属层。
- sram单元形成方法
|
