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[发明专利]栅极驱动器电路及其操作方法和用于电路保护的系统-CN201711001537.X有效
发明人：卡尔·诺林;埃尔温·胡贝尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：公开了一种栅极驱动器电路及其操作方法以及用于电路保护的系统。方法包括从包括正电源电压和负电源电压的电源向栅极驱动器电路供电。方法还包括将负电源电压与晶体管的输出端子处的第一电压进行比较，其中，栅极驱动器电路耦接至晶体管的栅极端子。方法还包括当负电源电压比触发电压更负时操作栅极驱动器电路，其中，触发电压是高于第一电压的预定电压。方法还包括当负电源电压比触发电压更正时禁用栅极驱动器电路的至少一部分。
栅极驱动器电路及其操作方法用于保护系统

[发明专利]宽电压范围低压差调节器-CN201680040892.5有效
发明人： V·F·佩卢索;沈梁国;关华;杜萌萌;何艾阳 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： G05F1/565 文献下载
摘要：在一个实施例中，本公开包括一种低压差调节器电路，其包括响应于传输晶体管的栅极上的栅极电压而在输出端子上提供输出电压的传输晶体管。反馈电路耦合到输出端子以生成反馈电压，并且误差放大器响应于参考电压和反馈电压而提供驱动信号。第一栅极驱动器电路在第一电压范围上可操作以响应于驱动信号而向传输晶体管提供栅极电压。第二栅极驱动器电路在第二电压范围上可操作以响应于驱动信号而向传输晶体管提供栅极电压，其中第二电压范围低于第一电压范围。
电压范围低压调节器

[发明专利]栅脉波调变电路及其调变方法-CN201010274760.3有效
发明人：李建锋;徐兆庆;陈仁杰 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-08-30 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：其中，栅脉波调变电路包括：一时序控制器，产生一输出致能信号以及多个时间控制信号；一高栅极电压产生单元，电连接至该时序控制器，接收所述时间控制信号并据以产生具有多削角波形的一高栅极电压；一低栅极电压产生单元，产生一低栅极电压；以及一栅驱动器，电连接至该时序控制器、该高栅极电压产生单元、该低栅极电压产生单元，接收该输出致能信号、该低栅极电压、与多削角波形的该高栅极电压，并且根据该输出致能信号的多个致能周期，
栅脉波调变电路及其方法

[发明专利]非易失半导体存储器件以及该存储器件的数据擦除方法-CN98111768.6无效
发明人：金森宏治 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-12-28 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：在此公开一种能够减小由升压电路产生的用于擦除所存储的数据的擦除电压的非易失半导体存储器件。该存储器件包括：一个由多个存储单元组成的存储单元阵列，其中每个存储单元都具有连接到一条字线的控制栅极，一个被写入数据的浮置栅极，一个基于擦除电压用于擦除所述浮置栅极中的数据的擦除栅极，以及电压施加电路，它在第一状态将第一电压施加到所述擦除栅极上，在第二状态将所述擦除栅极置于浮置状态，以及在第三状态将第二电压施加到所述控制栅极上，以便改变所述擦除栅极的电压，使其成为比所述第一电压高的所述擦除电压。
非易失半导体存储器件以及数据擦除方法

[发明专利]减小3DNAND非易失性存储器中的弱擦除型读取干扰-CN201280068437.8有效
发明人：董颖达;曼·L·木伊;三轮仁志 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：通过控制位线的电压、漏极侧选择栅极的电压、源极侧选择栅极的电压、存储器装置的选中的层级的电压以及存储器装置的未选中的层级的电压来对沟道进行升压。可以通过初始使漏极侧选择栅极和源极侧选择栅极不导电以允许与增大的存储器装置的未选中的层级的电压的电容耦合来对沟道进行升压。然后通过提高漏极侧选择栅极的电压和/或源极侧选择栅极的电压来使漏极侧选择栅极和/或源极侧选择栅极导电，从而中断升压。
减小 nand 非易失性存储器中的擦除读取干扰

[发明专利]用于片内终结的终结电路-CN201080016363.4无效
发明人： P·B·吉灵厄姆 -专利权人：莫塞德技术公司
申请日： 2010-01-11 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H03H11/46 文献下载
摘要：该终结电路包括连接在端子和电源之间的多个晶体管，所述多个晶体管包括至少一个NMOS晶体管和至少一个PMOS晶体管；和控制电路，该控制电路用于以相应的NMOS栅极电压驱动每个NMOS晶体管的栅极以及用于以相应的PMOS栅极电压驱动每个PMOS晶体管的栅极，该控制电路被配置为控制NMOS栅极电压和PMOS栅极电压以便在启用片内终结时将所述晶体管置于欧姆操作区。所述电源供应电压，该电压小于每一个所述的NMOS栅极电压而大于每个所述的PMOS栅极电压。
用于终结电路

[发明专利]例如用于抽头线性驱动器的MOSFET电路和浪涌保护方法-CN202080056947.8在审
发明人：罗成虎;韩少韦 -专利权人：昕诺飞控股有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：当源极电压超过阈值电平时，例如响应于源极和漏极之间的电压浪涌事件，MOSFET电路(直接地或者经由栅极控制电路)钳位MOSFET栅极电压。具体地，栅极被保持在相对于源极的一电压，以在这种浪涌事件期间而不在正常操作期间断开第一MOSFET。这提供了针对输入电压意外增加的自动保护，尤其是在切换期间MOSFET处于其导通状态时。阈值电路被连接在栅极(或栅极控制节点)与参考电压之间。当源极处的电压超过电压阈值电平时，它使源极和栅极(或栅极控制节点)之间的单向电路部件(D18)与阈值电路导通。
例如用于抽头线性驱动器 mosfet 电路浪涌保护方法

[发明专利]半导体装置和控制模拟开关的方法-CN201210321396.0有效
发明人：荒木良太;水谷彻 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：模拟开关，其中P沟道晶体管和N沟道晶体管并联连接在输入端子与输出端子之间；可变电压电路，其根据提供给输入端子的输入电压可变地产生P沟道晶体管的第一栅极电压和第一背栅极电压以及N沟道晶体管的第二栅极电压和第二背栅极电压的电势；以及控制电路，其向可变电压电路提供控制模拟开关导通或不导通的控制信号。响应于导致所述模拟开关导通的所述控制信号，可变电压电路向P沟道晶体管和N沟道晶体管各自的栅极输出可变地产生的第一栅极电压和第二栅极电压。
半导体装置控制模拟开关方法

[发明专利]基于GaN工艺的HEMT晶体管电荷模型建立及萃取方法-CN202111273846.9在审
发明人：蔡文必;张永明;魏鸿基;林义书 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN工艺的HEMT晶体管电荷模型建立及萃取方法，包括：基于外部输入的栅极电压、漏极电势和源极电势，获得栅极沟道电压；基于栅极电荷密度、栅极根数、栅极长度和单根栅极的宽度，获得栅极电荷；基于漏极电势和源极电势，获得漏源电势差；基于所述栅极沟道电压、栅极电荷和漏源电势差，建立用于表征晶体管器件开启后电荷值与漏源电压相关性的电荷模型；对所述电荷模型的电荷值进行微分，建立用于表征栅源电容、栅源电压和漏源电压相关性的电容模型。本发明支持基于GaN工艺的HEMT晶体管的电荷/电容描述，特别是沟道开启后栅源电容、栅源电压和漏源电压的关系描述，模型准确性高。
基于 gan 工艺 hemt 晶体管电荷模型建立萃取方法

[发明专利]平面显示装置及其控制电路与控制方法-CN200810009466.2有效
发明人：锺竣帆;丁天伦;蔡佳琪;杜明鸿;廖干煌;陈予洁;刘品妙 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-02-02 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：此平面显示装置具有多个栅极驱动单元，每一栅极驱动单元用以控制平面显示装置中的一条水平扫瞄线的操作。此平面显示装置提供第一栅极高电平电压信号与第二栅极高电平电压信号至栅极驱动单元以做为传递至相对应之水平扫瞄线的电压信号。第一栅极高电平电压信号及第二栅极高电平电压信号分别包括具备有某一斜率的下降缘，且第一栅极高电平电压信号的下降缘的持续时间大于第二栅极高电平电压信号的下降缘的持续时间。本发明能够针对电压瞬变造成的馈穿效应提供不同的补偿效果，改善平面显示装置在垂直方向上的显示均匀性。
平面显示装置及其控制电路控制方法

[发明专利]电压调整电路、方法及显示装置-CN202111416586.6在审
发明人：李冠群;樊涛;王赟;袁海江 -专利权人：绵阳惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本申请属于显示装置技术领域，具体涉及一种电压调整电路、电压调整方法及显示装置。本申请的电压调整电路包括电荷泵单元、电压补偿单元和电源集成单元，通过电源集成单元生成初始基准电压，再根据电荷泵单元利用初始基准电压生成初始栅极电压，将初始栅极电压作为电压补偿单元的输入电压，电压补偿单元通过初始栅极电压生成补偿电压；然后电源集成单元再根据补偿电压生成目标基准电压，最后，通过电荷泵单元根据目标基准电压生成目标栅极电压，将目标栅极电压传输到薄膜晶体管上；本申请利用电荷泵单元、电压补偿单元和电源集成单元的相互配合，可以产生不同的栅极电压
电压调整电路方法显示装置

[发明专利]阴极射线管-CN98123432.1无效
发明人：木宫淳一;粟野孝司;菅原繁 -专利权人：东芝株式会社
申请日： 1998-10-20 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01J29/50 文献下载
摘要：本发明阴极射线管的电子枪构件利用第5栅极5至第8栅极8形成主电子透镜部分，在该主电子透镜部分的内部配置4极透镜。在第5栅极5上加上电压Vf1作为基准电压，再叠加随电子束偏转量增大而呈抛物线状变化的动态电压Vd1。在第6栅极6上加上电压Vf2作为基准电压，再叠加随电子束偏转量增大而呈抛物线状变化的动态电压Vd2。第7栅极7加上电压Vf2，第8栅极8加上阳极电压Eb。
阴极射线管

[发明专利]栅极驱动电路、显示装置以及栅极驱动方法-CN201510471033.9有效
发明人：曾柏瑜;林介安;方柏翔;程智修;黄如琳;刘益全 -专利权人：联咏科技股份有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供一种栅极驱动电路、显示装置以及栅极驱动方法。显示装置包括多个像素、数据驱动电路以及栅极驱动电路。栅极驱动电路包括M组栅极通道，M是大于1的整数。M组栅极通道中的每一组栅极通道包括控制电路以及输出缓冲器。控制电路从电源供应电路接收电源供应电压且产生该些经调制供应电压中的经调制供应电压。输出缓冲器连接至控制电路，输出缓冲器由经调制供应电压供电以输出该些栅极信号中的栅极信号至显示面板的栅极线，其中栅极信号的驱动脉冲在充电周期时根据经调制供应电压而被削角，以及在预先充电周期时维持栅极信号的驱动脉冲的波形
栅极驱动电路显示装置以及方法

[发明专利]栅极驱动电路及其显示装置-CN201910124262.1有效
发明人：付佃力;黄霞 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种栅极驱动电路及其显示装置。栅极驱动电路中每级栅极驱动单元包括输入模块，根据前级信号以及时钟信号产生中间电压；自举电容，第一端与输入模块相连于中间节点接收中间电压，第二端与栅极驱动单元负载端相连提供本级栅极驱动信号，多条栅极线至少包括负载不同的第一栅极线和第二栅极线，驱动第一栅极线的第一栅极驱动单元包括补偿模块，根据调节电压调节中间电压以补偿本级栅极驱动信号，调节电压表征所述负载端的负载状态。本发明至少在一种栅极驱动单元中增设补偿模块，保证加载在第一栅极线与第二栅极线的栅极驱动信号的一致性，消除了第一栅极线与第二栅极线上因负载差异造成的显示差异，提升了整个显示区域的显示均一性。
栅极驱动电路及其显示装置

[实用新型]改善液晶显示器开机延迟的电路-CN201120088103.X有效
发明人：庄惠萍;吴子明 -专利权人：华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本实用新型公开一种改善液晶显示器开机延迟的电路，其包含一电压侦测单元、一开机升压单元、一第二电压升压单元、一栅极高电压升压单元、一栅极低电压升压单元及一电容，该电压侦测单元是用以根据一第一电压，输出一开机升压信号及一延迟时间信号，该电容是用以根据延迟时间信号，决定一开机升压区间，第二电压升压单元、栅极高电压升压单元及栅极低电压升压单元是用以根据开机升压信号和开机升压区间，分别产生一升压的第二电压、一升压的栅极高电压及一升压的栅极低电压
改善液晶显示器开机延迟电路

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