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[发明专利]低杂质弹性材料-CN200680045266.1无效
发明人： C·W·埃克斯特兰德 -专利权人：安格斯公司
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01M2/08 文献下载
摘要：本发明的实施方案包括高纯度的固化弹性材料、用于制造其的组合物、和包含所述固化弹性材料的制品。本发明的实施方案包括具有少于200ng/cm²的钙的固化弹性体。
杂质弹性材料

[发明专利]表面杂质去除材料组合物和表面杂质去除材料的制备方法-CN201510502255.2有效
发明人：薛辉;昌江;任俊春;金海涛 -专利权人：芜湖真空科技有限公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C11D7/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种LOW-E玻璃用表面杂质去除材料组合物和表面杂质去除材料的制备方法，其中，所述组合物包括酚醛树脂、聚乙烯树脂、丙酮、醋酸、氧化镁、氧化钙和二氧化硅；相对于100重量份的所述酚醛树脂，所述聚乙烯树脂的含量为本发明将酚醛树脂、聚乙烯树脂、丙酮、醋酸、氧化镁、氧化钙和二氧化硅按照一定比例进行混合，使通过上述比例混合后制得的表面杂质去除材料在实际清洁LOW-E玻璃时能将其表面的杂质和油污有效地去除。
表面杂质去除材料组合制备方法

[发明专利]相变材料、制造和操作其的方法和相变随机存取存储器-CN200610121248.9有效
发明人：卢振瑞;姜闰浩;李相睦;徐东硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变材料、包括该相变材料的PRAM以及制造和操作这种PRAM的方法。绝缘杂质均匀分布在相变材料的整个或部分区域上。该PRAM包括含有相变材料的相变层。相变材料的绝缘杂质含量可小于相变材料体积的10％。相变材料绝缘杂质的含量可以通过控制施加到包括绝缘杂质的靶的电能调节。
相变材料制造操作方法随机存取存储器

[实用新型]负极材料铁杂质去除装置-CN202222926005.X有效
发明人：徐双军 -专利权人：恒科（化德）新能源科技有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B03C1/02 文献下载
摘要：本申请提供一种负极材料铁杂质去除装置，包括：箱体，所述箱体的上部设有进料装置，所述箱体的底部延其长度方向依次设有第一排铁口、出料口和第二排铁口，且所述出料口位于所述进料装置的下方，所述箱体的内部设有能同时位于所述出料口上方的第一磁棒组件和第二磁棒组件本申请能够在清理铁杂质时不需要中断负极材料的除铁工作，进而能够实现负极材料的除铁工作连续进行，提高了负极材料除铁的工作效率。
负极材料杂质去除装置

[发明专利]从含氢材料中除去杂质-CN200980127654.8无效
发明人：渡边正晴;马克·雷纳;埃德·洛;万玉广孝 -专利权人：马西森三气公司
申请日： 2009-05-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： B01J20/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种净化含氢材料的方法。该方法包括提供包含二氧化硅的净化剂材料的步骤。该二氧化硅可在约100℃或更高的温度下在干燥气氛下加热以形成活化的二氧化硅。该活化的二氧化硅可与起始含氢材料接触，其中活化的二氧化硅降低来自起始含氢材料的一种或多种杂质的浓度，以形成净化的含氢材料，其中活化的二氧化硅不分解净化的含氢材料。
材料除去杂质

[发明专利]聚酯材料与杂质的分离-CN200580049512.6无效
发明人： C·D·古铁雷斯;A·G·菲施贝克 -专利权人：联合资源再生公司
申请日： 2005-03-16 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： C08J11/04 文献下载
摘要：本发明通常涉及从各种杂质材料中分离和回收用过的聚酯的方法。本发明可用于将各种杂质包括玻璃、尘土、纸、金属、胶水、染料等与用过的聚酯分离。所公开的方法包括几个阶段，包括准备阶段、其中可从该聚酯中除去一部分杂质，以及反应阶段，其中可皂化一部分聚酯并可从该聚酯中物理分离杂质。此外，在反应阶段中，某些难以分离的杂质，例如铝和聚氯乙烯，可反应以更形成易与该聚酯分离的物质。
聚酯材料杂质分离

[发明专利]碳纳米管除铁及金属催化剂回收-CN202180016237.7在审
发明人： D·盖鲁斯 -专利权人：纳米复合技术股份有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B82Y40/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于纯化含碳纳米管、金属杂质和无定形碳杂质的纳米结构材料的方法。所述方法主要包括氧化未纯化的纳米结构材料以移除无定形碳并因而暴露金属杂质，随后使纳米结构材料与一氧化碳接触使金属杂质气化并因而从纳米结构材料中基本移除金属杂质。
纳米金属催化剂回收

[发明专利]一种新材料表面杂质去除设备-CN202110683674.6在审
发明人：肖福女 -专利权人：肖福女
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： B24B27/033 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除设备，尤其涉及一种新材料表面杂质去除设备。本发明的技术问题是如何设计一种能够方便人们对材料去除杂质，工作效率高，且省时省力的新材料表面杂质去除设备。一种新材料表面杂质去除设备，包括有：底座，底座一侧安装有支撑架；除异机构，安装在支撑架上，用于对材料进行去除杂质；送料机构，安装在底座与支撑架和除异机构之间，用于放置材料。本发明通过将两根材料放置于弧形固定板之间，启动电机使得带齿滚筒反转，然后用手推动材料向左移动与带齿滚筒接触，进而带齿滚筒反转对材料表面进行材质，如此，可方便人们对材料去除杂质，工作效率高。
一种新材料表面杂质去除设备

[发明专利]一种聚变装置核材料杂质含量上限计算方法-CN202310715874.4在审
发明人：张小康;郑善良;郑俞;伍秋染 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚变装置核材料杂质含量上限计算方法，用于分析在聚变装置核环境下服役的材料杂质控制要求。该方法通过在指定核材料服役环境条件及考核要求下，通过对材料的主要成分及可能包含的杂质元素进行活化模拟，并根据其核响应计算各种归一化指标，从而确定该杂质元素的控制要求。本方法可以实现聚变核材料在其服役条件下的快速杂质含量上限计算，可应用于聚变核材料及聚变装置的设计分析中。
一种聚变装置材料杂质含量上限计算方法

[发明专利]杂质吸收材料及涂布有该材料的坩埚-CN201610032906.0在审
发明人：魏汝超 -专利权人：超能高新材料股份有限公司
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种杂质吸收材料及涂布有该材料的坩埚，所述杂质吸收材料包含低氮原子重量百分比的氮化硅(Si3N4-x)，其中(4-x)为所述杂质吸收材料于氮化硅(Si3N4-x)化合物的氮原子摩尔数比，且x介于0.32-3.33之间，由于低氮原子重量百分比的氮化硅(Si3N4-x)存在不稳定的悬挂键、不饱和键及其他未配对键结等高活性官能基，因此应用于高温领域时，这些高活性基团为降低能量而吸附来自烧结过程的杂质，大量杂质被本发明的杂质吸收材料吸附，导致反应过程杂质减少，最终产品的产出将有助于减少杂质。
杂质吸收材料涂布有坩埚

[发明专利]一种生物质燃料加工用原材料预处理装置-CN202010329427.1有效
发明人：宋旭 -专利权人：新昌县知贝机械有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： B08B3/10 文献下载
摘要：本发明属于生物质燃料生产技术领域，公开了一种生物质燃料加工用原材料预处理装置，包括一级杂质筛除装置和粉碎箱，所述一级杂质筛除装置设于粉碎箱的进料前侧，采用浸入式震动的清除方式，分离粉碎前的原材料与砂石杂；所述粉碎箱内安装有进料组件、粉碎组件、烘干组件、蛟龙出料组件和二级杂质筛除装置，所述蛟龙出料组件连接于粉碎组件的出料端，所述二级杂质筛除装置与蛟龙出料组件配合，采用风力分离的清除方式，分离粉碎后的原材料与砂石杂质；综上，基于两级杂质筛除装置，以分别筛除原材料中的较大杂质和微小杂质，由此有效提高原材料中的杂质筛除率，进而达到提升最终成型生物质燃料的品质和能量密度的效果。
一种生物燃料工用原材料预处理装置

[发明专利]一种垂直环栅隧穿晶体管及其制备方法-CN201410392305.1在审
发明人：孙雷;徐浩;张一博;韩静文;王漪;张盛东 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种结合垂直沟道、异类杂质分凝和肖特基势垒源/漏结构的环栅场效应晶体管，包括一个垂直方向的环状半导体沟道，一个环状栅电极，一个环状栅介质层，一个源区，一个杂质分凝区，一个漏区，一个杂质分凝区，一个半导体衬底；其中，源区位于垂直沟道的底部，与衬底相接，杂质分凝区介于源区与垂直沟道之间；漏区位于垂直沟道的顶部，杂质分凝区介于漏区与垂直沟道之间；栅介质层和栅电极呈环状围绕住垂直沟道；源区和漏区分别与沟道形成肖特基接触；所述杂质分凝区和杂质分凝区的杂质选自异类材质，即：杂质分凝区的杂质选自于p型材料时，杂质分凝区的杂质选自于n型材料；杂质分凝区的杂质选自于n型材料时，杂质分凝区的杂质选自于p型材料。
一种垂直环栅隧穿晶体管及其制备方法

[发明专利]一种圆柱形材料表面大量杂质去除设备-CN202110768344.7在审
发明人：陈雨珊 -专利权人：陈雨珊
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： B24B27/033 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除设备，尤其涉及一种圆柱形材料表面大量杂质去除设备。需要设计一种能够方便人们对圆柱形材料进行去除杂质，工作效率高，且省时省力的圆柱形材料表面大量杂质去除设备。一种圆柱形材料表面大量杂质去除设备，包括有：底座，底座一侧设有空心固定框；第一固定架，第一固定架安装在底座上。本发明通过驱动机构和滑动机构的配合，将一根材料放置在左右两侧弧形导向架后方之间，启动电机，再拉动第一固定块向前移动带动材料向前移动，材料向前移动与滚槽筒接触，左右两侧滚槽筒转动配合对材料进行杂质去除，如此，可方便人们对圆柱形材料进行去除杂质，工作效率高。
一种圆柱形材料表面大量杂质去除设备

[发明专利]降低烧结材料密度不均匀性的工艺-CN200710106377.5有效
发明人： S·M·斯维尼;T·约斯尼克 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2007-05-28 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：公开一种降低烧结材料密度不均匀性的预烧结工艺，包括：(a)提供一种混合物，该混合物包括(i)含有杂质的第一可烧结材料，杂质的存在使这种可烧结材料在烧结过程中比纯净的该材料在烧结过程中产生的蒸气压高；和(ii)第二材料，它与杂质的亲和性比第一可烧结材料与杂质的亲和性高；(b)在一定温度下对混合物加热足够的时间，使第二材料至少能部分减弱杂质在第一可烧结材料烧结过程中使蒸气压升高的趋势。
降低烧结材料密度不均匀工艺

[发明专利]金属杂质的引入以改变导电电极的功函数-CN200780001799.4无效
发明人： M·P·胡齐克;B·B·多里斯;S·古哈;R·詹米;V·纳拉亚南;V·K·帕鲁许里;Y·Y·王;K·孔洪翁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-01-03 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供半导体结构，例如场效应晶体管(FET)和/或金属－氧化物－半导体电容器(MOSCAP)，其中通过向包含金属的材料层中引入金属杂质来改变导电电极叠层的功函数，该包含金属的材料层与导电电极一起存在于电极叠层中金属杂质的选择取决于电极具有n型功函数还是p型功函数。本发明还提供一种制造该半导体结构的方法。金属杂质的引入可以通过共沉积这样的层而实现，该层包含包含金属的材料和改变功函数的金属材料，形成其中在包含金属的材料的层之间存在金属杂质层的叠层，或者通过在包含金属的材料之上和/或之下形成包括金属杂质的材料层，然后加热该结构以将金属杂质引入包含金属的材料中而实现。
金属杂质引入改变导电电极函数

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